IGCT à blocage inverse (RB-IGCT)

YT-YT-RBC52L3300IC, Modules IGCT à blocage inverse,

YT-YT-RBC52L3300IC, Modules IGCT à blocage inverse,

3300 V, 5200 A

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YT-RBC52L3300IC

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Introduction
Le schéma

Introduction

Avantages clés

Capacité intégrée de blocage en sens inverse pour une conception de système simplifiée ;
Capacité haute tension et fort courant pour des applications de conversion d’énergie à grande échelle ;
Pertes de conduction ultra-faibles pour une efficacité énergétique accrue ;
Capacité d’extinction rapide avec des performances de commutation excellentes ;
Conception avancée de boîtier press-pack avec capacité de refroidissement bidirectionnel ;
Haute fiabilité dans des conditions de contraintes électriques, thermiques et mécaniques .

Applications

Transmission continue haute tension (HVDC) ;
Systèmes de transmission alternative flexibles (FACTS) ;
Convertisseurs moyenne et haute tension ;
Systèmes d’alimentation pour la traction ferroviaire ;
Alimentations industrielles à grande échelle ;
Énergies renouvelables et systèmes de conversion d’énergie connectés au réseau ;
Applications de stockage d’énergie et de conversion à forte puissance.

YT-RBC52L3300IC

Paramètres clés

V DRM	V	3300
V RRM	V	3300
ITGQM	A	5200
ITSM	A	27×103
V À	V	1.20
r T	mΩ	0.26
V D	V	2000

Blocage Données

Symbo l	Unité	Condition	MIN	Type	Max
V DRM	V	alimentation de l'unité de porte , T j =90℃,I D ≤IDRM , tp=10 ms			3300
V RRM	V	alimentation de l'unité de porte , T j =90℃,I R ≤IRRM , tp=10 ms			3300
IDRM	le nombre de	alimentation de l'unité de porte , T j =90℃,V D=V DRM , tp=1 0ms			200
IRRM	le nombre de	alimentation de l'unité de porte , T j =90℃,V R =V RRM , tp= 10ms			200
V D	V	alimentation de l’unité de gâchette, T j = 90 °C, I D ≤IDm			2000

Données sur les États

Symbo l	Unité	Condition	MIN	Type	Max
ITAV	A	T c =70℃, le même refroidissement double face		1200
IT (RMS)	A	T c =70℃, le même refroidissement double face		2500
ITSM	A	t p = 10 ms, T j =90℃ le même aucune tension appliquée après la surtension			27×103
I2t	A2s				3.92×106
V TM	V	ITM = 4000 A, T j =90℃		2.25
V À	V	T j =90℃ IT = 1000…7000 A		1.20
r T	mΩ	T j =90℃ IT = 1000…7000 A		0.26

Données d'activation

Symbo l	Unité	Condition	MIN	Type	Max
di T /dt(Cr)	A/μs	f = 0…1000 Hz, T j =25℃ 、 90 °C, I T = 5200 A, V D= 2000 V, I TM ≤ 6000 A			1000
t d(on)	μs	V D= 2000 V, T j =90℃ IT = 5200 A, di/dt = V D/Li Li = 3 μH CCL = 10 μF, L CL = 0,3 μH DCL = D Fwd		10
t d(on)SF	μs			7
t r	μs			4
Eactivé	J			4
ITGQM	A	V D≤V DRM , T j =90℃ V D=2000 V, R S =0,35 Ω CCL = 10 μF, L CL ≤0,3 μH DCL = D Fwd			5200
t d (éteint )	μs	V D= 2000 V, T j =90℃ V D≤V DRM , r S =0,35 Ω ITGQ =5200 A, L i = 3 μH CCL = 10 μF, L CL = 0,3 μH DCL = D Fwd		50
t d(off)SF	μs			7
Eéteint	J			50

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