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Module de transistor IGBT GD450HFX170C6S pour onduleur, nouveau et composants électroniques d'origine starpower Module de puissance

Module de transistor IGBT GD450HFX170C6S pour onduleur, nouveau et composants électroniques d'origine starpower Module de puissance

Introduction

Profil de l'entreprise

Beijing World E To Technology Co., Ltd. est une entreprise axée sur la technologie, dotée de qualifications d'importation et
d'exportation, principalement active dans la distribution de semi-conducteurs produits et la personnalisation contractuelle fabriquée en CHINE.
Nous avons des exigences strictes concernant le choix des fabricants. Par conséquent, nous distribuons uniquement des produits provenant de fabricants chinois avec
une technologie de pointe.
L'optimisation de la personnalisation des lignes de transmission automatique en usine constitue une autre partie importante de notre contrat.
fabrication.

Nos PRODUITS

1	Module IGBT et Conducteur
2	Module IGCT et Conducteur
3	Module FRD
4	Module de diode
5	Module de thyristeur
6	Capteur de courant
7	Condensateur
8	Résistance
9	Relais à état solide
10	Robots industriels et pièces principales
11	Aéronefs non pilotés civils et pièces principales

Pourquoi nous choisir

1. nous distribuons uniquement des produits de fabricants chinois disposant d'une technologie de pointe. C'est notre mesure clé.
2. Nous avons des exigences strictes concernant le choix des fabricants.
3. Nous sommes en mesure d'offrir aux clients des solutions alternatives provenant de Chine.
4. Nous disposons d'une équipe responsable.

Description des produits

Les données de référence doivent être fournies par les autorités compétentes.

1700V/450A 6 en un seul emballage

Description générale
Ce type de module de puissance offre une perte de conduction ultra faible ainsi qu'une robustesse en cas de court-circuit. Ils sont conçus pour des applications telles que les onduleurs généraux et les systèmes d'alimentation ininterrompue (UPS).

Fonctionnalités

(1) Technologie IGBT à tranchée avec bas VCE(sat)
(2) Capacité de court-circuit de 10μs
(3) VCE(sat) avec coefficient de température positif
(4) Température maximale de la jonction de 175℃
(5) Boîtier à faible inductance
(6) Diode FWD anti-parallèle rapide et douce à récupération inverse
(7) Plaque de cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Applications Typiques

(1) Onduleur pour entraînement moteur
(2) Amplificateur de servocommande AC et DC
(3) Système d'alimentation sans interruption

Rating absolu maximum

T _C=25℃ sauf indication contraire

L'IGBT

Le symbole	Description	Valeur	Unité
V. Le groupe _{Le CES}	Voltage du collecteur-émetteur	1700	V. Le groupe
V. Le groupe _GES	Voltage de l'émetteur de la porte	± 20	V. Le groupe
Je _C	Courant collecteur @ T _C=25℃ @ T _C=100℃	706 450	Une
Je _Cm	Courant collecteur pulsé t _p=1ms	900	Une
P _D	Puissance maximale Dissipation @ T _j=175℃	2542	Le

Diode

Le symbole	Description	Valeur	Unité
V. Le groupe _RRM	Voltage inverse de pointe répétitif	1700	V. Le groupe
Je _F	Diode à courant continu vers l'avant	450	Une
Je _FM	Courant Avant Maximum du Diode t _p=1ms	900	Une

Module

Le symbole	Description	Valeur	Unité
T _jmax	Température maximale de jonction	175	℃
T _{le jouet}	Température de fonctionnement des jonctions	-40 à +150	℃
T _GST	Plage de température de stockage	-40 à +125	℃
V. Le groupe _ISO	Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1min	2500	V. Le groupe