Minden kategória

IGBT Modul 1700V

IGBT Modul 1700V

Főoldal /  Termékek /  IGBT modul /  IGBT Modul 1700V

GD1200HFX170C3S,IGBT Modul,Hátéráramos igbt modul,STARPOWER

1700V 1200A, A3

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD1200HFX170C3S
  • Bevezetés
  • Az ábrázolás
  • Ekvivalens áramkör séma
Bevezetés

Rövid bevezetés

IGBT modul ,a STARPOWER által gyártva. 1 700V 1200A ,A3 .

Jellemzők

  • Alacsony VCE(sat) árok IGBT technológia
  • 10 μs rövidzárlat-képesség
  • VCE (sat) pozitív hőmérsékleti együtthatóval
  • Maximális csomóponti hőmérséklet 175oC
  • Alacsony induktancia
  • Gyors és puha fordított helyreállítási anti-párhuzamos FWD
  • DBC technológiát használó, szigetelt réz alaplemez

Tipikus alkalmazások

  • Nagy teljesítményű átalakítók
  • Motor meghajtók
  • Szélturbinák

Abszolút Legfeljebb Szabályozás T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

IGBT

Szimbólum

Leírás

Érték

Egység

V. A CES

A kollektor-kibocsátó feszültség

1700

V.

V. GES

Kapu-kibocsátó feszültség

±20

V.

Én... C

Gyűjtőáram @ T C =25 o C @ T C =100 o C

1965

1200

A

Én... A CM

Pulzáló gyűjtőáram t p =1 ms

2400

A

P M

Maximális teljesítmény disszipáció @ T vj =175 o C

6.55

kW

Diódák

Szimbólum

Leírás

Érték

Egység

V. RRM

Ismétlődő csúcs fordított volt kor

1700

V.

Én... F

Diódák folyamatos előrecsatlakozó Cu áram

1200

A

Én... FM

Dióda maximális előre irányuló áram t p =1 ms

2400

A

Modul

Szimbólum

Leírás

Érték

Egység

T vjmax

A csatlakozás maximális hőmérséklete

175

o C

T vjop

A csatlakozó üzemfoka hőmérséklete

-40 és +150 között

o C

T STG

Tárolóhőmérséklet-tartomány

-40 és +125 között

o C

V. ISO-k

Izolációs feszültség RMS,f=50Hz,t =1 perc

4000

V.

IGBT A tulajdonságok T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

Szimbólum

Paraméter

A vizsgálati feltételek

Min.

- Tipikus.

- Max, kérlek!

Egység

V. CE (szombat)

A gyűjtő a kibocsátóhoz Telítettség

Én... C =1200A,V Általános energia =15V, T vj =25 o C

1.85

2.30

V.

Én... C =1200A,V Általános energia =15V, T vj = 125 o C

2.25

Én... C =1200A,V Általános energia =15V, T vj =150 o C

2.35

V. Általános energia (a )

A kapcsoló-kibocsátó küszöbértéke Feszültség

Én... C =48.0 mA ,V. CE = V. Általános energia , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V.

Én... A CES

Gyűjtő Vágás -Ki van kapcsolva. A jelenlegi

V. CE = V. A CES ,V. Általános energia =0V, T vj =25 o C

5.0

mA

Én... GES

A kapuk kibocsátójának szivárgása A jelenlegi

V. Általános energia = V. GES ,V. CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Belső kapu ellenállás a

1.6

ó

C a)

Bevezető kapacitás

V. CE = 25V, f=100 kHz, V. Általános energia =0V

142

nF

C res

Visszafordítás A kapacitás

3.57

nF

Q G

Kapu díj

V. Általános energia =-15 …+15V

11.8

μC

t m (a )

Beállítási késleltetési idő

V. CC =900V,I C =1200A, R Gon = 1,5Ω, R Goff =3.3Ω, V. Általános energia =-10/+15V,

L S =110nH,T vj =25 o C

700

cs

t r

Felemelkedési idő

420

cs

t d(ki)

Kiállás Késésítési idő

1620

cs

t f

Őszidő

231

cs

E a

Beállítva Átváltás Veszély

616

mJ

E ki van kapcsolva.

Kiállító kapcsoló Veszély

419

mJ

t m (a )

Beállítási késleltetési idő

V. CC =900V,I C =1200A, R Gon = 1,5Ω, R Goff =3.3Ω, V. Általános energia =-10/+15V,

L S =110nH,T vj = 125 o C

869

cs

t r

Felemelkedési idő

495

cs

t d(ki)

Kiállás Késésítési idő

1976

cs

t f

Őszidő

298

cs

E a

Beállítva Átváltás Veszély

898

mJ

E ki van kapcsolva.

Kiállító kapcsoló Veszély

530

mJ

t m (a )

Beállítási késleltetési idő

V. CC =900V,I C =1200A, R Gon = 1,5Ω, R Goff =3.3Ω, V. Általános energia =-10/+15V,

L S =110nH,T vj =150 o C

941

cs

t r

Felemelkedési idő

508

cs

t d(ki)

Kiállás Késésítési idő

2128

cs

t f

Őszidő

321

cs

E a

Beállítva Átváltás Veszély

981

mJ

E ki van kapcsolva.

Kiállító kapcsoló Veszély

557

mJ

Én... A sz.

SC-adatok

t P ≤10μs, V. Általános energia =15V,

T vj =150 o C ,V. CC =1000V,

V. A CEM ≤1700V

4800

A

Diódák A tulajdonságok T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

Szimbólum

Paraméter

A vizsgálati feltételek

Min.

- Tipikus.

- Max, kérlek!

Egység

V. F

Előrehajtó diódák Feszültség

Én... F =1200A,V Általános energia =0V,T vj =25 o C

1.80

2.25

V.

Én... F =1200A,V Általános energia =0V,T vj = 125 o C

1.90

Én... F =1200A,V Általános energia =0V,T vj =150 o C

1.95

Q r

Helyreállított töltés

V. R =900V,I F =1200A,

-di/dt=2430A/μs,V Általános energia =-10V, L S =110nH,T vj =25 o C

217

μC

Én... RM

A csúcs fordított

Visszanyerési áram

490

A

E a felvétel

Visszafordított helyreállítás Energia

108

mJ

Q r

Helyreállított töltés

V. R =900V,I F =1200A,

-di/dt=2070A/μs,V Általános energia =-10V, L S =110nH,T vj = 125 o C

359

μC

Én... RM

A csúcs fordított

Visszanyerési áram

550

A

E a felvétel

Visszafordított helyreállítás Energia

165

mJ

Q r

Helyreállított töltés

V. R =900V,I F =1200A,

-di/dt=1970A/μs,V Általános energia =-10V, L S =110nH,T vj =150 o C

423

μC

Én... RM

A csúcs fordított

Visszanyerési áram

570

A

E a felvétel

Visszafordított helyreállítás Energia

200

mJ

Modul A tulajdonságok T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

Szimbólum

Paraméter

Min.

- Tipikus.

- Max, kérlek!

Egység

L CE

Sétáló induktancia

20

nH

R CC+EE

Modul vezetési ellenállás, Terminál a chipphez

0.37

R thJC

Csomópont -ahhoz -ESET (perIGBT ) Keresztmetszet és ház (per Di ód)

22.9 44.2

K/kW

R thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT) A hőszink (pe) r Diódás) A hőfolyadékok közötti átállás (M-re) (a szájon belül)

18.2 35.2 6.0

K/kW

M

Terminál csatlakozási nyomaték, Csavar M4 Terminál csatlakozási nyomaték, Csavar M8 Szerelési nyomaték, Függöny M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.m.

G

Súly a Modul

1500

g

Az ábrázolás

Ekvivalens áramkör séma

Ingyenes ajánlat kérése

A képviselőnk hamarosan kapcsolatba lép velük.
Email
Név
Cégnév
Üzenet
0/1000

KAPCSOLÓDÓ TERMÉK

Van kérdése bármely termékről?

Profi értékesítési csapatunk várja tanácsát.
Követheti terméklistájukat, és kérdezheti az Ön által fontosnak tartott kérdéseket.

Kérjen árajánlatot

Ingyenes ajánlat kérése

A képviselőnk hamarosan kapcsolatba lép velük.
Email
Név
Cégnév
Üzenet
0/1000