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Module IGBT GD600HFX170C6S Neuf Original Starpower Module de Puissance DC Entrée 1700V Déclenchement ONT Inverseur Composants Électroniques

Module IGBT GD600HFX170C6S Neuf Original Starpower Module de Puissance DC Entrée 1700V Déclenchement ONT Inverseur Composants Électroniques

Introduction

Profil de l'entreprise

Beijing World E To Technology Co., Ltd. est une entreprise axée sur la technologie, possédant des qualifications d'importation et d'exportation. Fondée sur les principes d'innovation et d'excellence, elle se place à l'avant-garde des solutions de remplacement et de la technologie dans le domaine des semi-conducteurs. Spécialisée dans la conception de produits semi-conducteurs, la personnalisation sous contrat et la distribution. Nous avons des exigences strictes concernant le choix de nos partenaires de coopération ; nous collaborons uniquement avec des entreprises technologiques et des fabricants disposant des technologies de conception et de fabrication de premier ordre. L'optimisation de la personnalisation des lignes de transmission automatique en usine constitue une autre partie importante de notre fabrication sous contrat. .

Notre produits

1	Module IGBT et Conducteur
2	Module IGCT et Conducteur
3	Plaque de base d'inverseur
4	Module de diode
5	Module de thyristeur
6	Capteur de courant
7	Condensateur
8	Résistance
9	Relais à état solide
10	Robots industriels et pièces principales
11	Aéronefs non pilotés civils et pièces principales

Pourquoi nous choisir

1. nous distribuons uniquement des produits de fabricants chinois disposant d'une technologie de pointe. C'est notre mesure clé.
2. Nous avons des exigences strictes concernant le choix des fabricants.
3. Nous sommes en mesure d'offrir aux clients des solutions alternatives provenant de Chine.
4. Nous disposons d'une équipe responsable.

Description des produits

Les données de référence doivent être fournies par les autorités compétentes.

1700V/600A 2 en un seul emballage

Description générale
Ce type de module de puissance offre une perte de conduction ultra faible ainsi qu'une robustesse en cas de court-circuit. Ils sont conçus pour des applications telles que les onduleurs généraux et les systèmes d'alimentation ininterrompue (UPS).

Fonctionnalités

(1) Technologie IGBT à tranchée avec bas VCE(sat)
(2) Capacité de court-circuit de 10μs
(3) VCE(sat) avec coefficient de température positif
(4) Température maximale de la jonction de 175℃
(5) Boîtier à faible inductance
(6) Diode FWD anti-parallèle rapide et douce à récupération inverse
(7) Plaque de cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Applications Typiques

(1) Onduleur pour entraînement moteur
(2) Amplificateur de servocommande AC et DC
(3) Système d'alimentation sans interruption

Rating absolu maximum

T _C=25℃ sauf indication contraire

L'IGBT

Le symbole	Description	Valeur	Unité
V. Le groupe _{Le CES}	Voltage du collecteur-émetteur	1700	V. Le groupe
V. Le groupe _GES	Voltage de l'émetteur de la porte	± 20	V. Le groupe
Je _C	Courant collecteur @ T _C=25℃ @ T _C=100℃	1069 600	Une
Je _Cm	Courant collecteur pulsé t _p=1ms	1200	Une
P _D	Puissance maximale Dissipation @ T _j=175℃	4166	Le

Diode

Le symbole	Description	Valeur	Unité
V. Le groupe _RRM	Voltage inverse de pointe répétitif	1700	V. Le groupe
Je _F	Diode à courant continu vers l'avant	600	Une
Je _FM	Courant Avant Maximum du Diode t _p=1ms	1200	Une
Je _{Le FSM}	Courant de surtension en avant VR=0V, tp=10ms, @Tj=25℃ @Tj=150℃	3400	Une
Je _{Le FSM}			Une	2700
Je ²t	Valeur de I 2 t, tp=10ms @ Tj=25℃ @ Tj=150℃	57800	Une ²s
Je ²t	Valeur de I 2 t, tp=10ms @ Tj=25℃ @ Tj=150℃		Une ²s	36450

Module

Le symbole	Description	Valeur	Unité
T _jmax	Température maximale de jonction	175	℃
T _{le jouet}	Température de fonctionnement des jonctions	-40 à +150	℃
T _GST	Plage de température de stockage	-40 à +125	℃
V. Le groupe _ISO	Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1min	4000	V. Le groupe