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Módulo IGBT 1700V

Módulo IGBT 1700V

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GD1200SGX170A3S, 1700 V, 1200 A, módulo IGBT,

Módulo IGBT de alta corriente, STARPOWER, versión A3

Brand:
El sistema de energía
Spu:
GD1200SGX170A3S
  • Introducción
  • Esquema
  • Esquema del circuito equivalente
Introducción

Introducción breve

Modulo IGBT ,producido por STARPOWER. 1 7las demás 1200R ,A3 .

Características

  • Tecnología IGBT de trinchera con baja VCE (sat)
  • capacidad de cortocircuito de 10 μs
  • VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
  • Temperatura máxima de unión 175oC
  • Cuadro de baja inductancia
  • Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
  • Placa base de AlSiC para la capacidad de ciclo de alta potencia
  • Sustrato de AlN para baja resistencia térmica cE

Aplicaciones típicas

  • Controladores de inversores de CA
  • Fuentes de alimentación conmutadas
  • Soldadores electrónicos

En absoluto Máximo Calificaciones T C=25a C a menos que de otro modo anotado

El IGBT

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valor

Unidad

V El CES

Voltagem del colector-emittente

1700

V

V El GES

Voltagem del emisor de la puerta

±20

V

Yo C

Corriente Colectora @ T C=25a C @ T C=100a C

2206

1200

R

Yo Cm

Corriente Colectora Pulsada t p =1 ms

2400

R

PG

Disipación de potencia máxima @ T j =175a C

8.77

KW

Diodo

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valor

Unidad

V RRM

Volt inverso de pico repetitivo edad

1700

V

Yo F

Diodo continuo hacia adelante Cu renta

1200

R

Yo - ¿ Qué?

Corriente Directa Máxima del Diodo t p =1 ms

2400

R

Módulo

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valor

Unidad

T jmax

Temperatura máxima de unión

175

a C

T el juego

Temperatura de funcionamiento de las uniones

-40 a +150

a C

T El GST

Rango de Temperatura de Almacenamiento

-40 a +125

a C

V ISO

Voltaje de Aislamiento RMS,f=50Hz,t= 1min

4000

V

El IGBT Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

V CE (sat)

Recolector al emisor Voltagem de saturación

Yo C=1200A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =25a C

1.85

2.20

V

Yo C=1200A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =125a C

2.25

Yo C=1200A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =150a C

2.35

V GE (th)

Umbral de emisor de puertas Tensión

Yo C=48.0el número de ,V CE =V GE , T j =25a C

5.6

6.2

6.8

V

Yo El CES

El colector Cortado -Off Actual

V CE =V El CES ,V GE =0V, T j =25a C

5.0

el número de

Yo El GES

Fugas de los emisores de puertas Actual

V GE =V El GES ,V CE =0V, T j =25a C

400

nA

Barra El ginto

Resistencia de la puerta interna

1.0

ω

Cies

Capacidad de entrada

V CE = 25V, f=1MHz, V GE el valor de la energía de la corriente

145

nF (número de trabajo)

Cres

Transferencia inversa Capacidad

3.51

nF (número de trabajo)

PG

Cargo por puerta

V GE =-15 …+15V

11.3

el valor de la concentración

t g (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 900V,I C= 1200A, Barra G=1,0Ω,

V GE =-9/+15V,

CS =65nH ,T j =25a C

440

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

112

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

1200

el Consejo

t f

Tiempo de caída

317

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio Pérdida

271

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

295

mJ

t g (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 900V,I C= 1200A, Barra G=1,0Ω,

V GE =-9/+15V,

CS =65nH ,T j =125a C

542

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

153

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

1657

el Consejo

t f

Tiempo de caída

385

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio Pérdida

513

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

347

mJ

t g (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 900V,I C= 1200A, Barra G=1,0Ω,

V GE =-9/+15V,

CS =65nH ,T j =150a C

547

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

165

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

1695

el Consejo

t f

Tiempo de caída

407

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio Pérdida

573

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

389

mJ

Yo SC

Datos de la SC

t P≤10μs, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

T j =150a C, V CC =1000V, V El CEM no más de 700 V

4800

R

Diodo Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

V F

Diodo hacia adelante Tensión

Yo F =1200A,V GE el valor de la presión de escape j =25℃

1.80

2.25

V

Yo F =1200A,V GE el valor de la presión de escape j =125℃

1.90

Yo F =1200A,V GE el valor de la presión de escape j =150℃

1.95

Pbarra

Cargo recuperado

V CC = 900V,I F = 1200A,

-di/dt=10500A/μs,V GE =-9V, CS =65nH,T j =25℃

190

el valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

844

R

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

192

mJ

Pbarra

Cargo recuperado

V CC = 900V,I F = 1200A,

-di/dt=7050A/μs,V GE =-9V, CS =65nH,T j =125℃

327

el valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

1094

R

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

263

mJ

Pbarra

Cargo recuperado

V CC = 900V,I F = 1200A,

-di/dt=6330A/μs,V GE =-9V, CS =65nH,T j =150℃

368

el valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

1111

R

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

275

mJ

Módulo Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

CCE

Inductividad de alejamiento

12

nH

Barra CC+EE

Resistencia de plomo del módulo, terminal al chip

0.19

Barra el JC

Unión -a -Caso (perIGBT ) Enlace a la caja (por D) yodo)

17.1 26.2

K/kW

Barra el CH

Caso -a -Disipador de calor (perIGBT )El sistema de refrigeración de la caja (p) diodo de acero) En el caso de los equipos de refrigeración de aire acondicionado, el valor de la presión de refrigeración debe ser igual o superior a: Módulo)

9.9 15.2 6.0

K/kW

M

Terminal de energía Tornillo:M4 Terminal de energía Tornillo:M8 El número de unidades de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga

1.8 8.0 4.25

2.1 10.0 5.75

Nuevo Méjico

G

Peso de Módulo

1050

g

Esquema

Esquema del circuito equivalente

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