MZx75,Módulo de Diodo de Recuperación Rápida,TECHSEM

600V~1800V,415F3

Brand:

TECHSEM

Spu:

MZx75

Appurtenance:

Folleto del producto:DESCARGAR

Breve introducción

Módulos de diodo de recuperación rápida , MZx75 ,MZ75 ,Enfriamiento por Aire ,producido por TECHSEM.

VIRM

Tipo y contorno

600V

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

MZx75-06-216F3

MZx75-08-216F3

MZx75-10-216F3

MZx75-12-216F3

MZx75-14-216F3

MZx75-16-216F3

MZx75-18-216F3

MZ75-18-216F3G

MZx significa cualquier tipo de MZC, MZA, MZK

Características ：

Aplicaciones típicas ：

El símbolo	Características	Condiciones de ensayo	Tj( ℃ )	Valor			Unidad
El símbolo	Características	Condiciones de ensayo	Tj( ℃ )	Mín	Tipo	Máx	Unidad
IF(AV)	Corriente media directa	180° media onda senoidal 50Hz Enfriado por un solo lado, TC=85 ℃	140			75	A. El
IF(RMS)	Corriente directa RMS		140			118	A. El
MIRR	Corriente pico repetitiva	en VRRM	140			20	el número de
El IFSM	Corriente de avance de sobretensión	10ms media onda sinusoidal VR=0.6VRRM	140			2.0	kA
El 1 de enero	I2t para coordinación de fusibles	10ms media onda sinusoidal VR=0.6VRRM	140			20	10³A. El ²s
VFO	Voltaje de umbral		140			1.10	V
rF	Resistencia de pendiente directa		140			3.00	m
VFM	Voltaje directo pico	IFM=225A	25			2.00	V
trr	Tiempo de recuperación inversa	IFM=200A,tp=4000μs, -di/dt=20A/μs,VR=50V	140		3.0		μs
trr	Tiempo de recuperación inversa	IFM=200A,tp=4000μs, -di/dt=20A/μs,VR=50V	25		2.0		μs
Rth(j-c)	Resistencia térmica unión a carcasa	Enfriado por un lado por chip				0.310	℃ /W
Rth(c-h)	Resistencia térmica de la caja al disipador	Enfriado por un lado por chip				0.080	℃ /W
- ¿ Qué?	Par de conexión de terminal (M6)			4.5		6.0	Nuevo Méjico
- ¿ Qué?	Par de montaje (M6)			4.5		6.0	Nuevo Méjico
VISO (en inglés)	Voltaje de aislamiento	50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)		3000			V
TVj	Temperatura de unión			-40		140	℃
TSTG	Temperatura almacenada			-40		125	℃
El	Peso				320		g. El
Esquema	216F3