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MOSFET de unión súper

MOSFET de unión súper

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MOSFET de unión súper, 550 V–950 V

Los productos de la serie de MOSFET de unión súper de nuestra empresa se fabrican mediante tecnologías avanzadas de zanja profunda y epitaxiales múltiples, lo que les confiere una resistencia en conducción y una carga de compuerta extremadamente bajas, reduciendo significativamente las pérdidas por conducción y conmutación. Son especialmente adecuados para sistemas de conversión electrónica de potencia de alta densidad de potencia y alta eficiencia.

Brand:
YT
Spu:
MOSFET de unión súper
Appurtenance:

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  • Introducción
Introducción

Ventajas técnicas del MOSFET de unión súper

El MOSFET de unión súper introduce un control del campo eléctrico lateral mediante estructuras alternadas de columnas de tipo P, basándose en el diseño tradicional de VDMOS, lo que hace que la distribución del campo eléctrico vertical se aproxime a una forma rectangular ideal.

En condiciones idénticas de resistencia epitaxial, esta estructura incrementa la capacidad de soporte de tensión del dispositivo en aproximadamente un 20 %. Para productos una misma tensión nominal, la tecnología de unión súper puede reducir la resistencia en conducción por unidad de superficie a menos de 1/8 de la correspondiente a las estructuras tradicionales, logrando así una optimización sinérgica entre las pérdidas de conducción y las características de bloqueo.

Los productos de la serie de MOSFET de unión súper de nuestra empresa se fabrican mediante tecnologías avanzadas de zanja profunda y epitaxiales múltiples, lo que les confiere una resistencia en conducción y una carga de compuerta extremadamente bajas, reduciendo significativamente las pérdidas por conducción y conmutación. Son especialmente adecuados para sistemas de conversión electrónica de potencia de alta densidad de potencia y alta eficiencia.

¿Por qué elegir nuestros productos de la serie MOSFET?

  • Bajas pérdidas de conducción

  • Baja pérdida de conmutación

  • Alta densidad de potencia

  • Gama completa de productos

Aplicaciones

  • Cargador de vehículo (OBC)
  • Fuente de alimentación para servidores
  • fuente de Alimentación de Comunicación
  • Convertidor DC/DC montado en vehículo
  • pilas de carga
  • cargador
  • adaptador
  • Alimentación de TV
  • nuevas energías
  • LED
  • PC

Diagrama esquemático del MOSFET de unión superpuesta (epitaxia múltiple)

超结MOSFET多次外延示意图.png

Comparación entre el MOSFET planar y el MOSFET de unión superpuesta

超结MOSFET示意图.png

Sobre nosotros

Nos enfocamos en el aplicación de productos IGBT. Sobre la base de la aplicación de IGBT, hemos ampliado nuestro espectro de productos a la personalización de ensamblajes de alta gama, al mismo tiempo, nuestro negocio se ha expandido al campo de los productos de control de automatización, incluyendo ADC/DAC, LDO, amplificadores de instrumentación, relés electromagnéticos, PhotoMOS y MOSFET. De este modo, podemos colaborar con los principales fabricantes chinos en nuestros campos de especialización para ofrecer a nuestros clientes productos fiables y rentables.
Fundados sobre los principios de innovación y excelencia, estamos a la vanguardia de las soluciones alternativas y tecnologías en el sector semiconductor.
Nuestra visión es proporcionar soluciones alternativas a nuestros clientes, mejorar el rendimiento costo-eficacia de sus soluciones de aplicación y garantizar la seguridad de su cadena de suministro mediante fabricación en China.

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