TG1800HF17H1-S500,IGBT Modul,Félhíd IGBT,CRRC

符号 Szimbólum

参数名称 Paraméter

tesztfeltételek

A vizsgálati feltételek

számérték Érték

egység Egység

V. A CES

集电极 - kibocsátási hőfeszültség

A kollektor-kibocsátó feszültség

V. Általános energia = 0V, T C = 25 °C

1700

V.

V. GES

rács - kibocsátási hőfeszültség

Kapu-kibocsátó feszültség

T C = 25 °C

± 20

V.

Én... C

集电极电流

A kollektor-kibocsátó áram

T C = 85 °C, T vj max. = 175°C

1800

A

Én... C (((PK)

集电极峰值电流

A kollektor csúcsárama

t P =1 ms

3600

A

P max.

transzformátorrésztől maximális veszteség

Max. transzisztor-energia-szennyezés

T vj = 175°C, T C = 25 °C

9.38

kW

Én... 2t

dióda Én... 2t érték Diódák Én... 2t

V. R =0V, t P = 10 ms, T vj = 175 °C

551

kA 2s

V. az önálló

绝缘电压 (模块 )

Elkülönítés feszültség - per modul

短接 minden végtag, végtag és alaplap között. ( Kapcsolt csatlakozó s to alaplap ) AC RMS,1 min, 50 Hz, T C = 25 °C

4000

V.

参数 Szimbólum

magyarázat

Magyarázat

érték Érték

egység Egység

átmeneti távolság

A csúszó távolság

csatlakozó -hőszivattyú

Csatlakozó a hűtőborda

36.0

mm

csatlakozó -csatlakozó

Terminál a terminálra

28.0

mm

绝缘间隙 Felmentés

csatlakozó -hőszivattyú

Csatlakozó a hűtőborda

21.0

mm

csatlakozó -csatlakozó

Terminál a terminálra

19.0

mm

viszonyos felfedezéses nyomvonal-index

CTI (Comparative Tracking Index)

400

符号 Szimbólum

参数名称 Paraméter

tesztfeltételek

A vizsgálati feltételek

最小值 Min.

典型值 - Tipikus.

legnagyobb érték - Max, kérlek!

egység Egység

R a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) IGBT

IGBT csomópont-ház hőellenállás

Hőmérsékleti ellenállás – IGBT

16

K \/ kW

R a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) Diódák

2 极管结热阻

Hőmérsékleti ellenállás – Diódák

33

K \/ kW

R a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) IGBT

kapcsolati hőellenállás (IGBT)

Hőmérsékleti ellenállás –

eset a hőszivattyúhoz (IGBT)

áthajtómű 5Nm, 导热脂 1W/m·K Szerelési nyomaték 5Nm,

-val/-vel feltöltés zsír 1W/m·K

14

K \/ kW

R a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) Diódák

kapcsolati hőellenállás (Diódát)

Hőmérsékleti ellenállás –

eset a hőszivattyúhoz (Diódát)

áthajtómű 5Nm, 导热脂 1W/m·K Szerelési nyomaték 5Nm,

-val/-vel feltöltés zsír 1W/m·K

17

K \/ kW

T vjop

munkahelyi hőmérséklet

Működési kapcsolat hőmérséklet

IGBT chips ( IGBT )

-40

150

°C

dió chips ( Dióda )

-40

150

°C

T sTG

tárolási hőmérséklet

Tárolóhőmérséklet-tartomány

-40

150

°C

Férfi

áthajtómű

Csavar nyomaték

átépítés – M5 Feltöltés – M5

3

6

Nm

– M4

Elektromos csatlakozások – M4

1.8

2.1

Nm

– M8

Elektromos csatlakozások – M8

8

10

Nm

符号 Szimbólum

参数名称 Paraméter

tesztfeltételek

A vizsgálati feltételek

最小值 Min.

典型值 - Tipikus.

legnagyobb érték - Max, kérlek!

egység Egység

R a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) IGBT

IGBT csomópont-ház hőellenállás

Hőmérsékleti ellenállás – IGBT

16

K \/ kW

R a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) Diódák

2 极管结热阻

Hőmérsékleti ellenállás – Diódák

33

K \/ kW

R a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) IGBT

kapcsolati hőellenállás (IGBT)

Hőmérsékleti ellenállás –

eset a hőszivattyúhoz (IGBT)

áthajtómű 5Nm, 导热脂 1W/m·K Szerelési nyomaték 5Nm,

-val/-vel feltöltés zsír 1W/m·K

14

K \/ kW

R a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) a) Diódák

kapcsolati hőellenállás (Diódát)

Hőmérsékleti ellenállás –

eset a hőszivattyúhoz (Diódát)

áthajtómű 5Nm, 导热脂 1W/m·K Szerelési nyomaték 5Nm,

-val/-vel feltöltés zsír 1W/m·K

17

K \/ kW

T vjop

munkahelyi hőmérséklet

Működési kapcsolat hőmérséklet

IGBT chips ( IGBT )

-40

150

°C

dió chips ( Dióda )

-40

150

°C

T sTG

tárolási hőmérséklet

Tárolóhőmérséklet-tartomány

-40

150

°C

Férfi

áthajtómű

Csavar nyomaték

átépítés – M5 Feltöltés – M5

3

6

Nm

– M4

Elektromos csatlakozások – M4

1.8

2.1

Nm

– M8

Elektromos csatlakozások – M8

8

10

Nm

符号 Szimbólum

参数名称 Paraméter

tesztfeltételek

A vizsgálati feltételek

最小值 Min.

典型值 - Tipikus.

legnagyobb érték - Max, kérlek!

egység Egység

R 25

nominális ellenállásérték

Népszerűség ellenállás

T C = 25 °C

5

kΩ

△ R /R

R100 eltérés

Eltérés a R100

T C = 100 °C, R 100=493Ω

-5

5

%

P 25

disszipációs teljesítmény

Tápegység kiesztetése

T C = 25 °C

20

mW

B 25/50

B- érték

B-érték

R 2 = R 25exp [B 25/50 (1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3375

K

B 25/80

B- érték

B-érték

R 2 = R 25exp [B 25/80 (1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3411

K

B 25/100

B- érték

B-érték

R 2 = R 25exp [B 25/100 (1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3433

K

符号 Szimbólum

参数名称 Paraméter

条件

A vizsgálati feltételek

最小值 Min.

典型值 - Tipikus.

legnagyobb érték - Max, kérlek!

egység Egység

Én... A CES

集电极截止电流

A kollektor leállító áramát

V. Általános energia = 0V, V. CE = V. A CES

1

mA

V. Általános energia = 0V, V. CE = V. A CES , T vj = 150 °C

40

mA

V. Általános energia = 0V, V. CE = V. A CES , T vj =175 °C

60

mA

Én... GES

极漏电流

Gát szivárgásáram

V. Általános energia = ±20V, V. CE = 0V

0.5

μA

V. Általános energia (TH)

rács -emittáló küszöb feszültség A kapcsoló küszöbfeszültség

Én... C = 60mA, V. Általános energia = V. CE

5.1

5.7

6.3

V.

V. CE (sat) (a)

集电极 -emittáló telítési feszültség

A kollektor-kibocsátó telítettsége

feszültség

V. Általános energia =15V, Én... C = 1800A

1.70

V.

V. Általános energia =15V, Én... C = 1800A, T vj = 150 °C

2.10

V.

V. Általános energia =15V, Én... C = 1800A, T vj = 175 °C

2.15

V.

Én... F

dióda előre irányuló egyenáram Diódás előre áram

DC

1800

A

Én... A FRM

dióda előre irányuló ismétlődő csúcsáram Diódák csúcsos előre irányított áram nt

t P = 1 ms

3600

A

V. F (a)

dióda előre irányuló feszültség

Diódás előrehajtás

Én... F = 1800A, V Általános energia = 0

1.60

V.

Én... F = 1800A, V Általános energia = 0, T vj = 150 °C

1.75

V.

Én... F = 1800A, V Általános energia = 0, T vj = 175 °C

1.75

V.

Én... A sz.

rövidzárlati áram

Rövid kör a jelenlegi

T vj = 175°C, V. CC = 1000V, V. Általános energia ≤ 15 V, t p ≤ 10 μs,

V. CE(max) = V. A CES – L a Bizottság ×di/dt, IEC 60747-9

7400

A

C a)

bevezető kapacitás

Bevezető kapacitás

V. CE = 25V, V. Általános energia = 0V, f = 100KHZ

542

nF

Q g

极电荷

Kapu díj

±15V

23.6

μC

C res

visszafelé történő átviteli kapacitás

Visszafordító kapacitás

V. CE = 25V, V. Általános energia = 0V, f = 100KHZ

0.28

nF

L sCE

modul szóróindukció

Modul szóró indukta nce

8.4

nH

R CC ’+ EE ’

modul vezetékellenállás, terminális -chips Férfi modul vezeték ellenállás, terminális-chip

mindegyik kapcsolásnál

per switch

0.20

mΩ

R Gint

belső kapcsos ellenállás

Belső kapu ellenállás

1

ó

符号 Szimbólum

参数名称 Paraméter

tesztfeltételek

A vizsgálati feltételek

最小值 Min.

典型值 - Tipikus.

legnagyobb érték - Max, kérlek!

egység Egység

t d(ki)

kikapcsolási késleltetés

A kikapcsoló késleltetési idő

Én... C =1800A,

V. CE = 900V,

V. Általános energia = ± 15 V, R G ((OFF) = 0.5Ω, L S = 25nH,

m v. \/dt =3800V\/μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

1000

cs

T vj = 150 °C

1200

T vj = 175 °C

1250

t f

- Lecsökkentő idő. Őszidő

T vj = 25 °C

245

cs

T vj = 150 °C

420

T vj = 175 °C

485

E Ki van kapcsolva.

kikapcsolási veszteség

A kikapcsolt energiaveszteség

T vj = 25 °C

425

mJ

T vj = 150 °C

600

T vj = 175 °C

615

t a következők:

开通延迟时间

Beállítási késleltetési idő

Én... C =1800A,

V. CE = 900V,

V. Általános energia = ± 15 V, R G (((ON) = 0.5Ω, L S = 25nH,

m én... \/dt = 8500A\/μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

985

cs

T vj = 150 °C

1065

T vj = 175 °C

1070

t r

fejlődési idő Felemelkedési idő

T vj = 25 °C

135

cs

T vj = 150 °C

205

T vj = 175 °C

210

E A

kapcsolási veszteség

Beállítási energia veszély

T vj = 25 °C

405

mJ

T vj = 150 °C

790

T vj = 175 °C

800

Q r

dióda visszafelé helyreállító töltés Diódák vissza

behajtási díj

Én... F =1800A, V. CE = 900V,

- A én... F /dt = 8500A\/μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

420

μC

T vj = 150 °C

695

T vj = 175 °C

710

Én... r

dióda visszafelé helyreállító áram Diódák vissza

visszanyerési áram

T vj = 25 °C

1330

A

T vj = 150 °C

1120

T vj = 175 °C

1100

E a felvétel

dióda visszafelé helyreállító veszteség Diódák vissza

energia-visszanyerés

T vj = 25 °C

265

mJ

T vj = 150 °C

400

T vj = 175 °C

420