GD100HFX170C1S, IGBT Modul, STARPOWER

Bevezetés

Rövid bevezetés

IGBT modul ,a következők által gyártott STARPOWER . 1700V 100A.

Jellemzők

Alacsony VCE(sat) árok IGBT technológia
10 μs rövidzárlat-képesség
VCE (sat) pozitív hőmérsékleti együtthatóval
Maximális csatoponti hőmérséklet 175 ℃
Alacsony induktancia
Gyors és puha fordított helyreállítási anti-párhuzamos FWD
DBC technológiát használó, szigetelt réz alaplemez

Tipikus alkalmazások

Inverter motor meghajtáshoz
AC és DC szervó meghajtó erősítő
Folyamatlan Ultraszintű Áramellenállás

Abszolút Legfeljebb Szabályozás T F =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

IGBT

Szimbólum	Leírás	Érték	Egység
V. A CES	A kollektor-kibocsátó feszültség	1700	V.
V. GES	Kapu-kibocsátó feszültség	±20	V.
Én... C	Gyűjtőáram @ T C =25 o C @ T C =100 o C	173 112	A
Én... A CM	Pulzáló gyűjtőáram t p =1 ms	200	A
P M	Legfeljebb Teljesítmény Disszipáció @ T vj =175 o C	666	W

Diódák

Szimbólum	Leírás	Érték	Egység
V. RRM	Ismétlődő csúcs fordított volt kor	1700	V.
Én... F	Diódák folyamatos előrecsatlakozó Cu áram	100	A
Én... FM	Dióda maximális előre irányuló áram t p =1 ms	200	A

Modul

Szimbólum	Leírás	Érték	Egység
T vjmax	A csatlakozás maximális hőmérséklete	175	o C
T vjop	A csatlakozó üzemfoka hőmérséklete	-40 és +150 között	o C
T STG	Tárolóhőmérséklet-tartomány	-40 és +125 között	o C
V. ISO-k	Izolációs feszültség RMS,f=50Hz,t= 1perc	4000	V.

IGBT A tulajdonságok T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

Szimbólum	Paraméter	A vizsgálati feltételek	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egység
V. CE (szombat)	A gyűjtő a kibocsátóhoz Telítettség	Én... C =100A,V Általános energia =15V, T vj =25 o C		1.85	2.20	V.
		Én... C =100A,V Általános energia =15V, T vj = 125 o C		2.25
		Én... C =100A,V Általános energia =15V, T vj =150 o C		2.35
V. Általános energia (a )	A kapcsoló-kibocsátó küszöbértéke Feszültség	Én... C =4.0 mA ,V. CE = V. Általános energia , T vj =25 o C	5.6	6.2	6.8	V.
Én... A CES	Gyűjtő Vágás -Ki van kapcsolva. A jelenlegi	V. CE = V. A CES ,V. Általános energia =0V, T vj =25 o C			5.0	mA
Én... GES	A kapuk kibocsátójának szivárgása A jelenlegi	V. Általános energia = V. GES ,V. CE =0V, T vj =25 o C			400	nA
R Gint	Belső kapu ellenállás			7.5		ó
C a)	Bevezető kapacitás	V. CE = 25V, f=1Mhz, V. Általános energia =0V		12.0		nF
C res	Visszafordítás A kapacitás	V. CE = 25V, f=1Mhz, V. Általános energia =0V		0.29		nF
Q G	Kapu díj	V. Általános energia =-15...+15V		0.94		μC
t m (a )	Beállítási késleltetési idő	V. CC =900V,I C =100A, R G =4.7Ω,V Általános energia =±15V, Ls=60nH, T vj =25 o C		272		cs
t r	Felemelkedési idő			55		cs
t d(ki)	Kiállás Késésítési idő			369		cs
t f	Őszidő			389		cs
E a	Beállítva Átváltás Veszély			28.2		mJ
E ki van kapcsolva.	Kiállító kapcsoló Veszély			16.4		mJ
t m (a )	Beállítási késleltetési idő	V. CC =900V,I C =100A, R G =4.7Ω,V Általános energia =±15V, Ls=60nH, T vj = 125 o C		296		cs
t r	Felemelkedési idő			66		cs
t d(ki)	Kiállás Késésítési idő			448		cs
t f	Őszidő			576		cs
E a	Beállítva Átváltás Veszély			40.1		mJ
E ki van kapcsolva.	Kiállító kapcsoló Veszély			24.1		mJ
t m (a )	Beállítási késleltetési idő	V. CC =900V,I C =100A, R G =4.7Ω,V Általános energia =±15V, Ls=60nH, T vj =150 o C		302		cs
t r	Felemelkedési idő			69		cs
t d(ki)	Kiállás Késésítési idő			463		cs
t f	Őszidő			607		cs
E a	Beállítva Átváltás Veszély			43.9		mJ
E ki van kapcsolva.	Kiállító kapcsoló Veszély			25.7		mJ
Én... A sz.	SC-adatok	t P ≤10μs, V. Általános energia =15V, T vj =150 o C ,V. CC =1000V V. A CEM ≤1700V		400		A

Diódák A tulajdonságok T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

Szimbólum	Paraméter	A vizsgálati feltételek	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egység
V. F	Előrehajtó diódák Feszültség	Én... F =100A,V Általános energia =0V,T vj =2 5o C		1.80	2.25	V.
		Én... F =100A,V Általános energia =0V,T vj = 125 o C		1.90
		Én... F =100A,V Általános energia =0V,T vj =150 o C		1.95
Q r	Helyreállított töltés	V. R =900V,I F =100A, -di/dt=1290A/μs,V Általános energia =-15V Ls=60nH, T vj =25 o C		23.5		μC
Én... RM	A csúcs fordított Visszanyerési áram			85		A
E a felvétel	Visszafordított helyreállítás Energia			11.5		mJ
Q r	Helyreállított töltés	V. R =900V,I F =100A, -di/dt=1020A/μs,V Általános energia =-15V Ls=60nH, T vj = 125 o C		36.6		μC
Én... RM	A csúcs fordított Visszanyerési áram			88		A
E a felvétel	Visszafordított helyreállítás Energia			18.1		mJ
Q r	Helyreállított töltés	V. R =900V,I F =100A, -di/dt=960A/μs,V Általános energia =-15V Ls=60nH, T vj =150 o C		46.2		μC
Én... RM	A csúcs fordított Visszanyerési áram			91		A
E a felvétel	Visszafordított helyreállítás Energia			24.6		mJ

Modul A tulajdonságok T C =25 o C kivéve, ha egyébként megjegyzés

Szimbólum	Paraméter	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egység
L CE	Sétáló induktancia			30	nH
R CC+EE	Modul vezetési ellenállás, Terminál a chipphez		0.65		mΩ
R thJC	Csomópont -ahhoz -ESET (perIGBT ) A D-számra vonatkozó összeköttetés jód)			0.225 0.391	K/W
R thCH	ESET -ahhoz -Hűtőborda (perIGBT )A hőszink (p) er dióda) Case-to-Heatsink (per Modul)		0.158 0.274 0.050		K/W
M	Terminál csatlakozási nyomaték, Csavar M5 Szerelési nyomaték, Függöny M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.m.
G	Súly a Modul		150		g