Technische Vorteile des Super-Junction-MOSFET
## Hochleistungs-Super-Junction-MOSFET
Basierend auf fortschrittlicher Super-Junction-Technologie erreichen unsere produkte eine hervorragende Balance zwischen hoher Spannungsfestigkeit, hohem Wirkungsgrad und herausragender Zuverlässigkeit. Durch ein innovatives Ladungskompensations-Strukturdesign verringern die Bauelemente effektiv den Einschaltwiderstand (RDS(on)), minimieren Leitungsverluste und verbessern die Gesamteffizienz des Systems.
Mit schneller Schaltleistung, niedrigen parasitären Parametern und ausgezeichneter thermischer Stabilität sind Super-Junction-MOSFETs für anspruchsvolle Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz und hoher Leistungsdichte konzipiert. Sie finden breite Anwendung in industriellen Stromversorgungen, Server-Stromversorgungssystemen, EV-Ladeeinrichtungen, photovoltaischen Energiespeichersystemen sowie Antriebsanwendungen für Elektromotoren.
Dank fortschrittlicher Halbleiterprozesstechnologie und strenger Qualitätskontrolle bieten unsere Super-Junction-MOSFETs globalen Kunden leistungsstarke und zuverlässige Leistungshalbleiterlösungen.
Der Super-Junction-MOSFET führt durch alternierende P-dotierte Säulenstrukturen eine laterale elektrische Feldsteuerung ein und baut dabei auf dem traditionellen VDMOS-Design auf, wodurch die vertikale elektrische Feldverteilung einer idealen Rechteckform annähert.
Unter denselben epitaktischen Widerstandsbedingungen erhöht diese Struktur die Spannungsfestigkeit des Bauelements um ca. 20 %. Bei Produkten mit derselben Nennspannung kann die Superjunction-Technologie den spezifischen Flächenwiderstand (on-resistance) auf weniger als 1/8 dessen reduzieren, was bei herkömmlichen Strukturen erreicht wird, wodurch eine synergetische Optimierung von Leitungsverlust und Sperrverhalten erzielt wird.
Die Super-Junction-MOSFET-Serie unseres Unternehmens wird unter Verwendung von Tiefgraben- und Mehrfach-Epitaxie-Technologien hergestellt und zeichnet sich durch eine extrem niedrige Einschaltwiderstand und eine geringe Steuerladung aus, wodurch Leitungs- und Schaltverluste signifikant reduziert werden. Sie eignet sich insbesondere für leistungsstarke und hocheffiziente elektronische Leistungswandlersysteme.
Warum unsere MOSFET-Serie wählen?
Anwendungen
- Fahrzeug-Ladegerät (OBC)
- server-Stromversorgung
- kommunikationsstromversorgung
- Fahrzeugmontierter DC/DC-Wandler
- ladestalle
- lADGERÄT
- adapter
- TV-Stromversorgung
- neue Energie
- LED
- PC
Schaltbild eines Super-Junction-MOSFETs (mehrfache Epitaxie)

Vergleich zwischen Planar-MOSFET und Super-Junction-MOSFET

Über uns
Wir konzentrieren uns auf das anwendung von IGBT-Produkten und ICs. Basierend auf der Anwendung von IGBT-ICs haben wir unser Produktspektrum auf maßgeschneiderte High-End-Leistungsbaugruppen erweitert; gleichzeitig hat sich unser Geschäft auf den Bereich der Automatisierungssteuerungsprodukte ausgeweitet, darunter ADC/DAC, LDOs, Messverstärker, elektromagnetische Relais, PhotoMOS und MOSFETs. Auf diese Weise können wir mit führenden chinesischen Herstellern in unseren Fachgebieten zusammenarbeiten, um unseren Kunden zuverlässige und kostengünstige Produkte anzubieten.
Gegründet auf den Prinzipien von Innovation und Exzellenz, stehen wir an der Spitze von Halbleiter-Alternativlösungen und Technologie.
Unsere Vision ist es, unseren Kunden alternative Lösungen anzubieten, die Kostenleistung ihrer Anwendungslösungen zu verbessern und die Sicherheit ihrer Lieferkette durch Produkte „Made in China“ sicherzustellen.







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