Breve introducción
Módulos de diodo de recuperación rápida , MZ250 ,2800V~3000V,Air Cooling ,producido por TECHSEM.
VIRM |
Tipo y contorno |
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las demás
las demás
las demás
las demás
3000 V
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MZ250-20-417F2
MZ250-22-417F2
MZ250-25-417F2
MZ250-28-417F2
MZ250-30-417F2
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Características ：
-
Base de montaje aislada 3000V~
-
Tecnología de contacto por presión con Capacidad de ciclo de potencia aumentada
- Ahorro de espacio y peso
Aplicaciones típicas ：
- El invertidor
- Calentamiento por inducción
- Helicóptero
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El símbolo
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CARAC TERÍSTICAS
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Condiciones de ensayo
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Tj(°C)
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Valor |
Unidad
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Mín |
Tipo |
Máx |
IF(AV) |
Corriente media directa |
180° media onda senoidal 50Hz
Enfriamiento por un solo lado, TC=85°C
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140
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250 |
A |
IF(RMS) |
Corriente directa RMS |
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392 |
A |
MIRR |
Corriente pico repetitiva |
en VRRM |
140 |
|
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50 |
el número de |
El IFSM |
Corriente de avance de sobretensión |
10ms media onda sinusoidal VR=0.6VRRM |
140
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8 |
kA |
Yo 2t |
Yo 2t para coordinación de fusión |
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320 |
103A 2s |
VFO |
Voltaje de umbral |
|
140
|
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1.85 |
V |
rF |
Resistencia de pendiente directa |
|
|
0.50 |
mΩ |
VFM |
Voltaje directo pico |
IFM=750A |
25 |
|
|
2.67 |
V |
trr |
Tiempo de recuperación inversa |
IFM=300A, tp=4000μs, -di/dt=20A/μs, VR= 100V |
140 |
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4 |
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μs |
Rth(j-c) |
Resistencia térmica unión a carcasa |
Enfriado por un lado por chip |
|
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0.065 |
°C /W |
Rth(c-h) |
Resistencia térmica de la caja al disipador |
Enfriado por un lado por chip |
|
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0.030 |
°C /W |
VISO (en inglés) |
Voltaje de aislamiento |
50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
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3000 |
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V |
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- ¿ Qué?
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Par de conexión del terminal (M10) |
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10 |
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12 |
Nuevo Méjico |
Par de montaje (M6) |
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4.5 |
|
6.0 |
Nuevo Méjico |
TVj |
Temperatura de unión |
|
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-40 |
|
140 |
°C |
TSTG |
Temperatura almacenada |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
El |
Peso |
|
|
|
770 |
|
g. El |
Esquema |
417F2 |
EN
