Az alibabától

CRRC TG1000HF17H1-S300 IGBT Modul 1700V Inverterek Konverterek Mozgatóerők Eredeti Új Szélenergiakutatók Diszkrét Szemikonzductor Modulok

CRRC TG1000HF17H1-S300 IGBT Modul 1700V Inverterek Konverterek Mozgatóerők Eredeti Új Szélenergiakutatók Diszkrét Szemikonzductor Modulok

Bevezetés

Vállalati profil

A Beijing World E To Technology Co., Ltd. egy technológiai vállalat, amely import- és exportminőségekkel rendelkezik, alapítva innovációra és kiválóságra vonatkozó elveken, a szemiconduktor szemiconduktor alternatív megoldások és technológiák élén áll. Specializálódik a szemiconduktor terméktervezésben, szerződéses testreszabásban és disztribúcióban. Szigorú követelményeket tűzünk fel a közreműködő partnereink kiválasztására, csupán olyan technológiai cégekkel és gyártókkal működünk együtt, amelyek első osztályú tervezési és gyártási technológiával rendelkeznek. Az optimizáció testreszabása az üzemanyagátadási sorok automatizálása másik fontos része szerződéses gyártásunknak.

Mi termékek

1	IGBT modul és Vezető
2	IGCT modul és Vezető
3	Inverter magpanel
4	Diódás modul
5	Tirisztor modul
6	Áramérzékelő
7	Képesítőszer
8	Ellenállás
9	Energia tárolási rendszer
10	Ipari robotok és Alaprészek
11	Civilek inga repülőgépek és Alaprészek

Termékek leírása

Jellemzők

(1) AISiC alaplemez magas teljesítményű ciklizációs képesség
(2) Cu alaplemez
(3) Magas Hőmérsékleti Ciklizálási Képesség
(4) Magas áramsűrűség

(5) 10μs rövid áramáramellenállás
(6) Alacsony VCEsat

Tipikus alkalmazások

(1) Motor meghajtók
(2) Nagy teljesítményű átalakítók
(3) Szélturbinák
(4) Magas megbízhatóságú inverter

TG1000HF17H1-S300

1700V/1000A Félhíd IGBT

Kulcs Paraméterek

Szimbólum	Leírás	Érték	Egység
V. _{A CES}		1200	V.
V. _{CE (szombat)}	- Tipikus.	1.85	V.
Én... _C	- Max, kérlek!	1000	A
IC ((RM)	- Max, kérlek!	2000	A

Abszolút maximum értékek ( Tcase = 25°C, kivéve ha másik meg van adva )

Szimbólum	Leírás	Érték	Egység
V. _{A CES}	A kollektor-kibocsátó feszültség	1700	V.
V. _GES	Kapu-kibocsátó feszültség	±20	V.
Én... _C	Szivárvány áramerősség @ Tcase = 90 °C	1000	A
Én... _{C (((PK)}	Maximális szivárvány áramerősség, tp=1ms, Tcase = 110 °C	2000	A
P _max.	Max. tranzisztor teljesítmény disszipáció, Tvj = 150°C, Tcase = 25 °C	6250	W
Én... ²t	Diod I ²t ,V _R=0V, t _P= 10ms, T _vj= 150°C	144	kA ²s
V. _{az önálló}	(Közös terminálok a táblahegyezéshez), AC RMS, 1 perc, 50Hz	4000	V.
Én... _F	Dioda előrébbi áram, DC	1000	A
Én... _{A FRM}	Dioda maximális előrébbi áram, tp=1ms	2000	A
Szerelési nyomatékok	Rögzítés – M5	6	Nm
	Rögzítés – M5	6
		Elektromos csatlakozások M8		10

Elektromos jellemzők

Szimbólum

Paraméter

A vizsgálati feltételek

Min.

a típus

- Max, kérlek!

Érték

Egység

V. _F

Diódás előrehajtás

Én... _F=1000A，V _GE = 0, Tvj = 25 °C

1.80

2.20

Én... _F=1000A，V _{Általános energia}= 0, Tvj = 125 °C

1.90

2.30

Én... _F=1000A，V _{Általános energia}= 0, Tvj = 125 °C

1.90

2.30

Én... _{A FRM}

Diód csúcs előre áram

t _P= 1ms

2000

Én... _F

Dioda előrébbi áram,

1000

A következők:

Diódás vissza
visszanyerési áram

HA =1000A,
VCE = 900V,
- dHA/dt = 7200A/usz
(Tvj= 150 °C).

@Tvj= 25 °C

@Tvj= 125 °C

@Tvj= 150 °C

520

620

655

Qrr

Diódás vissza
behajtási díj

285

μC

315

340

E _{a felvétel}

Diódák visszafordított energiatermelése

HA =900A,
VCE = 600V,
- dHA/dt = 6800A/usz
(Tvj= 150 °C).@Tvj= 25 °C
@Tvj= 125 °C
@Tvj= 150 °C

110

235

240

Elektromos jellemzők

Szimbólum	Paraméter	A vizsgálati feltételek	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egység
V. _{CE (sátáció)}	Gyűjtő-Kibocsátó Telítési Feszültség	V. _{Általános energia}=15V, I _C= 900A,T _vj= 25°C		1.75	2.15	V.
				V. _{Általános energia}=15V, I _C= 900A,T _v.j= 125°C			2.1	2.5
				V. _{Általános energia}=15V, I _C= 900A,T _vj= 150°C			2.2	2.6
Én... _{A CES}	A kollektor leállító áramát	V. _{Általános energia}=15V, I _C= 900A,Tvj= 25°C			1	mA
				V. _{Általános energia}=15V, I _C= 900A,Tvj= 125°C				10
				V. _{Általános energia}=15V, I _C= 900A,Tvj= 150°C				20
Én... _GES	A kapu szivárgási áram	V. _CE=0V, V _{Általános energia}= ±20V,			4	μA
V. _{GE (TH)}	Gát-Kibocsátó Küszöb Feszültség	Én... _C= 40mA, V _{Általános energia}= V _CE	5.0	6.0	7.0	V.
t _{a következők:}	Beállítási késleltetési idő @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IC =1000A, VCE = 900V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 1,8Ω, LS = 20nH, dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C). @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C		1320		cs
								1410
								1440
csv (ki)	A kikapcsoló késleltetési idő @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IC =1000A, VCE = 900V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 1,8Ω, LS = 20nH, dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C). @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C		500		cs
								470
								450
Én... _{A sz.}	Rövid áram	Tvj= 150°C, V _CC= 800V, V. _{Általános energia}≤15V, tp≤10μs, V. _CE(max)= VCES –L(*2)×di/dt, IEC 6074-9		3800		A
A csúcs	Bevezető kapacitás	V. _CE= 25V, V _{Általános energia}= 0V, f = 100kHz		147		nF
Cres	Visszafordító kapacitás	V. _CE= 25V, V _{Általános energia}= 0V, f = 100kHz		1.5		nF
Qg	Kapu díj	±15V		11.4		μC
E _a	Beállítási energiaveszteség @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	HA =1000A, VCE = 900V, - dHA/dt = 7200A/usz (Tvj= 150 °C).		340		mJ
								370
								385
E _{ki van kapcsolva.}	Kapcsolási veszteség energia kikapcsoláskor @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IIF =1000A, VCE = 900V, - dHA/dt = 7200A/usz (Tvj= 150 °C).		350		mJ
								360
								385

Miért Választ minket

1. csak első osztályú technológiát használó kínai gyártók termékeit osztjuk el. Ez a kulcsfontosságú intézkedésünk.
2. Szigorú követelményeket támaszunk a gyártók kiválasztására.
3. Meg tudjuk kínálni az ügyfeleinknek alternatív megoldásokat Kínából.
4. Van egy felelős csapatunk.

Termékcsomagolás