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Module de transistor IGBT TG1400HF12H1-S300 pour onduleurs, convertisseurs, entraînements Nouveau et d'origine CRRC Éoliennes Moteurs d'entraînement

Module de transistor IGBT TG1400HF12H1-S300 pour onduleurs, convertisseurs, entraînements Nouveau et d'origine CRRC Éoliennes Moteurs d'entraînement

Introduction

Profil de l'entreprise

Beijing World E To Technology Co., Ltd. est une entreprise axée sur la technologie, possédant des qualifications d'importation et d'exportation. Fondée sur les principes d'innovation et d'excellence, elle se place à l'avant-garde des solutions de remplacement et de la technologie dans le domaine des semi-conducteurs. Spécialisée dans la conception de produits semi-conducteurs, la personnalisation sous contrat et la distribution. Nous avons des exigences strictes concernant le choix de nos partenaires de coopération ; nous collaborons uniquement avec des entreprises technologiques et des fabricants disposant des technologies de conception et de fabrication de premier ordre. L'optimisation de la personnalisation des lignes de transmission automatique en usine constitue une autre partie importante de notre fabrication sous contrat.

Notre produits

1	Module IGBT et Conducteur
2	Module IGCT et Conducteur
3	Plaque de base d'inverseur
4	Module de diode
5	Module de thyristeur
6	Capteur de courant
7	Condensateur
8	Résistance
9	Système de stockage d'énergie
10	Robots industriels et pièces principales
11	Aéronefs non pilotés civils et pièces principales

Description des produits

Fonctionnalités

(1) Plaque de base AISiC pour une grande capacité de cyclage à haute puissance
(2) Cu Baseplate
(3) Grande capacité de cyclage thermique
(4) Densité de courant élevée

(5) Résistance aux courts-circuits de 10 μs
(6) Faible VCEsat

Applications Typiques

(1) Entraînements de moteur
(2) Convertisseurs haute puissance
(3) Éoliennes
(4) Inverseur à haute fiabilité

TG1400HF12H1-S300

1200V/1400A Pont IGBT à demi-conducteur

Paramètres Clés

Le symbole	Description	Valeur	Unité
V. Le groupe _{Le CES}		1200	V. Le groupe
V. Le groupe _{CE (sat)}	- Je sais.	1.80	V. Le groupe
Je _C	Je suis désolé.	1400	Une
IC ((RM)	Je suis désolé.	2800	Une

Évaluations maximales absolues( Tcase = 25°C sauf indication contraire )

Le symbole	Description	Valeur	Unité
V. Le groupe _{Le CES}	Voltage du collecteur-émetteur	1200	V. Le groupe
V. Le groupe _GES	Voltage de l'émetteur de la porte	± 20	V. Le groupe
Je _C	Courant collecteur @ Tcase = 100 °C	1400	Une
Je _{C (((PK)}	Courant collecteur maximal, tp=1ms, Tcase = 110 °C	2800	Une
P _max	Dissipation de puissance maximale du transistor, Tvj = 150°C, Tcase = 25 °C	7500	Le
Je ²t	Diode I ²t ,V _R=0V, T _P= 10ms, T _vj= 150°C	172	kA ²s
V. Le groupe _isolée	(Bornes communes à la plaque de base), AC RMS, 1 min, 50Hz	4000	V. Le groupe
Je _F	Courant de fonctionnement du diode, CC	1000	Une
Je _MFN	Courant maximal de fonctionnement du diode, tp=1ms	2000	Une
Couples de montage	Assemblage – M5	6	Nm
	Assemblage – M5	6
		Connexions électriques – M8		10

Caractéristiques électriques

Pourquoi nous choisir

1. nous distribuons uniquement des produits de fabricants chinois disposant d'une technologie de pointe. C'est notre mesure clé.
2. Nous avons des exigences strictes concernant le choix des fabricants.
3. Nous sommes en mesure d'offrir aux clients des solutions alternatives provenant de Chine.
4. Nous disposons d'une équipe responsable.

Emballage du produit