Introducción breve
Productos de la serie IGCT
Nuestra empresa ofrece tiristores con conmutación por compuerta integrados (IGCT) de alto rendimiento productos para aplicaciones electrónicas de potencia de alta potencia y media tensión. El IGCT combina las ventajas de la tecnología de tiristores y la tecnología avanzada de conmutación por compuerta, destacando por su capacidad de alta tensión, capacidad de manejo de corriente ultraelevada, bajas pérdidas de conducción, excelente rendimiento de conmutación y fiabilidad sobresaliente.
El portafolio de productos IGCT incluye dos series principales:
1. IGCT de conducción inversa (RC-IGCT)
El IGCT de conducción inversa integra el IGCT y el diodo de libre circulación en una única estructura semiconductor, ofreciendo una solución compacta con excelente rendimiento de conmutación y un diseño de sistema simplificado. Es ampliamente adecuado para aplicaciones como accionamientos de media tensión, convertidores y sistemas inversores de alta potencia.
2. IGCT asimétrico (A-IGCT)
El IGCT asimétrico está optimizado para aplicaciones de conmutación de alta potencia y ofrece una excelente capacidad de apagado, bajas pérdidas de conducción y alta densidad de corriente. Está diseñado para aplicaciones exigentes que requieren la máxima capacidad de manejo de potencia, como convertidores de media tensión, accionamientos industriales y sistemas de conversión de energía de alta potencia.
Gracias a su avanzada tecnología de semiconductores y su fiable empaquetado en formato press-pack, nuestros productos IGCT ofrecen soluciones eficientes y fiables para sistemas HVDC, conversión de energía renovable, accionamientos industriales de motores, sistemas de tracción y otras aplicaciones de alta potencia.
Aplicaciones
Convertidor de Alta Potencia
Equipos de accionamiento de motor
Sistema de transmisión flexible
Características
Con capacidad de autoapagado
Bajas pérdidas de operación
Ser apto para aplicación en serie
Clave Parámetros
V DRM |
4500 |
V |
I TGQM |
5000 |
A |
I TSM |
35 |
kA |
V A |
1.22 |
V |
barra T |
0.28 |
mΩ |
V DClink |
2800 |
V |
Bloqueo Datos
El símbolo |
Condición |
Mínimo |
Tipo |
Máx. |
Unidad |
V DRM |
TVJ = 125 ℃ , ID ≤ IDRM , tp = 10 ms |
- |
- |
4500 |
V |
I DRM |
TVJ = 125 ℃ , VD = VDRM , tp = 10 ms |
- |
- |
50 |
el número de |
dv/dt |
TVJ = 125 ℃ , VD = 0,67 × VDRM |
|
|
1000 |
V/μs |
VDClink |
tensión de continua intermedia permitida para una tasa de fallos de 100 FIT |
- |
- |
2800 |
V |
VIRM |
/ |
- |
- |
17 |
V |
Estado de encendido Datos
El símbolo |
Condición |
Mínimo |
Tipo |
Máx. |
Unidad |
I T(RMS) |
TC = 85 ℃ , Onda senoidal semiperiódica, refrigeración bilateral |
- |
- |
3000 |
A |
|
I TSM
I 2t
|
TVJ = 125 ℃ , Onda senoidal semiperiódica, 10 ms, VD = VR = 0 |
-
-
|
-
-
|
35
545
|
kA
104A 2s
|
V TM |
TVJ = 125 ℃, IT = 5000 A |
- |
2.37 |
2.61 |
V |
|
V A
barra T
|
TVJ = 125 ℃, IT = 1000…5000 A
|
-
-
|
-
-
|
1.22
0.28
|
V mΩ |
Enciende Datos
El símbolo |
Condición |
Mínimo |
Tipo |
Máx. |
Unidad |
diT/dt |
TVJ = 125 ℃, IT = 5000 A, VD = 2800 V, f = 0…500 Hz |
- |
- |
5000 |
A/μs |
tdon |
|
- |
- |
4 |
μs |
|
t donSF
tr
|
TVJ = 125 ℃, IT = 5000 A, VD = 2800 V, di/dt = VD/Li, CCL = 20 μF, RS = 0,4 Ω, Li = 3 μH, LCL = 0,3 μH |
-
-
|
-
-
|
8
1
|
μs
μs
|
E on |
|
- |
- |
1.8 |
J |
Datos de apagado
El símbolo |
Condición |
Mínimo |
Typ e |
Máx. |
Unidad |
|
I TGQM
|
TVJ = 125 ℃, VDM ≤ VDRM, VD = 2800 V, LCL = 0,3 μH, CCL = 20 μF, RS = 0,4 Ω, f = 0…300 Hz
DFWD = DCL=SF8.FYB2000-45
|
-
|
-
|
5000
|
A
|
|
t doff
t doffSF
el
E OFF
|
TVJ = 125 ℃, ITGQ = 5000 A, VD = 2800 V, VDM ≤ VDRM, CCL = 20 μF, RS = 0,4 Ω
L i =4μH, L CL = 0.3μH
DFWD = DCL= SF8.FYB2000-45
|
-
-
-
-
|
-
-
-
28
|
8
10
1
33
|
μs
μs
μs
J
|
EN
