Az alibabától

YMIF1500-33-I1-01 3300V 1500A Nagyfeszültségű IGBT Modul Okos Hálózat CRRC Csakító Inverter/Konverter Mozgatóerő

YMIF1500-33-I1-01 3300V 1500A Nagyfeszültségű IGBT Modul Okos Hálózat CRRC Csakító Inverter/Konverter Mozgatóerő

Bevezetés

Vállalati profil

A Beijing World E To Technology Co., Ltd. egy technológiai vállalat, amely import- és exportminőségekkel rendelkezik, alapítva innovációra és kiválóságra vonatkozó elveken, a szemiconduktor szemiconduktor alternatív megoldások és technológiák élén áll. Specializálódik a szemiconduktor terméktervezésben, szerződéses testreszabásban és disztribúcióban. Szigorú követelményeket tűzünk fel a közreműködő partnereink kiválasztására, csupán olyan technológiai cégekkel és gyártókkal működünk együtt, amelyek első osztályú tervezési és gyártási technológiával rendelkeznek. Az optimizáció testreszabása az üzemanyagátadási sorok automatizálása másik fontos része szerződéses gyártásunknak.

Mi termékek

1	IGBT modul és Vezető
2	IGCT modul és Vezető
3	Inverter magpanel
4	Diódás modul
5	Tirisztor modul
6	Áramérzékelő
7	Képesítőszer
8	Ellenállás
9	Szilárdtestes relé
10	Ipari robotok és Alaprészek
11	Civilek inga repülőgépek és Alaprészek

Termékek leírása

Jellemzők

(1) AISiC alaplemez
(2) AIN Alsóhajtatók
(3) Magas Hőmérsékleti Ciklizálási Képesség
(4) 10μs Rövid áram útvonalának bíráltsága

(5) Alacsony Vce(sat) eszköz

(6) Magas áramsűrűség

Tipikus alkalmazások

(1) Húzóhajtóművek
(2) Motorvezérlők
(3) Okos hálózat
(4)Magas Megbízhatóságú Inverter

YMIF1500-33-I1-01

3300V/1500A Egyes Váltó IGBT

Kulcs Paraméterek

Szimbólum	Leírás	Érték	Egység
V. _{A CES}		3300	V.
V. _{CE (szombat)}	- Tipikus.	2.40	V.
Én... _C	- Max, kérlek!	1500	A
Én... _C(RM)	IC ((RM)	3000	A

Abszolút maximális minősítés

Szimbólum	Paraméter	A vizsgálati feltételek	Érték	Egység
V. _{A CES}	A kollektor-kibocsátó feszültség	V. _{Általános energia}= 0V, T _C= 25 °C	3300	V.
V. _GES	Kapu-kibocsátó feszültség	T _C= 25 °C	±20	V.
Én... _C	A kollektor-kibocsátó áram	T _C= 75°C	1500	A
Én... _{C (((PK)}	A kollektor csúcsárama	t _P=1 ms	3000	A
P _max.	Max. transzisztor-energia-szennyezés	Tvj= 150°C, TC= 25 °C	15600	W
Én... ²t	Diod I ²t	V. _R=0V, t _P= 10ms, Tvj= 150 °C	720	kA ²s
Visol	Elválasztó feszültség – modulonként	(Közös terminálok az alaplaphoz), AC RMS, 1 perc, 50Hz, T _C= 25 °C	6000	V.
Q _PD	Részletesebb Feltöltés – modulonként	IEC1287. V1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS	10	pC

Hő- és mechanikai adatok

Szimbólum	Paraméter	A vizsgálati feltételek	Min.	- Max, kérlek!	Érték		Egység
R _{th(J-C) IGBT}	Hőellenállás – IGBT			8	K / kW		℃
R _{th(J-C) Dioda}	Hőellenállás – Dioda			16	K / kW		℃
R _{th(C-H) IGBT}	Hőellenállás – ház és hűtőborda (IGBT)	Szerelési nyomaték 5Nm, szerelési zsírral 1W/m·°C		6	K / kW		℃
T _vj	A csatlakozó üzemfoka hőmérséklete	IGBT	-40	150	°C
T _vj	A csatlakozó üzemfoka hőmérséklete			Diódák	-40	150	°C
M	Csavar nyomaték	A felszerelés M6		5	nm
				Elektromos kapcsolatok – M4		2	nm
				Elektromos kapcsolatok – M8		10	nm

Elektromos jellemzők

Szimbólum	Paraméter	A vizsgálati feltételek	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egység
Én... _{A CES}	A kollektor leállító áramát	V. _{Általános energia}= 0V,V _CE= V _{A CES}			1	mA
				V. _{Általános energia}= 0V, V _CE= V _{A CES}, T _C= 125 °C			90	mA
				V. _{Általános energia}= 0V, V _CE= V _{A CES}, T _C= 150 °C			150	mA
Én... _GES	A kapu szivárgási áram	V. _{Általános energia}= ±20V, V _CE= 0V			1	μA
V. _{GE (TH)}	A kapcsoló küszöbfeszültség	Én... _C= 40mA, V _{Általános energia}= V _CE	5.0	6.1	7.0	V.
V. _{CE (sátáció)}	Gyűjtő-Kibocsátó Telítési Feszültség	VGE=15V, IC= 1200A,Tvj = 25 °C		2.40	2.90	V.
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C		2.95	3.40	V.
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 150 °C		3.10	3.60	V.
Én... _F	Diódás előre áram	DC		1500		A
Én... _{A FRM}	Diód csúcs előre áram	t _P= 1ms		3000		A
V. _F	Diódás előrehajtás	Én... _F= 250A, V _{Általános energia}= 0		2.10	2.60	V.
				Én... _F= 250A, V _{Általános energia}= 0, T _vj= 125 °C		2.25	2.70	V.
				Én... _F= 250A, V _{Általános energia}= 0, T _vj= 150 °C		2.25	2.70	V.
Én... _{A sz.}	Rövid áram	Tvj= 150°C, V _CC= 1000V, V. _{Általános energia}≤15V, tp≤10μs, V. _CE(max)= V _{A CES}–L(*2)×di/dt, IEC 6074-9		5800		A
A csúcs	Bevezető kapacitás	V. _CE= 25V, V _{Általános energia}= 0V, f = 100kHz		260		nF
Qg	Kapu díj	±15		25		μC
Cres	Visszafordító kapacitás	V. _CE= 25V, V _{Általános energia}= 0V, f = 100kHz		6.0		nF
L _M	Modul induktivitás			10		nH
R _{A székhely}	Belső transzistor ellenállás			110		mΩ

T eSET = 25°C amíg más nem szabályozott

Szimbólum

Paraméter

A vizsgálati feltételek

Min.

A típus

Max.

Egység

t _d(ki)

A kikapcsoló késleltetési idő

Én... _C= 2400A
V. _CE= 900V
L _S~ 50nH
V. _{Általános energia}= ±15V
R _{G (((ON)}= 0,5Ω
R _{G ((OFF)}= 0,5Ω

2100

E _{Ki van kapcsolva.}

A kikapcsolt energiaveszteség

2400

t _{a következők:}

Beállítási késleltetési idő

750

E _A

Beállítási energiaveszteség

1450

Q _r

Diódás fordított visszanyerő töltés

Én... _F= 2400A
V. _CE= 900V
diF/dt =10000A/us

1150

μC

Én... _r

Diódás fordított visszanyerő áram

1250

E _{a felvétel}

Diódák visszafordított energiatermelése

1550

T eSET = 150°C, kivéve ha másikképpen van megfogalmazva