GD1200SGX170A3S, Module IGBT, Module IGBT à grand courant, STARPOWER

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1700

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je C

Courant collecteur @ T C = 25 o C @ T C = 100 o C

2206

1200

A

Je Cm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

2400

A

P D

Puissance maximale Dissipation @ T j = 175 o C

8.77

KW

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V. Le groupe RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1700

V. Le groupe

Je F

Diode courant continu avant Cu rente

1200

A

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

2400

A

Le symbole

Description

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V. Le groupe ISO

Tension d'isolation RMS, f=50Hz, t= une minute.

4000

V. Le groupe

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

Je C =1200A,V Généralement générés = 15 V, T j = 25 o C

1.85

2.20

V. Le groupe

Je C =1200A,V Généralement générés = 15 V, T j = 125 o C

2.25

Je C =1200A,V Généralement générés = 15 V, T j = 150 o C

2.35

V. Le groupe Généralement générés (le )

Seuil d'émetteur de porte Tension

Je C =48.0 le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , T j = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, T j = 25 o C

5.0

le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Le gint

Résistance interne de la porte

1.0

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V

145

nF

C rés

Transfert inverse Capacité

3.51

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V. Le groupe Généralement générés =-15 ... + 15V

11.3

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC = 900V,I C =1200A, R G =1,0Ω,

V. Le groupe Généralement générés =-9/+15V,

L S =65 nH ,T j = 25 o C

440

n.S.

t r

Il est temps de monter.

112

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

1200

n.S.

t f

Temps d'automne

317

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

271

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

295

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC = 900V,I C =1200A, R G =1,0Ω,

V. Le groupe Généralement générés =-9/+15V,

L S =65 nH ,T j = 125 o C

542

n.S.

t r

Il est temps de monter.

153

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

1657

n.S.

t f

Temps d'automne

385

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

513

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

347

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC = 900V,I C =1200A, R G =1,0Ω,

V. Le groupe Généralement générés =-9/+15V,

L S =65 nH ,T j = 150 o C

547

n.S.

t r

Il est temps de monter.

165

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

1695

n.S.

t f

Temps d'automne

407

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

573

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

389

je suis désolé.

Je SC

Données SC

t P ≤ 10 μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V,

T j = 150 o C,V CC =1000V, V. Le groupe MEC ≤ 1700V

4800

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe F

Diode vers l'avant Tension

Je F =1200A,V Généralement générés =0V, T j =25℃

1.80

2.25

V. Le groupe

Je F =1200A,V Généralement générés =0V, T j =125℃

1.90

Je F =1200A,V Généralement générés =0V, T j =150℃

1.95

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe CC = 900V,I F =1200A,

-di/dt=10500A/μs,V Généralement générés =-9V, L S =65nH,T j =25℃

190

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

844

A

E réc

Récupération Énergie

192

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe CC = 900V,I F =1200A,

-di/dt=7050A/μs,V Généralement générés =-9V, L S =65nH,T j =125℃

327

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

1094

A

E réc

Récupération Énergie

263

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe CC = 900V,I F =1200A,

-di/dt=6330A/μs,V Généralement générés =-9V, L S =65nH,T j =150℃

368

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

1111

A

E réc

Récupération Énergie

275

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

L CE

Inductivité de déplacement

12

nH

R CC+EE

Résistance au plomb du module, terminal à la puce

0.19

mΩ

R le CJJ

Réservoir -à -Étude de cas (parIGBT ) Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)

17.1 26.2

K/kW

R thCH

Étude de cas -à -Disjoncteur (parIGBT )Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 diode) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)

9.9 15.2 6.0

K/kW

M

Terminal de puissance Vis:M4 Terminal de puissance Vis:M8 Vis de montage:M6

1.8 8.0 4.25

2.1 10.0 5.75

N.m.

G

Poids de Module

1050

g