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YMIF1500-33-I1-01 3300V 1500A Module IGBT à haute tension Réseau intelligent CRRC Hachoirs Inverseurs/Convertisseurs Commandes

YMIF1500-33-I1-01 3300V 1500A Module IGBT à haute tension Réseau intelligent CRRC Hachoirs Inverseurs/Convertisseurs Commandes

Introduction

Profil de l'entreprise

Beijing World E To Technology Co., Ltd. est une entreprise axée sur la technologie, possédant des qualifications d'importation et d'exportation. Fondée sur les principes d'innovation et d'excellence, elle se place à l'avant-garde des solutions de remplacement et de la technologie dans le domaine des semi-conducteurs. Spécialisée dans la conception de produits semi-conducteurs, la personnalisation sous contrat et la distribution. Nous avons des exigences strictes concernant le choix de nos partenaires de coopération ; nous collaborons uniquement avec des entreprises technologiques et des fabricants disposant des technologies de conception et de fabrication de premier ordre. L'optimisation de la personnalisation des lignes de transmission automatique en usine constitue une autre partie importante de notre fabrication sous contrat.

Notre produits

1	Module IGBT et Conducteur
2	Module IGCT et Conducteur
3	Plaque de base d'inverseur
4	Module de diode
5	Module de thyristeur
6	Capteur de courant
7	Condensateur
8	Résistance
9	Relais à état solide
10	Robots industriels et pièces principales
11	Aéronefs non pilotés civils et pièces principales

Description des produits

Fonctionnalités

(1) Plaque de base AISiC
(2) Substrats AIN
(3) Grande capacité de cyclage thermique
(4) Résistance à court-circuit de 10 μs

(5) Dispositif à faible Vce(sat)

(6) Densité de courant élevée

Applications Typiques

(1) Les moteurs de traction
(2) Contrôleurs de moteur
(3) Réseau intelligent
(4) Inverseur à haute fiabilité

YMIF1500-33-I1-01

3300V/1500A Unique Interrupteur IGBT

Paramètres Clés

Le symbole	Description	Valeur	Unité
V. Le groupe _{Le CES}		3300	V. Le groupe
V. Le groupe _{CE (sat)}	- Je sais.	2.40	V. Le groupe
Je _C	Je suis désolé.	1500	Une
Je _{C ((RM)}	IC ((RM)	3000	Une

Rating absolu maximum

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Valeur	Unité
V. Le groupe _{Le CES}	Voltage du collecteur-émetteur	V. Le groupe _{Généralement générés}= 0V, T _C= 25 °C	3300	V. Le groupe
V. Le groupe _GES	Voltage de l'émetteur de la porte	T _C= 25 °C	± 20	V. Le groupe
Je _C	Courant collecteur-émetteur	T _C= 75°C	1500	Une
Je _{C (((PK)}	Courant de collecteur de pointe	t _P=1ms	3000	Une
P _max	Dissipation de puissance maximale du transistor	Tvj= 150°C, TC= 25 °C	15600	Le
Je ²t	Diode I ²t	V. Le groupe _R=0V, T _P= 10ms, Tvj= 150 °C	720	kA ²s
Le visol	Tension d'isolation –par module	(Terminals communs à la plaque de base), AC RMS, 1 min, 50Hz, T _C= 25 °C	6000	V. Le groupe
Q: Le numéro _PD	Décharge partielle –par module	IEC1287. V1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS	10	pC

Données thermiques et mécaniques

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	Je suis désolé.	Valeur		Unité
R _{th(J-C) IGBT}	Résistance thermique – IGBT			8	K / kW		℃
R _{th(J-C) Diode}	Résistance thermique – Diode			16	K / kW		℃
R _{th(C-H) IGBT}	Résistance thermique – boîtier au dissipateur thermique (IGBT)	Couple de montage 5Nm, avec graisse de montage 1W/m·°C		6	K / kW		℃
T _vj	Température de fonctionnement des jonctions	L'IGBT	-40	150	°C
T _vj	Température de fonctionnement des jonctions			Diode	-40	150	°C
M	Couple de vis	Montage –M6		5	nm
				Connexions électriques – M4		2	nm
				Connexions électriques – M8		10	nm

Caractéristiques électriques

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unité
Je _{Le CES}	Courant de coupure du collecteur	V. Le groupe _{Généralement générés}= 0V, V _CE= V _{Le CES}			1	le nombre de
				V. Le groupe _{Généralement générés}= 0V, V _CE= V _{Le CES}, T _C= 125 °C			90	le nombre de
				V. Le groupe _{Généralement générés}= 0V, V _CE= V _{Le CES}, T _C= 150 °C			150	le nombre de
Je _GES	Courant de fuite de grille	V. Le groupe _{Généralement générés}= ±20V, V _CE= 0V			1	μA
V. Le groupe _{GE (TH)}	Tension de seuil de porte	Je _C= 40mA, V _{Généralement générés}= V _CE	5.0	6.1	7.0	V. Le groupe
V. Le groupe _{CE (sat)}	Voltage de saturation du collecteur-émetteur	VGE=15V, IC= 1200A,Tvj = 25 °C		2.40	2.90	V. Le groupe
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C		2.95	3.40	V. Le groupe
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 150 °C		3.10	3.60	V. Le groupe
Je _F	Courant direct de la diode	CC		1500		Une
Je _MFN	Courant de pic direct de la diode	t _P= 1ms		3000		Une
V. Le groupe _F	Tension Directe de Diode	Je _F= 250A, V _{Généralement générés}= 0		2.10	2.60	V. Le groupe
				Je _F= 250A, V _{Généralement générés}= 0, T _vj= 125 °C		2.25	2.70	V. Le groupe
				Je _F= 250A, V _{Généralement générés}= 0, T _vj= 150 °C		2.25	2.70	V. Le groupe
Je _SC	Courant de court-circuit	Tvj= 150°C, V _CC= 1000V, V. Le groupe _{Généralement générés}≤15V, tp≤10μs, V. Le groupe _CE(max)= V _{Le CES}–L(*2)×di/dt, IEC 6074-9		5800		Une
Les	Capacité d'entrée	V. Le groupe _CE= 25V, V _{Généralement générés}= 0V, f = 100kHz		260		nF
Le siège	Charge de la porte	±15		25		le taux de décharge
Des produits	Capacité de transfert inverse	V. Le groupe _CE= 25V, V _{Généralement générés}= 0V, f = 100kHz		6.0		nF
L _M	Inductance du module			10		nH
R _INT	Résistance interne du transistor			110		mΩ

T étude = 25°C sauf indication contraire

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Min

Typ

Max

Unité

t _d(off)

Temps de retard de déclenchement

Je _C= 2400A
V. Le groupe _CE= 900V
L _S~ 50nH
V. Le groupe _{Généralement générés}= ±15V
R _{Le nombre de personnes concernées}= 0,5Ω
R _G(OFF)= 0,5Ω

2100

n.S.

E. Je suis désolé. _Éteint

Perte d'énergie à l'arrêt

2400

je suis désolé.

t _d(on)

Temps de retard d'activation

750

n.S.

E. Je suis désolé. _Sur

Perte d'énergie à l'activation

1450

je suis désolé.

Q: Le numéro _rR

Charge de récupération inverse de la diode

Je _F= 2400A
V. Le groupe _CE= 900V
diF/dt =10000A/us

1150

le taux de décharge

Je _rR

Courant de récupération inverse de la diode

1250

Une

E. Je suis désolé. _réc

Énergie de récupération inverse de la diode

1550

je suis désolé.

T étude = 150°C sauf indication contraire

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Min

Typ

Max

Unité

t _d(off)

Temps de retard de déclenchement

Je _C= 2400A
V. Le groupe _CE= 900V
L _S~ 50nH
V GE = ±15V
R _{Le nombre de personnes concernées}= 0,5Ω
R _G(ÉTEINT)= 0,5Ω

2290

n.S.

E. Je suis désolé. _Éteint

Perte d'énergie à l'arrêt

3200

je suis désolé.

t _d(on)

Temps de retard d'activation

730

n.S.

E. Je suis désolé. _Sur

Perte d'énergie à l'activation

3200

je suis désolé.

Q: Le numéro _rR

Charge de récupération inverse de la diode

Je _F= 2400A
V. Le groupe _CE= 900V
diF/dt =10000A/us

1980

le taux de décharge

Je _rR

Courant de récupération inverse de la diode

1450

Une

E. Je suis désolé. _réc

Énergie de récupération inverse de la diode

2720

je suis désolé.

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Emballage du produit