YT-ASC80Y6500IC#, Asymmetrischer IGCT Plus

S sYMBOL

Bedingungen

M in

Typ

M achse

Einheit

V _DRM

T VJ = 125 ℃ , W D ≤W DRM, t p = 10 ms

-

-

6500

V

W _DRM

T VJ = 125 ℃ , V D= V DRM, t p = 10 ms

-

-

150

mA

dv/dt

T VJ = 125 ℃ , V D = 0,67 V DRM

1000

V/ μs

V _DClink

Zulässige Zwischen-Gleichspannung bei einer Ausfallrate von 100 FIT

-

-

4000

V

V _RRM

/

-

-

20

V

Symbol

Bedingungen

Min

Typ

Max

Einheit

IT(RMS)

T C = 85 °C, halbwellenförmig, beidseitige Kühlung

-

-

4290

Ein

W _TSM

W ²t

T Vj = 125 °C, halbwellenförmig, 10 ms, V D = V R =0

-

-

-

-

48.2

1162

kA

10⁴Ein ²s

V _TM

T Vj = 125 °C, I T = 4000 A

-

2.52

-

V

V _Zu

r _T

T Vj = 125 °C,

W T = 1000 … 4000 A

-

-

1.24

0.22

-

-

V mΩ

S sYMBOL

Bedingungen

M in

Typ

M achse

Einheit

d w _T /dt

TVJ = 125 ℃, IT = 4000 A, VD = 4000 V, f = 0 … 500 Hz

-

-

1000

A/ μs

t _{ich bin nicht der Richtige.}

t _donSF

t _r

E _bei

T Vj = 125℃ , W T = 4000 A, V D = 4000 V, d w /dt = V D/ L i , C CL = 20 μF,

L i = 3 μH, L CL = 0.3μH

-

-

-

-

-

-

-

-

5

8

1.5

1.5

μs

μs

μs

J

S sYMBOL

Bedingungen

M in

Typ

M achse

Einheit

W _TGQM

T VJ = 125 ℃ , V Dm ≤ V DRM, V D = 4000 V, L CL = 0.3μH, C CL = 20 μF, R S = 0,5 Ω

-

-

8000

Ein

t _doff

t _doffSF

t _f

E _aus

T Vj = 125℃ , W TGQ = 8000 A, V D = 4000 V, V Dm ≤ V DRM, C CL = 20 μF, R S = 4 ω ,

L i = 2 μH, L CL = 0.3μH

-

-

-

-

-

-

-

84

10

10

1

-

μs

μs

μs

J