Avantages techniques des MOSFET à jonction superposée
Le MOSFET à jonction superposée introduit un contrôle du champ électrique latéral grâce à des structures colonnaires alternées de type P, s'appuyant sur la conception traditionnelle du VDMOS, ce qui permet de faire tendre la répartition du champ électrique vertical vers une forme rectangulaire idéale.
Dans des conditions identiques de résistance épitaxiale, cette structure augmente la tenue en tension du composant d’environ 20 %. Pour produits une même tension nominale, la technologie à jonction superposée permet de réduire la résistance à l’état passant par unité de surface à moins d’un huitième de celle des structures traditionnelles, assurant ainsi une optimisation synergique des pertes de conduction et des caractéristiques de blocage.
Les produits de la série de MOSFET à jonction superposée de notre entreprise sont fabriqués à l’aide de technologies avancées de tranchées profondes et d’épitaxie multiple, ce qui confère une résistance à l’état passant et une charge de grille extrêmement faibles, réduisant ainsi considérablement les pertes de conduction et de commutation. Ils conviennent particulièrement aux systèmes de conversion électronique de puissance à forte densité de puissance et à haut rendement.
Pourquoi choisir nos produits de la série MOSFET ?
Faibles pertes de conduction
Faible perte de commutation
Densité de puissance élevée
Gamme complète de produits
Applications
- Chargeur embarqué pour véhicules (OBC)
- Alimentation électrique pour serveurs
- alimentation électrique de communication
- Convertisseur continu/continu embarqué dans le véhicule
- chargeur
- charger
- adaptateur
- Alimentation TV
- une nouvelle énergie
- LED
- PC
Schéma de principe du MOSFET à jonction superposée (épitaxie multiple)
Comparaison entre le MOSFET planaire et le MOSFET à jonction superposée
À propos de nous
Nous nous concentrons sur le application de produits IGBT. Sur la base de l'application de l'IGBT, nous avons élargi notre gamme de produits à la personnalisation d'ensembles électriques haut de gamme ; par ailleurs, notre activité s'est étendue au domaine des produits de contrôle d'automatisation, incluant les ADC/DAC, les LDO, les amplificateurs d'instrumentation, les relais électromagnétiques, les PhotoMOS et les MOSFET. Ainsi, nous pouvons collaborer avec les principaux fabricants chinois dans nos domaines d'expertise afin d'offrir à nos clients des produits fiables et économiques.
Fondés sur les principes d'innovation et d'excellence, nous sommes à la pointe des solutions alternatives en semi-conducteurs et de la technologie.
Notre vision est de fournir des solutions alternatives à nos clients, d'améliorer la performance coût de leurs solutions d'application et de garantir la sécurité de leur chaîne d'approvisionnement par la fabrication en Chine.
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