GD75HFX170C1S, IGBT Modul, STARPOWER

Bevezetés

Rövid bevezetés

IGBT modul ,a következők által gyártott STARPOWER . 1700V 75A.

Jellemzők

Alacsony VCE(sat) árok IGBT technológia
10 μs rövidzárlat-képesség
VCE (sat) pozitív hőmérsékleti együtthatóval
Maximális csatoponti hőmérséklet 175 ℃
Alacsony induktancia
Gyors és puha fordított helyreállítási anti-párhuzamos FWD
DBC technológiát használó, szigetelt réz alaplemez

Tipikus alkalmazások

Inverter motor meghajtáshoz
AC és DC szervó meghajtó erősítő
Folyamatlan Ultraszintű Áramellenállás

Abszolút Legfeljebb Szabályozás T F =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

IGBT

Szimbólum	Leírás	Érték	Egység
V. A CES	A kollektor-kibocsátó feszültség	1700	V.
V. GES	Kapu-kibocsátó feszültség	±20	V.
Én... C	Gyűjtőáram @ T C =25 o C @ T C =100 o C	136 75	A
Én... A CM	Pulzáló gyűjtőáram t p =1 ms	150	A
P M	Legfeljebb Teljesítmény Disszipáció @ T vj =175 o C	539	W

Diódák

Szimbólum	Leírás	Érték	Egység
V. RRM	Ismétlődő csúcs fordított volt kor	1700	V.
Én... F	Diódák folyamatos előrecsatlakozó Cu áram	75	A
Én... FM	Dióda maximális előre irányuló áram t p =1 ms	150	A

Modul

Szimbólum	Leírás	Érték	Egység
T vjmax	A csatlakozás maximális hőmérséklete	175	o C
T vjop	A csatlakozó üzemfoka hőmérséklete	-40 és +150 között	o C
T STG	Tárolóhőmérséklet-tartomány	-40 és +125 között	o C
V. ISO-k	Izolációs feszültség RMS,f=50Hz,t= 1perc	4000	V.

IGBT A tulajdonságok T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

Szimbólum	Paraméter	A vizsgálati feltételek	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egység
V. CE (szombat)	A gyűjtő a kibocsátóhoz Telítettség	Én... C = 75A,V Általános energia =15V, T vj =25 o C		1.85	2.20	V.
		Én... C = 75A,V Általános energia =15V, T vj = 125 o C		2.25
		Én... C = 75A,V Általános energia =15V, T vj =150 o C		2.35
V. Általános energia (a )	A kapcsoló-kibocsátó küszöbértéke Feszültség	Én... C =3.0 mA ,V. CE = V. Általános energia , T vj =25 o C	5.6	6.2	6.8	V.
Én... A CES	Gyűjtő Vágás -Ki van kapcsolva. A jelenlegi	V. CE = V. A CES ,V. Általános energia =0V, T vj =25 o C			5.0	mA
Én... GES	A kapuk kibocsátójának szivárgása A jelenlegi	V. Általános energia = V. GES ,V. CE =0V, T vj =25 o C			400	nA
R Gint	Belső kapu ellenállás			8.5		ó
C a)	Bevezető kapacitás	V. CE = 25V, f=1Mhz, V. Általános energia =0V		9.03		nF
C res	Visszafordítás A kapacitás	V. CE = 25V, f=1Mhz, V. Általános energia =0V		0.22		nF
Q G	Kapu díj	V. Általános energia =-15 …+15V		0.71		μC
t m (a )	Beállítási késleltetési idő	V. CC =900V,I C = 75A, R G =6,8Ω,V Általános energia =±15V, LS = 60 nH ,T vj =25 o C		237		cs
t r	Felemelkedési idő			59		cs
t d(ki)	Kiállás Késésítési idő			314		cs
t f	Őszidő			361		cs
E a	Beállítva Átváltás Veszély			25.0		mJ
E ki van kapcsolva.	Kiállító kapcsoló Veszély			9.5		mJ
t m (a )	Beállítási késleltetési idő	V. CC =900V,I C = 75A, R G =6,8Ω,V Általános energia =±15V, LS = 60 nH ,T vj = 125 o C		254		cs
t r	Felemelkedési idő			70		cs
t d(ki)	Kiállás Késésítési idő			383		cs
t f	Őszidő			524		cs
E a	Beállítva Átváltás Veszély			33.3		mJ
E ki van kapcsolva.	Kiállító kapcsoló Veszély			15.1		mJ
t m (a )	Beállítási késleltetési idő	V. CC =900V,I C = 75A, R G =6,8Ω,V Általános energia =±15V, LS = 60 nH ,T vj =150 o C		257		cs
t r	Felemelkedési idő			75		cs
t d(ki)	Kiállás Késésítési idő			396		cs
t f	Őszidő			588		cs
E a	Beállítva Átváltás Veszély			36.9		mJ
E ki van kapcsolva.	Kiállító kapcsoló Veszély			16.6		mJ
Én... A sz.	SC-adatok	t P ≤10μs, V. Általános energia =15V, T vj =150 o C ,V. CC =1000V V. A CEM ≤1700V		300		A

Diódák A tulajdonságok T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

Szimbólum	Paraméter	A vizsgálati feltételek	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egység
V. F	Előrehajtó diódák Feszültség	Én... F = 75A,V Általános energia =0V,T vj =2 5o C		1.80	2.25	V.
		Én... F = 75A,V Általános energia =0V,T vj = 12 5o C		1.90
		Én... F = 75A,V Általános energia =0V,T vj =15 0o C		1.95
Q r	Helyreállított töltés	V. R =900V,I F = 75A, -di/dt=700A/μs,V Általános energia =-15V LS = 60 nH ,T vj =25 o C		16.4		μC
Én... RM	A csúcs fordított Visszanyerési áram			58		A
E a felvétel	Visszafordított helyreállítás Energia			7.2		mJ
Q r	Helyreállított töltés	V. R =900V,I F = 75A, -di/dt=600A/μs,V Általános energia =-15V LS = 60 nH ,T vj = 125 o C		30.8		μC
Én... RM	A csúcs fordított Visszanyerési áram			64		A
E a felvétel	Visszafordított helyreállítás Energia			15.8		mJ
Q r	Helyreállított töltés	V. R =900V,I F = 75A, -di/dt=600A/μs,V Általános energia =-15V LS = 60 nH ,T vj =150 o C		31.4		μC
Én... RM	A csúcs fordított Visszanyerési áram			64		A
E a felvétel	Visszafordított helyreállítás Energia			18.2		mJ

Modul A tulajdonságok T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

Szimbólum	Paraméter	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egység
L CE	Sétáló induktancia			30	nH
R CC+EE	Modul vezetési ellenállás, Terminál a chipphez		0.65		mΩ
R thJC	Csomópont -ahhoz -ESET (perIGBT ) Keresztmetszet és ház (per Di ód)			0.278 0.467	K/W
R thCH	Case-to-Heatsink (per IGBT) A hőszink (pe) r Diódás) A hőfolyadékok közötti átállás (M-re) (a szájon belül)		0.160 0.268 0.050		K/W
M	Terminál csatlakozási nyomaték, Csavar M5 Szerelési nyomaték, Függöny M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.m.
G	Súly a Modul		150		g