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IGBT Die

IGBT Die

Página de Inicio /  Productos /  Componente IGBT

4500V 50A IGBT Die Alta tensión IGBT Die Pérdidas ultra bajas IGBT Die delgado Altamente resistente Diseño SPT+ Gran SOA Pasivación: Nitruro más poliamida

4500V 50A

Brand:
YT
Spu:
DG50P45K1
  • Introducción
Introducción

■Características

  • Dado IGBT delgado con pérdidas ultra bajas
  • Diseño SPT+ muy robusto
  • Gran SOA
  • Pasivación: Nitruro más poliamida

■ el desarrollo de la Máximo Valores nominales

Parámetro

El símbolo

Condiciones

Valor

Unidad

mín

máx

Voltagem del colector-emittente

VCES

VGE = 0 V

4500

V

Corriente de colector de CC

CI

631)

A

Corriente máxima del colector

MIC

Limitado por Tvjmax

100

A

Voltagem del emisor de la puerta

VGES

-20

+20

V

Cortocircuito IGBT SOA

tPSC

VCC = 3400 V, VCEM ≤ 4500 V, VGE ≤ 15 V,Tvj ≤ 125 °C

10

μs

Temperatura de unión

TVj

-40

125

°C

■ el desarrollo de la Valores de las características de las IGBT

Parámetro

El símbolo

Condiciones

Valor

Unidad

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Tensión de Ruptura Colector-Emisor

V (BR) CES

VGE = 0 V, IC = 1 mA, Tvj = 25 °C

4500

V

Tensión de saturación colector-emisor

VCE (sat)

IC = 63 A, VGE = 15 V

Tvj = 25 °C

2.70

3.05

V

Tvj = 125 °C

3.35

3.85

V

Corriente de Corte Colector-Emisor

El CIEM

VCE = 4500 V,VGE = 0 V

Tvj = 25 °C

100

µA

Tvj = 125 °C

1500

µA

Corriente de Fuga de Puerta-Emisor

El IGES

VCE = 0 V, VGE = ±20 V, Tvj = 125 °C

-500

500

nA

Voltaje de umbral de puerta-emisor

VGE (h)

IC = 10 mA, VCE = VGE, Tvj = 25 °C

6.7

7.2

7.7

V

Cargo por puerta

El número de

IC = 63 A, VCE = 2800 V, VGE = -15 V ~ 15 V

520

nC

Capacidad de entrada

Las

VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz, Tvj = 25 °C

6.46

nF (número de trabajo)

Capacidad de salida

Coes

0.46

nF (número de trabajo)

Capacidad de transferencia inversa

El Cres

0.17

nF (número de trabajo)

Resistencia de la puerta interna

RGint

5

ω

IGBT芯片尺寸(1)(1).png IGBT电路(1)(1).png

Catálogo de Dados IGBT

  • Una amplia gama de productos satisface las demandas de los clientes para obleas IGBT de diferentes niveles de voltaje.
  • Los clientes pueden elegir entre obleas de 8 pulgadas y 12 pulgadas, lo que les ayuda a reducir eficazmente los costos.

El IGBT Catálogo de obleas


Artículo no.

S p ec

TECNOLOGÍA

Banda

Voltaje

C el precio de la renta

10

las demás

50A

Ep T -FS

las demás

62.5A

Ep T -FS

las demás

75A

Trench-FS

100A

Trench-FS

150A

Trench-FS

200A

Trench-FS

1200V

100A

Trench-FS

140A

Trench-FS

150A

Trench-FS

200A

Trench-FS

el artículo 25

Trench-FS

300A

Trench-FS

950V

100A

Trench-FS

200A

Trench-FS

750V

200A

Trench-FS

315A

Trench-FS

650V

75A

Trench-FS

Fábrica

La fábrica moderna automatizada garantiza que todos los indicadores de rendimiento de nuestro productos son altamente consistentes, minimizando al máximo las diferencias en los parámetros de cada producto. Esto no solo garantiza la fiabilidad y consistencia de nuestros productos, sino que también sirve como una importante garantía para el funcionamiento seguro y confiable del equipo de nuestros clientes.

生产车间1-缩小(19c75bab06).png生产车间2-缩小(e4332fadff).png生产车间3-缩小(22c1f2fe52).png生产车间4-缩小.png

laboratorio

Contamos con un laboratorio bien equipado para pruebas y controlamos estrictamente la calidad de nuestros productos. Esto asegura que la tasa de aprobación de los productos que entregamos a nuestros clientes alcance el 100%.

检查实验.png实验室1-照射实验.PNG

质量控制.png

Capacidad de producción

La sólida capacidad integral del fabricante y su suficiente capacidad de producción garantizan la entrega puntual de cada pedido.

warehouse1.jpg

Aplicaciones

Nuestros chips IGBT pueden satisfacer los requisitos para la fabricación de módulos IGBT en equipos eléctricos para campos industriales tales como el transporte ferroviario, la transmisión de energía, la generación de energía solar, el almacenamiento de energía, dispositivos de calentamiento por inducción, máquinas de soldadura y el control automático.

La amplia gama de aplicaciones industriales ha validado plenamente la calidad de nuestros chips IGBT y ha recibido elogios y aprobación por parte de los clientes.

轨道交通的应用.png

电力行业应用-缩小.png

Nuestros usuarios

Nuestros usuarios abarcan diversos sectores industriales.

Usres.png

Por qué elegirnos?

B beijing World E To Technology Co., Ltd. es un proveedor líder de productos semiconductores en China, tales como módulos IGBT, componentes discretos IGBT, chips IGBT, ADC/DAC, tiristores. La empresa se dedica principalmente a la distribución oficial de las marcas CRRC, Starpower, Techsem y NARI. Cuenta con calificación para importaciones y exportaciones, y con 11 años de experiencia en esta industria, exportamos a Rusia, Emiratos Árabes Unidos y muchas otras regiones de Europa.
Contamos con estrictos criterios para la selección de fabricantes, equipos técnicos profesionales y control de calidad de los productos, garantizando el correcto funcionamiento de los proyectos de nuestros clientes en los campos del transporte ferroviario, industria eléctrica, vehículos eléctricos, inversores para motores y convertidores de frecuencia.

Mientras tanto, ayudar a los clientes a personalizar diversos tiristores y conjuntos de potencia según sus requisitos especiales de parámetros es otro componente importante de nuestra fabricación por contrato y una de nuestras ventajas.
办公场景.png公司门头.png
Entrega segura

Cooperamos con las principales empresas internacionales de transporte de carga para garantizar un transporte oportuno.

Al mismo tiempo, empaquetamos cuidadosamente cada lote de mercancía entregado a nuestros clientes según sus requisitos para garantizar que nuestros productos lleguen intactos y sin daños.

Shipping packag-1.jpgShipping packag-4 (2).jpgShipping packag-4.jpg

Shipping packag-3.png

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