Az alibabától

TIM250PHM33-PSA011 IGBT Modul Tranzisztor kaptáros inverterekhez Új és eredeti kaptáros CRRC IGBT hatalomsupply

TIM250PHM33-PSA011 IGBT Modul Tranzisztor kaptáros inverterekhez Új és eredeti kaptáros CRRC IGBT hatalomsupply

Bevezetés

Vállalati profil

A Beijing World E To Technology Co., Ltd. egy technológiai vállalat, amely import- és exportminőségekkel rendelkezik, alapítva innovációra és kiválóságra vonatkozó elveken, a szemiconduktor szemiconduktor alternatív megoldások és technológiák élén áll. Specializálódik a szemiconduktor terméktervezésben, szerződéses testreszabásban és disztribúcióban. Szigorú követelményeket tűzünk fel a közreműködő partnereink kiválasztására, csupán olyan technológiai cégekkel és gyártókkal működünk együtt, amelyek első osztályú tervezési és gyártási technológiával rendelkeznek. Az optimizáció testreszabása az üzemanyagátadási sorok automatizálása másik fontos része szerződéses gyártásunknak.

Mi termékek

1	IGBT modul és Vezető
2	IGCT modul és Vezető
3	FRD modul
4	Diódás modul
5	Tirisztor modul
6	Áramérzékelő
7	Képesítőszer
8	Ellenállás
9	Szilárdtestes relé
10	Ipari robotok és Alaprészek
11	Civilek inga repülőgépek és Alaprészek

Termékek leírása

Jellemzők

(1) AISiC alaplemez
(2) AIN Alsóhajtatók
(3)Magas hőciklik képesség
(4) 10μs Rövid áram útvonalának bíráltsága

Tipikus alkalmazások

(1) Húzósegédeszközök
(2) Motorvezérlők
(3) Lépcsőzők
(4)Magas Megbízhatóságú Inverter

TIM250PHM33-PSA011

3300V/250A Félhíd IGBT

Kulcs Paraméterek

Szimbólum	Leírás	Érték	Egység
V. _{A CES}		3300	V.
V. _{CE (szombat)}	- Tipikus.	2.5	V.
Én... _C	- Max, kérlek!	250	A
Én... _C(RM)	IC ((RM)	500	A

Abszolút maximális minősítés

Szimbólum	Leírás	Érték	Egység
V. _{A CES}	A kollektor-kibocsátó feszültség	3300	V.
V. _GES	Kapu-kibocsátó feszültség	±20	V.
Én... _C	Gyűjtőáram @ T _C=100℃	250	A
Én... _{C (((PK)}	Pulzáló gyűjtőáram t _p=1 ms	500	A
P _max.	Max. transzisztor-energia-szennyezés Tvj = 150 °C, TC = 25 °C	2600	W
Én... ²t	Diod I ²t V. _R=0V, t _P= 10ms, Tvj = 150 °C	20	kA ²s
V. _{az önálló}	Elszigetelési feszültség modulonként (Közös csatlakozások a tálcához), AC RMS,1 perc, 50Hz,TC= 25 °C	6000	W
Q _PD	Részleges kiürítés modulonként IEC1287.V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS	10	pC

Hő- és mechanikai adatok

Szimbólum	Magyarázat	Érték	Egység
A csúszó távolság	Terminál a fűtőszinkre	33.0	mm
A csúszó távolság		Terminál a terminálra	33.0	mm
Felmentés	Terminál a fűtőszinkre	20.0	mm
Felmentés		Terminál a terminálra	20.0	mm
CTI (Összehasonlító nyomkövetési index)	Dióda maximális előre irányuló áram t _p=1 ms	＞600

Hő- és mechanikai adatok

Szimbólum	Paraméter	A vizsgálati feltételek	Min.	- Max, kérlek!	Érték		Egység
R _{th(J-C) IGBT}	Hőellenállás – IGBT			48	K / kW		℃
R _{th(J-C) Dioda}	Hőellenállás – Dioda			80	K / kW		℃
R _{th(C-H) IGBT}	Hőellenállás – ház és hűtőborda (IGBT)	Szerelési nyomaték 5Nm, szerelési zsírral 1W/m·°C		18	K / kW		℃

R _{th(C-H) Dioda}	Hőellenállás – ház és hűtőborda (Dióda)	Szerelési nyomaték 5Nm, szerelési zsírral 1W/m·°C		36	K / kW		V.
T _{vj op}	A csatlakozó üzemfoka hőmérséklete	IGBT	-40	150	°C
T _{vj op}	A csatlakozó üzemfoka hőmérséklete			Diódák	-40	150	°C
M	Csavar nyomaték	A felszerelés M6		5	nm
M			Elektromos kapcsolatok – M5		4	nm

Elektromos jellemzők

Szimbólum	Paraméter	A vizsgálati feltételek	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egység
Én... _{A CES}	A kollektor leállító áramát	V. _{Általános energia}= 0V,V _CE= V _{A CES}			1	mA
				V. _{Általános energia}= 0V, V _CE= V _{A CES}, T _C= 125 °C			15	mA
				V. _{Általános energia}= 0V, V _CE= V _{A CES}, T _C= 150 °C			25	mA
Én... _GES	A kapu szivárgási áram	V. _{Általános energia}= ±20V, V ^CE= 0V			1	μA
V. _{GE (TH)}	A kapcsoló küszöbfeszültség	Én... _C= 20mA, V _{Általános energia}= VCE	5.5	6.1	7.0	V.
VCE _(sat)	Gyűjtő-Kibocsátó Telítési Feszültség	A VGE = 15V, IC = 250A
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C
Én... _F	Diódás előre áram	DC		250		A
Én... _{A FRM}	Diód csúcs előre áram	t _P= 1ms		500		A
V. _F	Diódás előrehajtás	Én... _F= 250A, V _{Általános energia}= 0		2.10	2.40	V.
				Én... _F= 250A, V _{Általános energia}= 0, T _vj= 125 °C		2.25	2.25	V.
				Én... _F= 250A, V _{Általános energia}= 0, T _vj= 150 °C		2.25	2.25	V.
Én... _{A sz.}	Rövid áram	T _vj= 150° C, V _CC= 2500V, V. _{Általános energia}≤15V, tp≤10μs, V. _CE(max) = V _{A CES}– L (*2)×di/dt, IEC 6074		900		A
A csúcs	Bevezető kapacitás	VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz		27		nF
Qg	Kapu díj	±15		2.6		V.
Cres	Visszafordító kapacitás	VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz		0.9		nF
L _M	Modul induktivitás			40		nH
R _{A székhely}	Belső transzistor ellenállás			0.5		mΩ

Miért Választ minket

1. csak első osztályú technológiát használó kínai gyártók termékeit osztjuk el. Ez a kulcsfontosságú intézkedésünk.
2. Szigorú követelményeket támaszunk a gyártók kiválasztására.
3. Meg tudjuk kínálni az ügyfeleinknek alternatív megoldásokat Kínából.
4. Van egy felelős csapatunk.

Termékcsomagolás