Az alibabától

CRRC 1700V 2400A Nagyfeszültségű IGBT Modul TIM2400ESM17-TSA000 Új/Eredeti Okos Hálózati Energiamodul Csakító Inverter Konverter

CRRC 1700V 2400A Nagyfeszültségű IGBT Modul TIM2400ESM17-TSA000 Új/Eredeti Okos Hálózati Energiamodul Csakító Inverter Konverter

Bevezetés

Vállalati profil

A Beijing World E To Technology Co., Ltd. egy technológiai vállalat, amely import- és exportminőségekkel rendelkezik, innováció és kiválóság elvein alapulóan megalapítva, a szemiconductorköri alternatív megoldások és technológiák élén jár. Főként a szemikondutor terméktervezésben, szerződéses testreszabásban és disztribúcióban foglalkozik. Szigorú követelményeket tűzünk fel a közreműködő partnereink kiválasztásakor; csupán az első osztályú tervezési és gyártási technológiával rendelkező technológiai cégekkel és gyártókkal működünk össze. A gyár automatikus átviteli sorok optimalizálásának testreszabása egy másik fontos része szerződéses gyártásunknak. .

Mi termékek

1	IGBT modul és Vezető
2	IGCT modul és Vezető
3	Inverter magpanel
4	Diódás modul
5	Tirisztor modul
6	Áramérzékelő
7	Képesítőszer
8	Ellenállás
9	Szilárdtestes relé
10	Ipari robotok és Alaprészek
11	Civilek inga repülőgépek és Alaprészek

Termékek leírása

Jellemzők

(1) AISiC alaplemez
(2) AIN Alsóhajtatók
(3) Magas Hőmérsékleti Ciklizálási Képesség
(4) 10μs Rövid áram útvonalának bíráltsága

(5) Alacsony Vce(sat) eszköz

(6) Magas áramsűrűség

Tipikus alkalmazások

(1) Húzóhajtóművek
(2) Motorvezérlők
(3) Okos hálózat
(4)Magas Megbízhatóságú Inverter

TIM2400ESM17-TSA000

YMIF2400-17（E）

1700V/2400A Egyes Váltó IGBT

Kulcs Paraméterek

Szimbólum	Leírás	Érték	Egység
V. _{A CES}		1700	V.
V. _{CE (szombat)}	- Tipikus.	1.75	V.
Én... _C	- Max, kérlek!	2400	A
Én... _C(RM)	IC ((RM)	4800	A

Abszolút maximális minősítés

Szimbólum	Paraméter	A vizsgálati feltételek	Érték	Egység
V. _{A CES}	A kollektor-kibocsátó feszültség	V. _{Általános energia}= 0V, T _C= 25 °C	1700	V.
V. _GES	Kapu-kibocsátó feszültség	T _C= 25 °C	±20	V.
Én... _C	A kollektor-kibocsátó áram	T _C= 75°C	2400	A
Én... _{C (((PK)}	A kollektor csúcsárama	t _P=1 ms	4800	A
P _max.	Max. transzisztor-energia-szennyezés	Tvj= 150°C, TC= 25 °C	19200	W
Én... ²t	Diod I ²t	V. _R=0V, t _P= 10ms, Tvj= 150 °C	1170	kA ²s
Visol	Elválasztó feszültség – modulonként	(Közös terminálok az alaplaphoz), AC RMS, 1 perc, 50Hz, T _C= 25 °C	4000	V.
Q _PD	Részletesebb Feltöltés – modulonként	IEC1287. V1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS	10	pC

Hő- és mechanikai adatok

Szimbólum	Paraméter	A vizsgálati feltételek	Min.	- Max, kérlek!	Érték		Egység
R _{th(J-C) IGBT}	Hőellenállás – IGBT			6.5	K / kW		℃
R _{th(J-C) Dioda}	Hőellenállás – Dioda			13	K / kW		℃
R _{th(C-H) IGBT}	Hőellenállás – ház és hűtőborda (IGBT)	Szerelési nyomaték 5Nm, szerelési zsírral 1W/m·°C		6	K / kW		℃
T _vj	A csatlakozó üzemfoka hőmérséklete	IGBT	-40	150	°C
T _vj	A csatlakozó üzemfoka hőmérséklete			Diódák	-40	150	°C
M	Csavar nyomaték	A felszerelés M6		5	nm
				Elektromos kapcsolatok – M4		2	nm
				Elektromos kapcsolatok – M8		10	nm

Elektromos jellemzők

Szimbólum	Paraméter	A vizsgálati feltételek	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egység
Én... _{A CES}	A kollektor leállító áramát	V. _{Általános energia}= 0V,V _CE= V _{A CES}			1	mA
				V. _{Általános energia}= 0V, V _CE= V _{A CES}, T _C= 125 °C			40	mA
				V. _{Általános energia}= 0V, V _CE= V _{A CES}, T _C= 150 °C			60	mA
Én... _GES	A kapu szivárgási áram	V. _{Általános energia}= ±20V, V _CE= 0V			1	μA
V. _{GE (TH)}	A kapcsoló küszöbfeszültség	Én... _C= 40mA, V _{Általános energia}= V _CE	5.0	6.0	7.0	V.
V. _{CE (sátáció)}	Gyűjtő-Kibocsátó Telítési Feszültség	VGE=15V, IC= 1200A,Tvj = 25 °C		1.75		V.
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C		1.95		V.
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 150 °C		2.05		V.
Én... _F	Diódás előre áram	DC		2400		A
Én... _{A FRM}	Diód csúcs előre áram	t _P= 1ms		4800		A
V. _F	Diódás előrehajtás	Én... _F= 250A, V _{Általános energia}= 0		1.65		V.
				Én... _F= 250A, V _{Általános energia}= 0, T _vj= 125 °C		1.75		V.
				Én... _F= 250A, V _{Általános energia}= 0, T _vj= 150 °C		1.75		V.
Én... _{A sz.}	Rövid áram	Tvj= 150°C, V _CC= 1000V, V. _{Általános energia}≤15V, tp≤10μs, V. _CE(max)= V _{A CES}–L(*2)×di/dt, IEC 6074-9		12000		A
A csúcs	Bevezető kapacitás	V. _CE= 25V, V _{Általános energia}= 0V, f = 100kHz		400		nF
Qg	Kapu díj	±15		19		μC
Cres	Visszafordító kapacitás	V. _CE= 25V, V _{Általános energia}= 0V, f = 100kHz		3.0		nF
L _M	Modul induktivitás			10		nH
R _{A székhely}	Belső transzistor ellenállás			110		mΩ

T eSET = 25°C amíg más nem szabályozott

Szimbólum

Paraméter

A vizsgálati feltételek

Min.

A típus

Max.

Egység

t _d(ki)

A kikapcsoló késleltetési idő

Én... _C= 2400A
V. _CE= 900V
L _S~ 50nH
V. _{Általános energia}= ±15V
R _{G (((ON)}= 0,5Ω
R _{G ((OFF)}= 0,5Ω

2320

E _{Ki van kapcsolva.}

A kikapcsolt energiaveszteség

500

t _{a következők:}

Beállítási késleltetési idő

1050

E _A

Beállítási energiaveszteség

410

Q _r

Diódás fordított visszanyerő töltés

Én... _F= 2400A
V. _CE= 900V
diF/dt =10000A/us

480

μC

Én... _r

Diódás fordított visszanyerő áram

1000

E _{a felvétel}

Diódák visszafordított energiatermelése

320

T eSET = 150°C, kivéve ha másikképpen van megfogalmazva