TIM500GDM33-PSA011 Nouveau d'Origine Module de Puissance IGBT Sémi-conducteur Discret Transistor Hachoirs Onduleurs/Convertisseurs

Profil de l'entreprise

Beijing World E To Technology Co., Ltd. est une entreprise axée sur la technologie, dotée de qualifications d'importation et d'exportation. Fondée sur les principes d'innovation et d'excellence, elle se place à l'avant-garde des solutions alternatives et des technologies dans le domaine des semi-conducteurs, spécialisée dans la conception de produits semi-conducteurs, la personnalisation sous contrat et la distribution. Nous avons des exigences strictes concernant le choix de nos partenaires de coopération ; nous collaborons uniquement avec des entreprises technologiques et des fabricants possédant des technologies de conception et de fabrication de premier ordre. L'optimisation de la personnalisation des lignes de transmission automatique en usine constitue une autre partie importante de notre sous-traitance.

Notre produits

1	Module IGBT et Conducteur
2	Module IGCT et Conducteur
3	Plaque de base d'inverseur
4	Module de diode
5	Module de thyristeur
6	Capteur de courant
7	Condensateur
8	Résistance
9	Relais à état solide
10	Robots industriels et pièces principales
11	Aéronefs non pilotés civils et pièces principales

Description des produits

Fonctionnalités

(1) Plaque de base AISiC pour une grande capacité de cyclage à haute puissance
(2) Substrats AIN pour une faible résistance thermique
(3) Grande capacité de cyclage thermique
(4) Densité de courant élevée

(5) Résistance aux courts-circuits de 10 μs
(6) Faible VCEsat

Applications Typiques

(1) Les moteurs de traction
(2) Contrôleurs de moteur
(3) Hacheurs
(4) Inverteurs à tension moyenne

TIM500GDM33 -PSA011

Les données sont fournies par les autorités compétentes.

3300V/500A Modules IGBT haute tension

Paramètres Clés

Le symbole	Description	Valeur	Unité
V. Le groupe _{Le CES}		3300	V. Le groupe
V. Le groupe _{CE (sat)}	- Je sais.	2.4	V. Le groupe
Je _C	Je suis désolé.	500	Une
Je _Cm	ICRM	1000	Une

Rating absolu maximum

Le symbole	Description	Valeur	Unité
V. Le groupe _{Le CES}	Voltage du collecteur-émetteur	3300	V. Le groupe
V. Le groupe _GES	Voltage de l'émetteur de la porte	± 20	V. Le groupe
Je _C	Courant collecteur @ T _C=100℃	500	Une
Je _Cm	Courant collecteur impulsionnel, tp=1ms, Tc=140°C	1000	Une
P _tout	Dissipation de puissance totale, TC=25°C, par interrupteur (IGBT)	5200	Le
Je ²t	Diode I ²t ,VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150°C	80	kA ²s
V. Le groupe _isolée	1min,f=50Hz	6000	V. Le groupe
t _psc	SOA de court-circuit IGBT VCC=2500V,VCEMCHIP≤3300V VGE≤15V,Tvj≤125°C	10	μs
Je _F	Courant direct continu	500	Une
Je _MFN	Courant avant de pointe, tp=1ms	1000	Une
Q: Le numéro _PD	Décharge partielle, V1= 3500V ,V2= 2600V, 50Hz RMS,TC=25°C(IEC 61287)	10	pC
Couples de montage	M _SAssemblage – M6	5	Nm
		M _T1Connexions électriques – M4		2
		M _T2Connexions électriques – M8		8

Les valeurs caractéristiques des diodes

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	typ	Je suis désolé.	Valeur		Unité
V. Le groupe _F	Voltage avant IF =500A	Tvj = 25 °C		2.10	2.60	V. Le groupe		℃
				Tvj = 125 °C		2.25	2.7	V. Le groupe		℃
				Tvj = 150°C		2.25	2.7	V. Le groupe		℃
Je _rR	Courant de récupération inverse Je _F=500A V. Le groupe _CC= 1800V, diF/dt=2100A/μs	Tvj = 25 °C		420		Une
				Tvj = 125 °C			460		Une		V. Le groupe
				Tvj = 150 °C			490
Q: Le numéro _rR	Charge récupérée Je _F=500A V. Le groupe _CC= 1800V, diF/dt=2100A/μs	Tvj = 25 °C		390		µC
				Tvj = 125 °C			620
				Tvj = 150 °C			720
E. Je suis désolé. _réc	Récupération inverse de l'énergie Je _F=500A V. Le groupe _CC= 1800V, diF/dt=2100A/μs	Tvj = 25 °C		480		je suis désolé.
				Tvj = 125 °C			760
				Tvj = 150 °C			900

Les valeurs caractéristiques des IGBT

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unité
_{V. Le groupe _CEsat}	Tension de saturation collecteur-émetteur. I _C=500A, V _{Généralement générés}=15V	Tvj= 25°C		2.40	2.90	V. Le groupe
				Tvj= 125°C		2.95	3.40	V. Le groupe
				Tvj= 150°C		3.10	3.60	V. Le groupe
Je _GES	Courant de fuite de grille	V. Le groupe _CE=0V, V _{Généralement générés}=±20V, Tvj=25°C	-500		500	nA
V. Le groupe _{GE (TH)}	Voltage de seuil de la porte émetteur	Je _C=40mA, V _CE=V _{Généralement générés}, Tvj=25°C	5.5	6.1	7.0	V. Le groupe
Je _{Le CES}	Tension de saturation collecteur-émetteur. V _CE= 3300V,V _{Généralement générés}=0V	Tvj= 25°C			1	le nombre de
				Tvj= 125°C			30	le nombre de
				Tvj = 150 °C			50	le nombre de
Je _SC	Courant de court-circuit	tpsc ≤ 10μs, VGE =15V, Tvj = 150°C,VCC= 2500V		250		Une
Je _MFN	Courant de pic direct de la diode	t _P= 1ms		500		Une
t _d(on)	Temps de retard d'activation	Tvj = 25 °C		650		n.S.
				Tvj = 125 °C		630		n.S.
				Tvj = 150 °C		620		n.S.
t _d(off)	Temps de retard de déclenchement	Tvj = 25 °C		1720		n.S.
				Tvj = 125 °C		1860		n.S.
				Tvj = 150 °C		1920		n.S.
Je _SC	Courant de court-circuit	t _psc≤ 10μs, V _{Généralement générés}= 15 V, T _vj= 150°C,V _CC= 2500V		1800		Une
Les	Capacité d'entrée	V. Le groupe _CE= 25V,V _{Généralement générés}=0V,f=1MHz,Tvj=25°C		90		nF
Le siège	Charge de la porte	C=500A,V _CE=1800V,V _{Généralement générés}=-15V…15V		5.0		µC
Des produits	Capacité de transfert inverse	V. Le groupe _CE= 25V,V _{Généralement générés}=0V,f=1MHz,Tvj=25°C		2		nF
E. Je suis désolé. _sur	Énergie de perte de commutation à l'allumage Tvj = 25 °C Tvj = 125 °C Tvj = 150 °C	V. Le groupe _CC=1800V, I _C=500A, RG(ON)=3,0Ω RG(OFF)=4,5Ω,C _{Généralement générés}=100nF,V _{Généralement générés}=±15V L _δ=150nH		730		nH
							880		je suis désolé.
							930
E. Je suis désolé. _éteint	Énergie de perte de commutation à l'extinction Tvj = 25 °C Tvj = 125 °C Tvj = 150 °C				780		je suis désolé.
							900
							1020

Pourquoi nous choisir

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2. Nous avons des exigences strictes concernant le choix des fabricants.
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Emballage du produit