Breve introducción
Módulos de diodo de recuperación rápida , MZ 100,Enfriamiento por Aire ,producido por TECHSEM.
VIRM |
Tipo y contorno |
600V |
MZ100-06-210F2NA |
MZ100-06-210F2NK |
800V |
MZ100-08-210F2NA |
MZ100-08-210F2NK |
1000V |
MZ100-10-210F2NA |
MZ100-10-210F2NK |
1200V |
MZ100-12-210F2NA |
MZ100-12-210F2NK |
1400V |
MZ100-14-210F2NA |
MZ100-14-210F2NK |
1600V |
MZ100-16-210F2NA |
MZ100-16-210F2NK |
1800V |
MZ100-18-210F2NA |
MZ100-18-210F2NK |
Características ：
- No Aislado.Base de montaje como
- terminal ánodo cátodo común.
-
Tecnología de contacto por presión con Capacidad de ciclo de potencia aumentada
- Ahorro de espacio y peso
Aplicaciones típicas
- El invertidor
- Calentamiento por inducción
- Helicóptero
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El símbolo
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Características
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Condiciones de ensayo
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Tj( ℃) |
Valor |
Unidad
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Mínimo |
Tipo |
Máx. |
IF(AV) |
Corriente media directa |
180°media onda senoidal 50Hz
Enfriado por un solo lado,TC= 100 ℃
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140 |
|
|
100 |
A |
IF (RMS) |
Corriente directa RMS |
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157 |
A |
MIRR |
Corriente pico repetitiva |
en VRRM |
140 |
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30 |
el número de |
El IFSM |
Corriente de avance de sobretensión |
10ms media onda sinusoidal VR=0.6VRRM |
140 |
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3.5 |
kA |
El 1 de enero |
I2t para coordinación de fusibles |
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61 |
A 2s* 10 3 |
VFO |
Voltaje de umbral |
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140
|
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1.05 |
V |
rF |
Resistencia de pendiente directa |
|
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1.80 |
mΩ |
VFM |
Voltaje directo pico |
IFM=300A |
25 |
|
|
1.90 |
V |
trr |
Tiempo de recuperación inversa |
IFM=200A, tp=4000μs, -di/dt=20A/μs, VR= 100V |
140 |
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4 |
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μs |
Rth(j-c) |
Resistencia térmica unión a carcasa |
Enfriado por un lado por chip |
|
|
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0.200 |
℃ /W |
Rth(c-h) |
Resistencia térmica de la caja al disipador |
Enfriado por un lado por chip |
|
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0.080 |
℃ /W |
- ¿ Qué? |
Par de conexión de terminal (M6) |
|
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6.0 |
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Nuevo Méjico |
Par de montaje (M6) |
|
|
|
6.0 |
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Nuevo Méjico |
TVj |
Temperatura de unión |
|
|
-40 |
|
140 |
℃ |
TSTG |
Temperatura almacenada |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
El |
Peso |
|
|
|
185 |
|
g |
Esquema |
210F2 |
EN
