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STARPOWER GD300HFX120C2S Neuf et Original STARPOWER Module IGBT Modules Semi-Conducteurs Discrets pour Inverseur ONT Transistor
STARPOWER GD300HFX120C2S Neuf et Original STARPOWER Module IGBT Modules Semi-Conducteurs Discrets pour Inverseur ONT Transistor
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Introduction
Profil de l'entreprise
Beijing World E To Technology Co., Ltd. est une entreprise axée sur la technologie, dotée de qualifications d'importation et d'exportation. Fondée sur les principes d'innovation et d'excellence, elle se place à la pointe des solutions alternatives et des technologies de semi-conducteurs, spécialisée dans la conception de produits semi-conducteurs, la personnalisation sous contrat et la distribution. Nous avons des exigences strictes concernant le choix de nos partenaires de coopération ; nous collaborons uniquement avec des entreprises technologiques et des fabricants possédant une technologie de conception et de fabrication de premier ordre. La personnalisation de l'optimisation des lignes de transmission automatique en usine constitue une autre partie importante de notre fabrication sous contrat.

Notre produits
Notre liste de produits :
1
Module IGBT et Conducteur
2
Module IGCT et Conducteur
3
Plaque de base d'inverseur
4
Module de diode
5
Module de thyristeur
6
Capteur de courant
7
Condensateur
8
Résistance
9
Système de stockage d'énergie
10
Robots industriels et pièces principales
11
Aéronefs non pilotés civils et pièces principales
Description des produits
GD300HFX120C2S_
1200V/300A 2 en un seul emballage

Description générale
Ce type de module de puissance offre une perte de conduction ultra faible ainsi qu'une robustesse en cas de court-circuit. Ils sont conçus pour des applications telles que les onduleurs généraux et les systèmes d'alimentation ininterrompue (UPS).

Fonctionnalités

(1) Technologie IGBT à tranchée avec bas VCE(sat)
(2) Capacité de court-circuit de 10μs
(3) VCE(sat) avec coefficient de température positif
(4) Température maximale de la jonction de 175℃
(5) Boîtier à faible inductance
(6) Diode FWD anti-parallèle rapide et douce à récupération inverse
(7) Plaque de cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Applications Typiques

(1) Onduleur pour entraînement moteur
(2) Amplificateur de servocommande AC et DC
(3) Système d'alimentation sans interruption

Rating absolu maximum

T C =25℃ sauf indication contraire


L'IGBT
Le symbole
Description
Valeur
Unité
V. Le groupe Le CES
Voltage du collecteur-émetteur
1200
V. Le groupe
V. Le groupe GES
Voltage de l'émetteur de la porte
± 20
V. Le groupe
Je C
courant collecteur à T C =25℃
@ T C =100℃
451
450
Une
Je Cm
Courant collecteur pulsé t p =1ms
600
Une
P D
Puissance maximale Dissipation @ T j =175℃
1428
Le

Diode
Le symbole
Description
Valeur
Unité
V. Le groupe RRM
Voltage inverse de pointe répétitif
1200
V. Le groupe
Je F
Diode à courant continu vers l'avant
300
Une
Je FM
Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms
600
Une

Module
Le symbole
Description
Valeur
Unité
T jmax
Température maximale de jonction
175
℃
T le jouet
Température de fonctionnement des jonctions
-40 à +150
℃
T GST
Plage de température de stockage
-40 à +125
℃
V. Le groupe ISO
Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1min
2500
V. Le groupe
Emballage du produit

MPQ :

12pcs

Livré dans l'emballage d'origine du fabricant

Ajouter un coffret en bois

Conformément aux exigences du client, des caisses en bois peuvent être ajoutées pour une protection supplémentaire.
Pourquoi nous choisir
1. nous distribuons uniquement des produits de fabricants chinois disposant d'une technologie de pointe. C'est notre mesure clé.
2. Nous avons des exigences strictes concernant le choix des fabricants.
3. Nous sommes en mesure d'offrir aux clients des solutions alternatives provenant de Chine.
4. Nous disposons d'une équipe responsable.

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