Umkehrsperr-IGCT-Module
Umkehrsperr-integrierte Gatterkommutierte Thyristoren (RB-IGCT)-Module sind fortschrittliche Hochleistungs-Halbleiterbauelemente, die für hochspannungsfähige Stromrichtersysteme der nächsten Generation konzipiert sind. Dank ihrer integrierten Umkehrspannungssperrfähigkeit bieten RB-IGCT-Module hervorragende elektrische Leistung, hohe Zuverlässigkeit und überlegene Effizienz für anspruchsvolle Energieumwandlungsanwendungen.
Basierend auf bewährter IGCT-Technologie und fortschrittlicher press-Pack-Verpackung , vereinen RB-IGCT-Module die Vorteile von Thyristorbauelementen – darunter extrem niedrige Leitungsverluste und hohe Stromtragfähigkeit – mit schneller und effizienter, gergesteuerter Abschaltleistung. Die robuste Press-Pack-Struktur ermöglicht hervorragende thermische Leistung, mechanische Festigkeit sowie zuverlässigen Betrieb unter extremen elektrischen und thermischen Belastungen.
Die integrierte Sperrfähigkeit in Sperrrichtung ermöglicht es RB-IGCT-Modulen, das Systemdesign zu vereinfachen, indem der Bedarf an zusätzlichen Komponenten zum Schutz vor umgekehrter Spannung reduziert wird; dies verbessert die Leistungsdichte und die Gesamtsystemzuverlässigkeit.
Hauptvorteile
Integrierte Sperrfähigkeit in Sperrrichtung zur Vereinfachung des Systemdesigns;
Hohe Spannungs- und Stromfähigkeit für großskalige Leistungswandlungsanwendungen;
Ultra-niedrige Leitungsverluste zur Steigerung der Energieeffizienz;
Schnelle Abschaltfähigkeit mit hervorragender Schaltleistung;
Fortgeschrittener Press-Pack-Gehäusedesign mit beidseitiger Kühlungsmöglichkeit;
Hohe Zuverlässigkeit unter elektrischen, thermischen und mechanischen Belastungsbedingungen .
Anwendungen
Hochspannungs-Gleichstrom-Übertragung (HVDC);
Flexible Wechselstrom-Übertragungssysteme (FACTS);
Mittelspannungs- und Hochspannungsumrichter;
Eisenbahnantriebssysteme;
Großindustrielle Stromversorgungssysteme;
Erneuerbare-Energien- und netzgekoppelte Leistungswandlersysteme;
Energiespeicher- und Hochleistungs-Wandlungsanwendungen.
YT-RBC5580Y11
Schlüsselparameter
V DRM |
8000 |
V |
V RRM |
8000 |
V |
W TGQM |
6600 |
Ein |
W T(AV) |
3290 |
Ein |
W TSM |
40 |
kA |
V Zu |
1.25 |
V |
r T |
0.26 |
mΩ |
R thJC |
3.6 |
K/ kW |
Anwendungen
● Gleichstromkreis |
● Hybridkommutierter Umrichter mit Leistungsschalter |
Merkmale
● Hohe Strombelastbarkeit |
● Geringer Leitungsverlust |
● Sowohl Vorwärts- als auch Rückwärtsblockierung |
● Eigenenergiegewinnung |
Sperren Daten
Symbol l |
Parameter |
Bedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheit |
V DRM |
Wiederholte Spitzen-Ausschaltspannung |
Ansteuereinheit eingeschaltet ,T Vj =90℃,W D ≤W DRM ,t p = 10ms |
- |
- |
8000 |
V |
W DRM |
Wiederholte Spitzen-Aussperrstrom |
Ansteuereinheit eingeschaltet ,T Vj =90℃,V D ≤V DRM ,t p = 10ms |
- |
- |
300 |
mA |
V RRM |
Wiederholte Spitzen-Rückwärts-Sperrspannung |
Ansteuereinheit eingeschaltet ,T Vj =90℃,W R ≤W RRM ,t p = 10ms |
- |
- |
8000 |
V |
W RRM |
Wiederholter Spitzen-Rückwärts-Sperrstrom |
Ansteuereinheit eingeschaltet ,T Vj =90℃,V R ≤V RRM ,t p = 10ms |
- |
- |
300 |
mA |
V GRM |
Wiederholte Spitzen-Rückwärts-Gatespannung |
/ |
- |
- |
24 |
V |
W D(DC) |
DC-Sperrstrom |
Ansteuereinheit eingeschaltet ,T Vj =90℃,V D (DC )=6450 V |
- |
- |
40 |
mA |
W R(DC) |
DC-Rückwärtsstrom |
Ansteuereinheit eingeschaltet ,T Vj =90℃,V R (DC )=6450 V |
- |
- |
40 |
mA |
V Ral |
Langzeit-Avalanche-Rückwärtsspannung |
Ansteuereinheit eingeschaltet , T Vj =90℃ ,t p =250 μs/2 500 µs |
- |
- |
8500 |
V |
W Ral |
Rückwärts-Langzeit-Avalanche-Strom |
Ansteuereinheit eingeschaltet , T Vj =90℃ ,t p =250 μs/2 500 µs |
- |
- |
30 |
Ein |
V RAS |
Rückwärts-Kurzzeit-Avalanche-Spannung |
Ansteuereinheit eingeschaltet , T Vj =90℃ ,t p= 1,5 µs/50 µs |
- |
- |
8900 |
V |
W RAS |
Rückwärts-Kurzzeit-Avalanche-Strom |
Tor einheit eingeschaltet, T Vj =90℃ ,t p= 1,5 µs/50 µs |
- |
- |
50 |
Ein |
d v /dt |
Kritische Steigrate der Ausschaltspannung |
Ansteuereinheit eingeschaltet ,T Vj =90℃,V Dm = 6400 V |
- |
- |
4000 |
V/ μs |
EN
