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Module de transistor IGBT TIM250PHM33-PSA011 pour onduleur chopper, neuf et d'origine, module de puissance IGBT CRRC Chopper

Module de transistor IGBT TIM250PHM33-PSA011 pour onduleur chopper, neuf et d'origine, module de puissance IGBT CRRC Chopper

Introduction

Profil de l'entreprise

Beijing World E To Technology Co., Ltd. est une entreprise axée sur la technologie, possédant des qualifications d'importation et d'exportation. Fondée sur les principes d'innovation et d'excellence, elle se place à l'avant-garde des solutions de remplacement et de la technologie dans le domaine des semi-conducteurs. Spécialisée dans la conception de produits semi-conducteurs, la personnalisation sous contrat et la distribution. Nous avons des exigences strictes concernant le choix de nos partenaires de coopération ; nous collaborons uniquement avec des entreprises technologiques et des fabricants disposant des technologies de conception et de fabrication de premier ordre. L'optimisation de la personnalisation des lignes de transmission automatique en usine constitue une autre partie importante de notre fabrication sous contrat.

Notre produits

1	Module IGBT et Conducteur
2	Module IGCT et Conducteur
3	Module FRD
4	Module de diode
5	Module de thyristeur
6	Capteur de courant
7	Condensateur
8	Résistance
9	Relais à état solide
10	Robots industriels et pièces principales
11	Aéronefs non pilotés civils et pièces principales

Description des produits

Fonctionnalités

(1) Plaque de base AISiC
(2) Substrats AIN
(3) Grande capacité de cyclage thermique
(4) Résistance à court-circuit de 10 μs

Applications Typiques

(1) Auxiliaires de traction
(2) Contrôleurs de moteur
(3) Hacheurs
(4) Inverseur à haute fiabilité

TIM250PHM33-PSA011

3300V/250A Pont IGBT à demi-conducteur

Paramètres Clés

Le symbole	Description	Valeur	Unité
V. Le groupe _{Le CES}		3300	V. Le groupe
V. Le groupe _{CE (sat)}	- Je sais.	2.5	V. Le groupe
Je _C	Je suis désolé.	250	Une
Je _{C ((RM)}	IC ((RM)	500	Une

Rating absolu maximum

Le symbole	Description	Valeur	Unité
V. Le groupe _{Le CES}	Voltage du collecteur-émetteur	3300	V. Le groupe
V. Le groupe _GES	Voltage de l'émetteur de la porte	± 20	V. Le groupe
Je _C	Courant collecteur @ T _C=100℃	250	Une
Je _{C (((PK)}	Courant collecteur pulsé t _p=1ms	500	Une
P _max	Dissipation de puissance maximale du transistor Tvj = 150°C, TC = 25 °C	2600	Le
Je ²t	Diode I ²t V. Le groupe _R=0V, T _P= 10ms, Tvj = 150 °C	20	kA ²s
V. Le groupe _isolée	Voltage d'isolation par module (Bornes communes connectées à la plaque de base), AC RMS,1 min, 50Hz,TC= 25 °C	6000	Le
Q: Le numéro _PD	Décharge partielle par module IEC1287.V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS	10	pC

Données thermiques et mécaniques

Le symbole	Explication	Valeur	Unité
Distance de fuite	Terminal à évier de chaleur	33.0	mm
Distance de fuite		Terminal à terminal	33.0	mm
Autorisation	Terminal à évier de chaleur	20.0	mm
Autorisation		Terminal à terminal	20.0	mm
CTI (Indice de suivi comparatif)	Courant Avant Maximum du Diode t _p=1ms	＞600

Données thermiques et mécaniques

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	Je suis désolé.	Valeur		Unité
R _{th(J-C) IGBT}	Résistance thermique – IGBT			48	K / kW		℃
R _{th(J-C) Diode}	Résistance thermique – Diode			80	K / kW		℃
R _{th(C-H) IGBT}	Résistance thermique – boîtier au dissipateur thermique (IGBT)	Couple de montage 5Nm, avec graisse de montage 1W/m·°C		18	K / kW		℃

R _{th(C-H) Diode}	Résistance thermique – boîtier au dissipateur thermique (Diode)	Couple de montage 5Nm, avec graisse de montage 1W/m·°C		36	K / kW		V. Le groupe
T _{vj op}	Température de fonctionnement des jonctions	L'IGBT	-40	150	°C
T _{vj op}	Température de fonctionnement des jonctions			Diode	-40	150	°C
M	Couple de vis	Montage –M6		5	nm
M			Connexions électriques – M5		4	nm

Caractéristiques électriques

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unité
Je _{Le CES}	Courant de coupure du collecteur	V. Le groupe _{Généralement générés}= 0V, V _CE= V _{Le CES}			1	le nombre de
				V. Le groupe _{Généralement générés}= 0V, V _CE= V _{Le CES}, T _C= 125 °C			15	le nombre de
				V. Le groupe _{Généralement générés}= 0V, V _CE= V _{Le CES}, T _C= 150 °C			25	le nombre de
Je _GES	Courant de fuite de grille	V. Le groupe _{Généralement générés}= ±20V, V ^CE= 0V			1	μA
V. Le groupe _{GE (TH)}	Tension de seuil de porte	Je _C= 20mA, V _{Généralement générés}= VCE	5.5	6.1	7.0	V. Le groupe
VCE _(sat)	Voltage de saturation du collecteur-émetteur	VGE =15V, IC = 250A
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C
Je _F	Courant direct de la diode	CC		250		Une
Je _MFN	Courant de pic direct de la diode	t _P= 1ms		500		Une
V. Le groupe _F	Tension Directe de Diode	Je _F= 250A, V _{Généralement générés}= 0		2.10	2.40	V. Le groupe
				Je _F= 250A, V _{Généralement générés}= 0, T _vj= 125 °C		2.25	2.25	V. Le groupe
				Je _F= 250A, V _{Généralement générés}= 0, T _vj= 150 °C		2.25	2.25	V. Le groupe
Je _SC	Courant de court-circuit	T _vj= 150° C, V _CC= 2500V, V. Le groupe _{Généralement générés}≤15V, tp≤10μs, V. Le groupe _CE(max) = V _{Le CES}– L (*2)×di/dt, IEC 6074		900		Une
Les	Capacité d'entrée	VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz		27		nF
Le siège	Charge de la porte	±15		2.6		V. Le groupe
Des produits	Capacité de transfert inverse	VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz		0.9		nF
L _M	Inductance du module			40		nH
R _INT	Résistance interne du transistor			0.5		mΩ

Pourquoi nous choisir

1. nous distribuons uniquement des produits de fabricants chinois disposant d'une technologie de pointe. C'est notre mesure clé.
2. Nous avons des exigences strictes concernant le choix des fabricants.
3. Nous sommes en mesure d'offrir aux clients des solutions alternatives provenant de Chine.
4. Nous disposons d'une équipe responsable.

Emballage du produit