GD3600SGX170C4S, Module IGBT, Module IGBT à grand courant, STARPOWER

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1700

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

IC

Courant collecteur @ T C=100o C

3600

A

ICm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

7200

A

PD

Puissance maximale Dissipation @ T j =175o C

21.4

kW

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1700

V

IF

Diode courant continu avant Cu rente

3600

A

IFM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

7200

A

ILe FSM

Courant de surtension en avant V R =0V,T p =10ms, @T j =25o C @T j =150o C

23.22 19.95

kA

I2t

I2valeur-t,V R =0V,T p =10m s,T j =25o CI2valeur-t,V R =0V,T p = 10 ms ,t j =150o C

2695

1990

kA2s

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute

4000

V

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

IC= 3600A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

1.85

2.30

V

IC= 3600A,V Généralement générés = 15 V, T j =125o C

2.25

IC= 3600A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C

2.30

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

IC=144.0le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ILe CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T j =25o C

5.0

le nombre de

IGES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Le gint

Résistance interne de la porte

0.7

oh

C- Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE =25V,f=100kHz, V Généralement générés =0V

427

nF

Crés

Transfert inverse Capacité

10.7

nF

QG

Charge de la porte

V Généralement générés =-15…+15V

35.3

le taux de décharge

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C= 3600A, R Gon =1.2Ω, R Goff = 0,9Ω, V Généralement générés =-9V/+15V,

LS =65nH ,T j =25o C

1161

n.S.

t r

Il est temps de monter.

413

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

4761

n.S.

t f

Temps d'automne

430

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

1734

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

2580

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C= 3600A, R Gon =1.2Ω, R Goff = 0,9Ω, V Généralement générés =-9V/+15V,

LS =65nH ,T j =125o C

1370

n.S.

t r

Il est temps de monter.

547

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

5303

n.S.

t f

Temps d'automne

457

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

2679

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

2881

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C= 3600A, R Gon =1.2Ω, R Goff = 0,9Ω, V Généralement générés =-9V/+15V,

LS =65nH ,T j =150o C

1413

n.S.

t r

Il est temps de monter.

585

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

5490

n.S.

t f

Temps d'automne

473

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

2863

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

2960

je suis désolé.

ISC

Données SC

t P≤ 10 μs, V Généralement générés = 15 V,

T j =150o C,V CC =1000V, V MEC ≤ 1700V

14.0

kA

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant Tension

IF = 3600A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF = 3600A,V Généralement générés =0V,T j =125o C

1.90

IF = 3600A,V Généralement générés =0V,T j =150o C

1.95

Qr

Charge récupérée

V R = 900V,I F = 3600A,

-di/dt=7000A/μs,V Généralement générés =-9V, LS =65nH ,T j =25o C

207

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

1030

A

Eréc

Récupération Énergie

199

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V R = 900V,I F = 3600A,

-di/dt=5700/μs,V Généralement générés =-9V, LS =65nH ,T j =125o C

288

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

1020

A

Eréc

Récupération Énergie

339

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V R = 900V,I F = 3600A,

-di/dt=5200A/μs,V Généralement générés =-9V, LS =65nH ,T j =150o C

391

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

996

A

Eréc

Récupération Énergie

341

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

LCE

Inductivité de déplacement

6.0

nH

R CC+EE

Module de résistance au plomb, Terminal au chip

0.085

mΩ

R le CJJ

Réservoir -à -Boîtier (parIGBT ) Les données de référence sont fournies par le système de mesure de la capacité. (voir aussi

7.0 12.8

K/kW

R thCH

Boîtier -à -Disjoncteur (parIGBT )Pour les appareils de traitement des eaux usées, le système de chauffage doit être conforme aux normes de sécurité énoncées à l'annexe II. diode) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge doit être de 0,8 MPa. (voir le tableau ci-dessous)

6.2 11.3 4.0

K/kW

d Creepage

Bornes vers dissipateur de chaleur Borne vers Borne

32.2 32.2

mm

d Clair

Bornes vers dissipateur de chaleur Borne vers Borne

19.1 19.1

mm

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M4 Le couple de connexion du terminal, Vire M8 Le couple de montage Vire M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.m.

G

Poids de Module

2060

g