Rövid bevezetés
A tirisztor/diódamódul e, MTx800 MFx800 MT800 ,8 00A ,Vízhűtés ，a TECHSEM készítette.
Rövid bevezetés
A tirisztor/diódamódul e, MTx 800 MFx 800 MT 800，800A ,Vízhűtés ，a TECHSEM készítette.
VDRM VRRM, |
Típus és körvonal |
800V |
MT3 a székhelyűek |
MFx800-08-414S3 |
1000V |
MT3 a székhelyűek |
A következők: |
1200V |
MT3 a székhelyűek |
A következők: |
1400V |
MT3 a székhelyűek |
A MFx800-14-414S3 |
1600V |
MT3 a székhelyűek |
A MFx800-16-414S3 |
1800V |
MT3 a székhelyűek |
A MFx800-18-414S3 |
1800V |
MT4számítástechnikai módszer |
|
MTx minden típusú MTC, MTA , MTK
Az MFx minden típusú MFC, A külügyminisztérium, MFK
Jellemzők
- Izolált rögzítőalap 3000V~
- Nyomásérintkezős technológia
- Megnövelt teljesítményciklus képesség
- Hely- és súlymegtakarítás
Tipikus alkalmazások
- AC/DC motormeghajtók
- Különböző egyenirányítók
- Egyenes áramellátás PWM inverterhez
|
Szimbólum
|
A tulajdonságok
|
A vizsgálati feltételek
|
Tj(℃) |
Érték |
Egység
|
Min. |
Típus |
Max. |
IT ((AV) |
Átlagos bekapcsolt állapotú áram |
180。fél szinus hullám 50 Hz Egyszintes hűtött oldalon, Tc=55°C |
125
|
|
|
800 |
A |
IT(RMS) |
RMS bekapcsolt állapotú áram |
180° fél szinuszos hullám 50Hz |
|
|
1256 |
A |
Idrm Irrm |
Ismétlődő csúcsáram |
vDRM-nél VRRM-nél |
125 |
|
|
120 |
mA |
ITSM |
Túlfeszültség bekapcsolt állapotú áram |
10 ms fél sinus hullám, VR=0V |
125
|
|
|
16 |
kA |
I2t |
I2t az olvadási koordinációhoz |
|
|
1280 |
A 2s* 10 3 |
VTO |
Küszöbfeszültség |
|
135
|
|
|
0.80 |
V. |
rt |
Bekapcsolt állapotú lejtési ellenállás |
|
|
0.26 |
mΩ |
VTM |
Csúcs bekapcsolt állapotú feszültség |
ITM= 1500A |
25 |
|
|
1.45 |
V. |
dv/dt |
Kritikus feszültségnövekedési sebesség kikapcsolt állapotban |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
Kritikus emelkedési sebesség a bekapcsolt állapotú áramra |
Kapu forrás 1.5A
tr ≤0.5μs Ismétlődő
|
125 |
|
|
200 |
A/μs |
tgd |
Kapuvezérelt késleltetési idő |
IG= 1A dig/dt=1A/μs |
25 |
|
|
4 |
μs |
tq |
Áramkör által vezérelt kikapcsolási idő |
ITM=800A, tp=2000μs, VR =50V dv/dt=20V/μs,di/dt=-10A/μs |
125 |
|
250 |
|
μs |
IGT |
Kapu indító áram |
VA= 12V, IA= 1A
|
25
|
30 |
|
250 |
mA |
Vgt. |
Kapu indító feszültség |
0.8 |
|
3.0 |
V. |
IH |
Tartó áram |
10 |
|
300 |
mA |
A II. |
Rögzítő áram |
A vizsgált anyagokat a következők alapján kell vizsgálni: |
25 |
|
|
1500 |
mA |
VGD |
Nem indító kapu feszültség |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.25 |
V. |
IGD |
Nem indító porták áram |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
5 |
mA |
Rth(j-c) |
Hőellenállás csatlakozótól a házig |
Egyoldali hűtés chipenként |
|
|
|
0.065 |
℃/W |
Rth(c-h) |
Hőellenállás a háztól a hűtőbordáig |
Egyoldali hűtés chipenként |
|
|
|
0.020 |
℃/W |
VISO |
Szigetelési feszültség |
50Hz, R.M.S, t= 1min, Iiso:1mA(MAX) |
|
3000 |
|
|
V. |
|
FM
|
Terminál csatlakozási nyomaték (M10) |
|
|
10.0 |
|
12.0 |
N·m |
Rögzítési nyomaték (M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N·m |
Tvj |
Kötési hőmérséklet |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
TSTG |
Tárolási hőmérséklet |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Súly |
|
|
|
2100 |
|
g |
Az ábrázolás |
414S3 |
EN
