GD1000HFX170P2, Module IGBT, IGBT Pont Semi, STARPOWER

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Valeur

Unité

VCES

Voltage du collecteur-émetteur

VGE = 0V, TC= 25 °C

1700

V. Le groupe

VGES

Voltage de l'émetteur de la porte

TC= 25 °C

± 20

V. Le groupe

IC

Courant collecteur-émetteur

TC = 65 °C

1400

A

IC(PK)

courant de pic du collecteur

Courant de collecteur de pointe

tp = 1 ms

2800

A

Pmax

Dissipation de puissance maximale du transistor

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

6.25

kW

I2t

Diode I2t

VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C

145

kA2s

Le visol

Tension d'isolement - par module

Bornes communes au plateau de base), AC RMS,1 min, 50Hz, TC= 25 °C

4000

V. Le groupe

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

Le CIEM

Courant de coupure du collecteur

VGE = 0V,VCE = VCES

1

le nombre de

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

20

le nombre de

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

30

le nombre de

IGES

Courant de fuite de grille

VGE = ±20V, VCE = 0V

0.5

μA

VGE (TH)

Tension de seuil de porte

IC = 30mA, VGE = VCE

5.00

6.00

7.00

V. Le groupe

VCE (sat)(*1)

Saturation collecteur-émetteur tension

VGE =15V, IC = 1400A

2.00

2.40

V. Le groupe

VGE =15V, IC = 1400A, Tvj = 125 °C

2.45

2.70

V. Le groupe

VGE =15V, IC = 1400A, Tvj = 150 °C

2.55

2.80

V. Le groupe

Si

Courant direct de la diode

CC

1400

A

RFI

Courant de pic direct de la diode

tp = 1ms

2800

A

VF(*1)

Tension Directe de Diode

IF = 1400A, VGE = 0

1.80

2.20

V. Le groupe

IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

1.95

2.30

V. Le groupe

IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.00

2.40

V. Le groupe

CSI

Courant de court-circuit

Tvj = 150°C, VCC = 1000V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9

5400

A

Les

capacité d'entrée

Capacité d'entrée

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

113

nF

Le siège

Charge de la porte

±15V

11.7

le taux de décharge

Des produits

Capacité de transfert inverse

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

3.1

nF

LM

Inductance du module

10

nH

RINT

Résistance interne du transistor

0.2

mΩ

le numéro de téléphone

Temps de retard de déclenchement

IC =1400A,

VCE = 900V,

VGE = ±15V, RG(OFF) = 1.8Ω , LS = 20nH,

dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C).

Tvj = 25 °C

1520

n.S.

Tvj= 125 °C

1580

Tvj = 150 °C

1600

tf

temps de descente Temps d'automne

Tvj = 25 °C

460

n.S.

Tvj= 125 °C

610

Tvj = 150 °C

650

Je vous en prie.

Perte d'énergie à l'arrêt

Tvj = 25 °C

460

je suis désolé.

Tvj= 125 °C

540

Tvj = 150 °C

560

le numéro de téléphone

Temps de retard d'activation

IC =1400A,

VCE = 900V,

VGE = ±15V, RG(ON) = 1.2Ω , LS = 20nH,

di/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C).

Tvj = 25 °C

400

n.S.

Tvj= 125 °C

370

Tvj = 150 °C

360

le

Il est temps de monter.

Tvj = 25 °C

112

n.S.

Tvj= 125 °C

120

Tvj = 150 °C

128

Eon

Perte d'énergie à l'activation

Tvj = 25 °C

480

je suis désolé.

Tvj= 125 °C

580

Tvj = 150 °C

630

Je suis désolé.

Diode à l'envers

frais de recouvrement

IF =1400A, VCE = 900V,

- diF/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C).

Tvj = 25 °C

315

le taux de décharge

Tvj= 125 °C

440

Tvj = 150 °C

495

Je suis désolé.

Diode à l'envers

courant de récupération

Tvj = 25 °C

790

A

Tvj= 125 °C

840

Tvj = 150 °C

870

Érec

Diode à l'envers

énergie de récupération

Tvj = 25 °C

190

je suis désolé.

Tvj= 125 °C

270

Tvj = 150 °C

290