Introduction brève
Module de thyratron de soudage ,M F C 160，160A, Refroidissement par air ,produit par TECHSEM.
VDRM ,VRRM |
Type & Contour |
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800V
1000V
les autres
1400V
1600V
1800V
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MFC160-08-229H3 MFC160-10-229H3 MFC160-12-229H3 MFC160-14-229H3 MFC160-16-229H3 MFC160-18-229H3 |
MFC160-08-229H3B
MFC160-10-229H3B
MFC160-12-229H3B
MFC160-14-229H3B
MFC160-16-229H3B
MFC160-18-229H3B
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Caractéristiques ：
- Base de montage isolée 3000V~
-
Technologie de jonction soudée avec capacité de cyclage de puissance accrue
- Économie d'espace et de poids
Applications Typiques ：
- Moteurs à courant alternatif
- Divers redresseurs
- Alimentation CC pour onduleur PWM
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Le symbole
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Caractéristique
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Conditions d'essai
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Tj( ℃ ) |
Valeur |
Unité
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Min |
Type |
Max |
Les États membres |
Courant moyen en état passant |
180° onde sinusoïdale demi 50Hz refroidi par un seul côté, Tc=85 ℃ |
125 |
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160 |
A |
RMS (en anglais seulement) |
Courant de l'état actif RMS |
125 |
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251 |
A |
Idrm Irrm |
Courant de crête répétitif |
à VDRM à VRRM |
125 |
|
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40 |
le nombre de |
ITSM |
Courant de surtension en état passant |
onde sinusoïdale demi-cycle 10ms VR=60%VRRM |
125
|
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3.8 |
kA |
I2t |
I2t pour coordination de fusion |
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72.2 |
A 2s*10 3 |
VTO |
Voltage de seuil |
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125
|
|
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0.85 |
V. Le groupe |
rT |
Résistance de pente en état passant |
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1.50 |
mΩ |
VTM |
Tension de pointe en état passant |
ITM=480A |
25 |
|
|
1.80 |
V. Le groupe |
dv/dt |
Taux critique d'augmentation de la tension de seuil |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
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1000 |
V/μs |
di/dt |
Taux critique d'augmentation du courant en état actif |
Source de porte 1.5A
tr ≤0.5μs Répétitif
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125 |
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200 |
A/μs |
TIG |
Courant de déclenchement de porte |
VA= 12V, IA= 1A
|
25
|
30 |
|
200 |
le nombre de |
Vgt |
Tension de déclenchement de porte |
0.6 |
|
2.5 |
V. Le groupe |
Je suis |
Courant de maintien |
10 |
|
250 |
le nombre de |
IL |
Courant de verrouillage |
|
|
1000 |
le nombre de |
VGD |
Tension de porte non déclenchée |
VDM=67%VDRM |
125 |
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|
0.2 |
V. Le groupe |
Rth(j-c) |
Résistance thermique jonction à boîtier |
Refroidi par un seul côté par puce |
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|
0.17 |
℃ /W |
Rth(c-h) |
Résistance thermique du boîtier au dissipateur |
Refroidi par un seul côté par puce |
|
|
|
0.08 |
℃ /W |
VISO |
Tension d'isolement |
50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
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3000 |
|
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V. Le groupe |
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FM
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Couple de connexion des bornes (M6) |
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2.5 |
|
4.0 |
N m |
Couple de montage (M6) |
|
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4.5 |
|
6.0 |
N m |
Tvj |
Température de jonction |
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|
-40 |
|
125 |
℃ |
TSTG |
Température de stockage |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Poids |
|
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|
165 |
|
g |
Le schéma |
229H3/229H3B |
EN
