TG1800HF17H1-S500,IGBT Modul,Félhíd IGBT,CRRC

符号 Szimbólum

参数名称 Paraméter

tesztfeltételek

A vizsgálati feltételek

számérték Érték

egység Egység

V A CES

集电极 – kibocsátási hőfeszültség

A kollektor-kibocsátó feszültség

V Általános energia = 0V, T C= 25 °C

1700

V

V GES

rács – kibocsátási hőfeszültség

Kapu-kibocsátó feszültség

T C= 25 °C

± 20

V

IC

集电极电流

A kollektor-kibocsátó áram

T C = 85 °C, T vj max = 175°C

1800

A

IC (((PK)

集电极峰值电流

A kollektor csúcsárama

t P=1 ms

3600

A

Pmax

transzformátorrésztől maximális veszteség

Max. transzisztor-energia-szennyezés

T vj = 175°C, T C = 25 °C

9.38

kw

I2t

dióda I2t érték Diódák I2t

V Rúd =0V, t P = 10 ms, T vj = 175 °C

551

kA2i

V az önálló

绝缘电压 (模块 )

Elkülönítés feszültség – per modul

短接 minden végtag, végtag és alaplap között. ( Kapcsolt csatlakozó s to alaplap ) AC RMS,1 min, 50 Hz, T C= 25 °C

4000

V

参数 Szimbólum

magyarázat

Magyarázat

érték Érték

egység Egység

átmeneti távolság

A csúszó távolság

csatlakozó – hőszivattyú

Csatlakozó a hűtőborda

36.0

mm

csatlakozó – csatlakozó

Terminál a terminálra

28.0

mm

绝缘间隙 Felmentés

csatlakozó – hőszivattyú

Csatlakozó a hűtőborda

21.0

mm

csatlakozó – csatlakozó

Terminál a terminálra

19.0

mm

viszonyos felfedezéses nyomvonal-index

CTI (Comparative Tracking Index)

400

符号 Szimbólum

参数名称 Paraméter

tesztfeltételek

A vizsgálati feltételek

最小值 Min.

典型值 - Tipikus.

legnagyobb érték - Max, kérlek!

egység Egység

Rúd a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) IGBT

IGBT csomópont-ház hőellenállás

Hőállósági ellenállás – IGBT

16

K \/ kw

Rúd a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) Diódák

2 极管结热阻

Hőállósági ellenállás – Diódák

33

K \/ kw

Rúd a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) IGBT

kapcsolati hőellenállás (IGBT)

Hőállósági ellenállás –

eset a hőszivattyúhoz (IGBT)

áthajtómű 5Nm, 导热脂 1W/m·K Szerelési nyomaték 5Nm,

vele feltöltés zsír 1W/m·K

14

K \/ kw

Rúd a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) Diódák

kapcsolati hőellenállás (Diódát)

Hőállósági ellenállás –

eset a hőszivattyúhoz (Diódát)

áthajtómű 5Nm, 导热脂 1W/m·K Szerelési nyomaték 5Nm,

vele feltöltés zsír 1W/m·K

17

K \/ kw

T vjop

munkahelyi hőmérséklet

Működési kapcsolat hőmérséklet

IGBT chips ( IGBT )

-40

150

°C

dió chips ( Dióda )

-40

150

°C

T sTG

tárolási hőmérséklet

Tárolóhőmérséklet-tartomány

-40

150

°C

M

áthajtómű

Csavar nyomaték

átépítés – M5 Feltöltés – M5

3

6

Nm

– M4

Elektromos csatlakozások – M4

1.8

2.1

Nm

– M8

Elektromos csatlakozások – M8

8

10

Nm

符号 Szimbólum

参数名称 Paraméter

tesztfeltételek

A vizsgálati feltételek

最小值 Min.

典型值 - Tipikus.

legnagyobb érték - Max, kérlek!

egység Egység

Rúd a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) IGBT

IGBT csomópont-ház hőellenállás

Hőállósági ellenállás – IGBT

16

K \/ kw

Rúd a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) Diódák

2 极管结热阻

Hőállósági ellenállás – Diódák

33

K \/ kw

Rúd a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) IGBT

kapcsolati hőellenállás (IGBT)

Hőállósági ellenállás –

eset a hőszivattyúhoz (IGBT)

áthajtómű 5Nm, 导热脂 1W/m·K Szerelési nyomaték 5Nm,

vele feltöltés zsír 1W/m·K

14

K \/ kw

Rúd a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) Diódák

kapcsolati hőellenállás (Diódát)

Hőállósági ellenállás –

eset a hőszivattyúhoz (Diódát)

áthajtómű 5Nm, 导热脂 1W/m·K Szerelési nyomaték 5Nm,

vele feltöltés zsír 1W/m·K

17

K \/ kw

T vjop

munkahelyi hőmérséklet

Működési kapcsolat hőmérséklet

IGBT chips ( IGBT )

-40

150

°C

dió chips ( Dióda )

-40

150

°C

T sTG

tárolási hőmérséklet

Tárolóhőmérséklet-tartomány

-40

150

°C

M

áthajtómű

Csavar nyomaték

átépítés – M5 Feltöltés – M5

3

6

Nm

– M4

Elektromos csatlakozások – M4

1.8

2.1

Nm

– M8

Elektromos csatlakozások – M8

8

10

Nm

符号 Szimbólum

参数名称 Paraméter

tesztfeltételek

A vizsgálati feltételek

最小值 Min.

典型值 - Tipikus.

legnagyobb érték - Max, kérlek!

egység Egység

Rúd 25

nominális ellenállásérték

Népszerűség ellenállás

T C = 25 °C

5

kΩ

△Rúd /R

R100 eltérés

Eltérés a R100

T C = 100 °C, Rúd 100=493Ω

-5

5

%

P25

disszipációs teljesítmény

Tápegység kiesztetése

T C = 25 °C

20

mW

B 25/50

B- érték

B-érték

Rúd 2 = Rúd 25exp [B 25/50(1/T 2 – 1/(298.15 K))]

3375

K

B 25/80

B- érték

B-érték

Rúd 2 = Rúd 25exp [B 25/80(1/T 2 – 1/(298.15 K))]

3411

K

B 25/100

B- érték

B-érték

Rúd 2 = Rúd 25exp [B 25/100(1/T 2 – 1/(298.15 K))]

3433

K

符号 Szimbólum

参数名称 Paraméter

条件

A vizsgálati feltételek

最小值 Min.

典型值 - Tipikus.

legnagyobb érték - Max, kérlek!

egység Egység

IA CES

集电极截止电流

A kollektor leállító áramát

V Általános energia = 0V, V CE = V A CES

1

mA

V Általános energia = 0V, V CE = V A CES , T vj = 150 °C

40

mA

V Általános energia = 0V, V CE = V A CES , T vj =175 °C

60

mA

IGES

极漏电流

Gát szivárgásáram

V Általános energia = ±20V, V CE = 0V

0.5

μA

V Általános energia (TH)

rács – emittáló küszöb feszültség A kapcsoló küszöbfeszültség

IC = 60mA, V Általános energia = V CE

5.1

5.7

6.3

V

V CE (sat) (*1)

集电极 – emittáló telítési feszültség

A kollektor-kibocsátó telítettsége

feszültség

V Általános energia =15V, IC = 1800A

1.70

V

V Általános energia =15V, IC = 1800A, T vj = 150 °C

2.10

V

V Általános energia =15V, IC = 1800A, T vj = 175 °C

2.15

V

IF

dióda előre irányuló egyenáram Diódás előre áram

DC

1800

A

IA FRM

dióda előre irányuló ismétlődő csúcsáram Diódák csúcsos előre irányított áram nt

t P = 1 ms

3600

A

V F (*1)

dióda előre irányuló feszültség

Diódás előrehajtás

IF = 1800A, V Általános energia = 0

1.60

V

IF = 1800A, V Általános energia = 0, T vj = 150 °C

1.75

V

IF = 1800A, V Általános energia = 0, T vj = 175 °C

1.75

V

IA sz.

rövidzárlati áram

Rövid kör jelenlegi

T vj = 175°C, V CC = 1000V, V Általános energia ≤15 V, t p ≤10 μs,

V CE(max) = V A CES – L(*2) ×di/dt, IEC 60747-9

7400

A

Ca)

bevezető kapacitás

Bevezető kapacitás

V CE = 25V, V Általános energia = 0V, f = 100KHZ

542

nF

K g

极电荷

Kapu díj

±15V

23.6

μC

Cres

visszafelé történő átviteli kapacitás

Visszafordító kapacitás

V CE = 25V, V Általános energia = 0V, f = 100KHZ

0.28

nF

LsCE

modul szóróindukció

Modul szóró indukta nce

8.4

nH

Rúd CC ’+EE ’

modul vezetékellenállás, terminális – chips Mmodul vezeték ellenállást, terminális-chip

mindegyik kapcsolásnál

per switch

0.20

mΩ

Rúd Gint

belső kapcsos ellenállás

Belső kapu ellenállás

1

ó

符号 Szimbólum

参数名称 Paraméter

tesztfeltételek

A vizsgálati feltételek

最小值 Min.

典型值 - Tipikus.

legnagyobb érték - Max, kérlek!

egység Egység

t d(ki)

kikapcsolási késleltetés

A kikapcsoló késleltetési idő

IC =1800A,

V CE = 900V,

V Általános energia = ±15 V, Rúd G ((OFF) = 0.5Ω, LI = 25nH,

d v \/dt =3800V\/μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

1000

cs

T vj = 150 °C

1200

T vj = 175 °C

1250

t f

- Lecsökkentő idő. Őszidő

T vj = 25 °C

245

cs

T vj = 150 °C

420

T vj = 175 °C

485

EKi van kapcsolva.

kikapcsolási veszteség

A kikapcsolt energiaveszteség

T vj = 25 °C

425

mJ

T vj = 150 °C

600

T vj = 175 °C

615

t a következők:

开通延迟时间

Beállítási késleltetési idő

IC =1800A,

V CE = 900V,

V Általános energia = ±15 V, Rúd G (((ON) = 0.5Ω, LI = 25nH,

d i \/dt = 8500A\/μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

985

cs

T vj = 150 °C

1065

T vj = 175 °C

1070

t rúd

fejlődési idő Felemelkedési idő

T vj = 25 °C

135

cs

T vj = 150 °C

205

T vj = 175 °C

210

EBe

kapcsolási veszteség

Beállítási energia veszély

T vj = 25 °C

405

mJ

T vj = 150 °C

790

T vj = 175 °C

800

K r

dióda visszafelé helyreállító töltés Diódák vissza

behajtási díj

IF =1800A, V CE = 900V,

- A i F /dt = 8500A\/μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

420

μC

T vj = 150 °C

695

T vj = 175 °C

710

Ir

dióda visszafelé helyreállító áram Diódák vissza

visszanyerési áram

T vj = 25 °C

1330

A

T vj = 150 °C

1120

T vj = 175 °C

1100

Ea felvétel

dióda visszafelé helyreállító veszteség Diódák vissza

energia-visszanyerés

T vj = 25 °C

265

mJ

T vj = 150 °C

400

T vj = 175 °C

420