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Module IGBT CRRC TG1000HF17H1-S300 1700V Inverseurs Convertisseurs Commandes Original Neuf Éoliennes Modules Semi-Conducteurs Discrets

Module IGBT CRRC TG1000HF17H1-S300 1700V Inverseurs Convertisseurs Commandes Original Neuf Éoliennes Modules Semi-Conducteurs Discrets

Introduction

Profil de l'entreprise

Beijing World E To Technology Co., Ltd. est une entreprise axée sur la technologie, possédant des qualifications d'importation et d'exportation. Fondée sur les principes d'innovation et d'excellence, elle se place à l'avant-garde des solutions de remplacement et de la technologie dans le domaine des semi-conducteurs. Spécialisée dans la conception de produits semi-conducteurs, la personnalisation sous contrat et la distribution. Nous avons des exigences strictes concernant le choix de nos partenaires de coopération ; nous collaborons uniquement avec des entreprises technologiques et des fabricants disposant des technologies de conception et de fabrication de premier ordre. L'optimisation de la personnalisation des lignes de transmission automatique en usine constitue une autre partie importante de notre fabrication sous contrat.

Notre produits

1	Module IGBT et Conducteur
2	Module IGCT et Conducteur
3	Plaque de base d'inverseur
4	Module de diode
5	Module de thyristeur
6	Capteur de courant
7	Condensateur
8	Résistance
9	Système de stockage d'énergie
10	Robots industriels et pièces principales
11	Aéronefs non pilotés civils et pièces principales

Description des produits

Fonctionnalités

(1) Plaque de base AISiC pour une grande capacité de cyclage à haute puissance
(2) Cu Baseplate
(3) Grande capacité de cyclage thermique
(4) Densité de courant élevée

(5) Résistance aux courts-circuits de 10 μs
(6) Faible VCEsat

Applications Typiques

(1) Entraînements de moteur
(2) Convertisseurs haute puissance
(3) Éoliennes
(4) Inverseur à haute fiabilité

TG1000HF17H1-S300

1700V/1000A Pont IGBT à demi-conducteur

Paramètres Clés

Le symbole	Description	Valeur	Unité
V. Le groupe _{Le CES}		1200	V. Le groupe
V. Le groupe _{CE (sat)}	- Je sais.	1.85	V. Le groupe
Je _C	Je suis désolé.	1000	Une
IC ((RM)	Je suis désolé.	2000	Une

Évaluations maximales absolues( Tcase = 25°C sauf indication contraire )

Le symbole	Description	Valeur	Unité
V. Le groupe _{Le CES}	Voltage du collecteur-émetteur	1700	V. Le groupe
V. Le groupe _GES	Voltage de l'émetteur de la porte	± 20	V. Le groupe
Je _C	Courant collecteur @ Tcase = 90 °C	1000	Une
Je _{C (((PK)}	Courant collecteur maximal, tp=1ms, Tcase = 110 °C	2000	Une
P _max	Dissipation de puissance maximale du transistor, Tvj = 150°C, Tcase = 25 °C	6250	Le
Je ²t	Diode I ²t ,V _R=0V, T _P= 10ms, T _vj= 150°C	144	kA ²s
V. Le groupe _isolée	(Bornes communes à la plaque de base), AC RMS, 1 min, 50Hz	4000	V. Le groupe
Je _F	Courant de fonctionnement du diode, CC	1000	Une
Je _MFN	Courant maximal de fonctionnement du diode, tp=1ms	2000	Une
Couples de montage	Assemblage – M5	6	Nm
	Assemblage – M5	6
		Connexions électriques – M8		10

Caractéristiques électriques

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

typ

Je suis désolé.

Valeur

Unité

V. Le groupe _F

Tension Directe de Diode

Je _F=1000A, V _GE = 0, Tvj = 25 °C

1.80

2.20

V. Le groupe

Je _F=1000A, V _{Généralement générés}= 0, Tvj = 125 °C

1.90

2.30

Je _F=1000A, V _{Généralement générés}= 0, Tvj = 125 °C

1.90

2.30

Je _MFN

Courant de pic direct de la diode

t _P= 1ms

2000

Une

Je _F

Courant de fonctionnement du diode,

1000

Une

Je suis désolé.

Diode à l'envers
courant de récupération

SI =1000A,
VCE = 900V,
- diF/dt = 7200A/us
(Tvj = 150 °C)

@Tvj= 25 °C

@Tvj= 125 °C

@Tvj= 150 °C

520

Une

620

655

Je suis désolé.

Diode à l'envers
frais de recouvrement

285

le taux de décharge

315

340

E. Je suis désolé. _réc

Énergie de récupération inverse de la diode

SI =900A,
VCE = 600V,
- diF/dt = 6800A/us
(Tvj= 150 °C).@Tvj= 25 °C
@Tvj= 125 °C
@Tvj= 150 °C

110

je suis désolé.

235

240

Caractéristiques électriques

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unité
V. Le groupe _{CE (sat)}	Voltage de saturation du collecteur-émetteur	V. Le groupe _{Généralement générés}=15V, I _C= 900A, T _vj= 25°C		1.75	2.15	V. Le groupe
				V. Le groupe _{Généralement générés}=15V, I _C= 900A, T _{v. Le groupe}j= 125°C			2.1	2.5
				V. Le groupe _{Généralement générés}=15V, I _C= 900A, T _vj= 150°C			2.2	2.6
Je _{Le CES}	Courant de coupure du collecteur	V. Le groupe _{Généralement générés}=15V, I _C= 900A, Tvj= 25°C			1	le nombre de
				V. Le groupe _{Généralement générés}=15V, I _C= 900A, Tvj= 125°C				10
				V. Le groupe _{Généralement générés}=15V, I _C= 900A, Tvj= 150°C				20
Je _GES	Courant de fuite de grille	V. Le groupe _CE=0V, V _{Généralement générés}= ± 20 V,			4	μA
V. Le groupe _{GE (TH)}	Voltage de seuil de la porte émetteur	Je _C= 40mA, V _{Généralement générés}= V _CE	5.0	6.0	7.0	V. Le groupe
t _d(on)	Temps de retard d'activation @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IC =1000A, VCE = 900V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 1.8Ω, LS = 20nH, dv/dt =3000V/us (Tvj = 150 °C) @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C		1320		n.S.
								1410
								1440
le numéro de téléphone	Temps de retard de déclenchement @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IC =1000A, VCE = 900V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 1.8Ω, LS = 20nH, dv/dt =3000V/us (Tvj = 150 °C) @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C		500		n.S.
								470
								450
Je _SC	Courant de court-circuit	Tvj= 150°C, V _CC= 800V, V. Le groupe _{Généralement générés}≤15V, tp≤10μs, V. Le groupe _CE(max)= VCES –L(*2)×di/dt, IEC 6074-9		3800		Une
Les	Capacité d'entrée	V. Le groupe _CE= 25V, V _{Généralement générés}= 0V, f = 100kHz		147		nF
Des produits	Capacité de transfert inverse	V. Le groupe _CE= 25V, V _{Généralement générés}= 0V, f = 100kHz		1.5		nF
Le siège	Charge de la porte	±15V		11.4		µC
E. Je suis désolé. _sur	Perte d'énergie à l'activation @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	SI =1000A, VCE = 900V, - diF/dt = 7200A/us (Tvj = 150 °C)		340		je suis désolé.
								370
								385
E. Je suis désolé. _éteint	Énergie de perte de commutation à l'extinction @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IIF =1000A, VCE = 900V, - diF/dt = 7200A/us (Tvj = 150 °C)		350		je suis désolé.
								360
								385

Pourquoi nous choisir

1. nous distribuons uniquement des produits de fabricants chinois disposant d'une technologie de pointe. C'est notre mesure clé.
2. Nous avons des exigences strictes concernant le choix des fabricants.
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Emballage du produit