YMIBH250-33, Module IGBT, Pont semi-conducteur IGBT, CRRC

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Valeur

Unité

VCES

Voltage du collecteur-émetteur

VGE = 0V, TC= 25 °C

3300

V. Le groupe

VGES

Voltage de l'émetteur de la porte

TC= 25 °C

± 20

V. Le groupe

IC

Courant collecteur-émetteur

TC = 100 °C

250

A

IC(PK)

Courant de collecteur de pointe

tp = 1 ms

500

A

Pmax

Dissipation de puissance maximale du transistor

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

2.6

kW

I2t

Diode I2t

VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C

20

kA2s

Le visol

Tension d'isolement - par module

(Terminaux communs au châssis), AC RMS,1 min, 50Hz, TC= 25 °C

6

kV

QPD

Décharge partielle - par module

IEC1287. V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

10

pC

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

Le CIEM

Courant de coupure du collecteur

VGE = 0V,VCE = VCES

1

le nombre de

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

15

le nombre de

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

25

le nombre de

IGES

Courant de fuite de grille

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

Tension de seuil de porte

IC = 20mA, VGE = VCE

5.5

6.1

7.0

V. Le groupe

VCE (sat)(*1)

Saturation collecteur-émetteur tension

VGE =15V, IC = 250A

2.50

2.80

V. Le groupe

VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.15

3.45

V. Le groupe

VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.30

3.60

V. Le groupe

Si

Courant direct de la diode

CC

250

A

RFI

Courant de pic direct de la diode

tp = 1ms

500

A

VF(*1)

Tension Directe de Diode

IF = 250A, VGE = 0

2.10

2.40

V. Le groupe

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

2.25

2.55

V. Le groupe

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.25

2.55

V. Le groupe

CSI

Courant de court-circuit

Tvj = 150°C, VCC = 2500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9

900

A

Le CIEM

Courant de coupure du collecteur

VGE = 0V,VCE = VCES

1

le nombre de

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

15

le nombre de

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

25

le nombre de

IGES

Courant de fuite de grille

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

Tension de seuil de porte

IC = 20mA, VGE = VCE

5.5

6.1

7.0

V. Le groupe

VCE (sat)(*1)

Saturation collecteur-émetteur

tension

VGE =15V, IC = 250A

2.50

2.80

V. Le groupe

VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.15

3.45

V. Le groupe

VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.30

3.60

V. Le groupe

Si

Courant direct de la diode

CC

250

A

RFI

Courant de pic direct de la diode

tp = 1ms

500

A

VF(*1)

Tension Directe de Diode

IF = 250A, VGE = 0

2.10

2.40

V. Le groupe

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

2.25

2.55

V. Le groupe

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.25

2.55

V. Le groupe

CSI

Courant de court-circuit

Tvj = 150°C, VCC = 2500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9

900

A

t d(off)

Temps de retard de déclenchement

Je C =250A,

V. Le groupe CE = 1800V, V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, R G(OFF) = 9.0Ω , C Généralement générés = 56nF,

L S = 150nH,

T vj = 25 °C

1480

n.S.

T vj = 125 °C

1550

T vj = 150 °C

1570

t f

Temps d'automne

T vj = 25 °C

1280

n.S.

T vj = 125 °C

1920

T vj = 150 °C

2120

E Éteint

Perte d'énergie à l'arrêt

T vj = 25 °C

300

je suis désolé.

T vj = 125 °C

380

T vj = 150 °C

400

t d(on)

Temps de retard d'activation

Je C =250A,

V. Le groupe CE = 1800V, V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, R Le nombre de personnes concernées = 6.0Ω , C Généralement générés = 56nF,

L S = 150nH,

T vj = 25 °C

640

n.S.

T vj = 125 °C

650

T vj = 150 °C

650

t r

Il est temps de monter.

T vj = 25 °C

220

n.S.

T vj = 125 °C

235

T vj = 150 °C

238

E Sur

Énergie d'activation perte de

T vj = 25 °C

395

je suis désolé.

T vj = 125 °C

510

T vj = 150 °C

565

Q: Le numéro rR

Diode inverse

frais de recouvrement

Je F =250A,

V. Le groupe CE = 1800V,

- Je ne sais pas. je F /dt = 1200A/us, (T vj = 125 °C).

T vj = 25 °C

190

le taux de décharge

T vj = 125 °C

295

T vj = 150 °C

335

Je rR

Diode inverse

courant de récupération

T vj = 25 °C

185

A

T vj = 125 °C

210

T vj = 150 °C

216

E réc

Diode inverse

énergie de récupération

T vj = 25 °C

223

je suis désolé.

T vj = 125 °C

360

T vj = 150 °C

410