TIM500GDM33-PSA011 Új Eredeti CRRC IGBT Teljesítményű Modul Diszkrét Szemiconductortranszisztor Lépcsőzetes szabályozók Inverzorok/Konverterek Vezetékek

Vállalati profil

A Beijing World E To Technology Co., Ltd. egy technológia-alapú cég import- és exportminőségekkel, amely innováció és kiválóság elvein alapul, és a szemiconductorköri alternatív megoldások és technológiák csúcspontján áll. Főként szemikondutor terméktervezésben, szerződéses testreszabásban és disztribúcióban foglalkozik. Szigorú követelményeket támasztunk a közreműködési partnereink kiválasztására; csak olyan technológiai cégekkel és gyártókkal működünk együtt, amelyek első osztályú tervezési és gyártási technológiával rendelkeznek. A gyár automatikus átviteli sorok optimalizálásának testreszabása egy másik fontos része szerződéses gyártásunknak.

Mi termékek

1	IGBT modul és Vezető
2	IGCT modul és Vezető
3	Inverter magpanel
4	Diódás modul
5	Tirisztor modul
6	Áramérzékelő
7	Képesítőszer
8	Ellenállás
9	Szilárdtestes relé
10	Ipari robotok és Alaprészek
11	Civilek inga repülőgépek és Alaprészek

Termékek leírása

Jellemzők

(1) AISiC alaplemez magas teljesítményű ciklizációs képesség
(2) AIN Alsóhajtatók alacsony hőellenállásért
(3) Magas Hőmérsékleti Ciklizálási Képesség
(4) Magas áramsűrűség

(5) 10μs rövid áramáramellenállás
(6) Alacsony VCEsat

Tipikus alkalmazások

(1) Húzóhajtóművek
(2) Motorvezérlők
(3) Lépcsőzők
(4) Középfeszültségű inverterek/konverterek

TIM500GDM33 -PSA011

YMIBD500-33

3300V/500A Magas feszültségű IGBT modulok

Kulcs Paraméterek

Szimbólum	Leírás	Érték	Egység
V. _{A CES}		3300	V.
V. _{CE (szombat)}	- Tipikus.	2.4	V.
Én... _C	- Max, kérlek!	500	A
Én... _{A CM}	ICRM	1000	A

Abszolút maximális minősítés

Szimbólum	Leírás	Érték	Egység
V. _{A CES}	A kollektor-kibocsátó feszültség	3300	V.
V. _GES	Kapu-kibocsátó feszültség	±20	V.
Én... _C	Gyűjtőáram @ T _C=100℃	500	A
Én... _{A CM}	Impulzus szállító áramerősség, tp=1ms, Tc=140°C	1000	A
P _tot	Teljes hőelengedés, TC=25°C, kapcsolóra (IGBT)	5200	W
Én... ²t	Diod I ²t ,VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150°C	80	kA ²s
V. _{az önálló}	1 perc, f=50 Hz	6000	V.
t _psc	IGBT Rövidzárlati SOA VCC=2500V,VCEMCHIP≤3300V VGE≤15V,Tvj≤125°C	10	μs
Én... _F	DC előre irányuló áram	500	A
Én... _{A FRM}	Csúcselőáram, tp=1ms	1000	A
Q _PD	Részleti feltöltés, V1= 3500V ,V2= 2600V, 50Hz RMS,TC=25°C(IEC 61287)	10	pC
Szerelési nyomatékok	M _SRögzítés – M6	5	Nm
		M _T1Elektromos csatlakozások M4		2
		M _T2Elektromos csatlakozások M8		8

Dióda Jellemző Értékek

Szimbólum	Paraméter	A vizsgálati feltételek	Min.	a típus	- Max, kérlek!	Érték		Egység
V. _F	Előre Feszültség IF =500A	Tvj = 25 °C		2.10	2.60	V.		℃
				Tvj = 125 °C		2.25	2.7	V.		℃
				Tvj = 15 0°C		2.25	2.7	V.		℃
Én... _r	Visszafelé Helyreállító Áram Én... _F=500A V. _CC=1800V, diF/dt=2100A/μs	Tvj = 25 °C		420		A
				Tvj = 125 °C			460		A		V.
				Tvj = 150 °C			490
Q _r	Helyreállított töltés Én... _F=500A V. _CC=1800V, diF/dt=2100A/μs	Tvj = 25 °C		390		μC
				Tvj = 125 °C			620
				Tvj = 150 °C			720
E _{a felvétel}	Visszafelé nyert energia Én... _F=500A V. _CC=1800V, diF/dt=2100A/μs	Tvj = 25 °C		480		mJ
				Tvj = 125 °C			760
				Tvj = 150 °C			900

IGBT jellemző értékei

Szimbólum	Paraméter	A vizsgálati feltételek	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egység
_{V. _CEsat}	Gyűjtő-kiárami sátrálási feszültség.I _C=500A,V _{Általános energia}=15V	Tvj= 25°C		2.40	2.90	V.
				Tvj= 125°C		2.95	3.40	V.
				Tvj= 150°C		3.10	3.60	V.
Én... _GES	A kapu szivárgási áram	V. _CE=0V, V _{Általános energia}=±20V, Tvj=25°C	-500		500	nA
V. _{GE (TH)}	Gát-Kibocsátó Küszöb Feszültség	Én... _C=40mA, V _CE=V _{Általános energia}, Tvj=25°C	5.5	6.1	7.0	V.
Én... _{A CES}	Szüneti feszültség kolektor-emiterek között.V _CE=3300V, V _{Általános energia}=0V	Tvj= 25°C			1	mA
				Tvj= 125°C			30	mA
				Tvj = 150 °C			50	mA
Én... _{A sz.}	Rövid áram	tpsc ≤ 10μs, VGE =15V, Tvj = 150°C,VCC= 2500V		250		A
Én... _{A FRM}	Diód csúcs előre áram	t _P= 1ms		500		A
t _{a következők:}	Beállítási késleltetési idő	Tvj = 25 °C		650		cs
				Tvj = 125 °C		630		cs
				Tvj = 150 °C		620		cs
t _d(ki)	A kikapcsoló késleltetési idő	Tvj = 25 °C		1720		cs
				Tvj = 125 °C		1860		cs
				Tvj = 150 °C		1920		cs
Én... _{A sz.}	Rövid áram	t _psc≤ 10μs, V _{Általános energia}=15V, T _vj= 150°C,V _CC= 2500V		1800		A
A csúcs	Bevezető kapacitás	V. _CE=25V,V _{Általános energia}=0V,f=1MHz,Tvj=25°C		90		nF
Qg	Kapu díj	C=500A,V _CE=1800V,V _{Általános energia}=-15V…15V		5.0		μC
Cres	Visszafordító kapacitás	V. _CE=25V,V _{Általános energia}=0V,f=1MHz,Tvj=25°C		2		nF
E _a	Kapcsolási veszteség energia bekapcsoláskor Tvj = 25 °C Tvj = 125 °C Tvj = 150 °C	V. _CC=1800V, I _C=500A, RG(ON)=3.0Ω RG(OFF)=4.5Ω,C _{Általános energia}=100nF,V _{Általános energia}=±15V L _δ=150nH		730		nH
							880		mJ
							930
E _{ki van kapcsolva.}	Kapcsolási veszteség energia kikapcsoláskor Tvj = 25 °C Tvj = 125 °C Tvj = 150 °C				780		mJ
							900
							1020

Miért Választ minket

1. csak első osztályú technológiát használó kínai gyártók termékeit osztjuk el. Ez a kulcsfontosságú intézkedésünk.
2. Szigorú követelményeket támaszunk a gyártók kiválasztására.
3. Meg tudjuk kínálni az ügyfeleinknek alternatív megoldásokat Kínából.
4. Van egy felelős csapatunk.

Termékcsomagolás