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Super-Junction-MOSFET

Super-Junction-MOSFET

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Super-Junction-MOSFET, 550 V–950 V

Die Super-Junction-MOSFET-Serie unseres Unternehmens wird unter Verwendung von Tiefgraben- und Mehrfach-Epitaxie-Technologien hergestellt und zeichnet sich durch eine extrem niedrige Einschaltwiderstand und eine geringe Steuerladung aus, wodurch Leitungs- und Schaltverluste signifikant reduziert werden. Sie eignet sich insbesondere für leistungsstarke und hocheffiziente elektronische Leistungswandlersysteme.

Brand:
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Spu:
Super-Junction-MOSFET
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  • Einführung
Einführung

Technische Vorteile des Super-Junction-MOSFET

Der Super-Junction-MOSFET führt durch alternierende P-dotierte Säulenstrukturen eine laterale elektrische Feldsteuerung ein und baut dabei auf dem traditionellen VDMOS-Design auf, wodurch die vertikale elektrische Feldverteilung einer idealen Rechteckform annähert.

Unter denselben Epitaxialwiderstandsbedingungen erhöht diese Struktur die Spannungsfestigkeit des Bauelements um ca. 20 %. Für produkte bei gleicher Nennspannung kann die Super-Junction-Technologie den spezifischen Einschaltwiderstand pro Flächeneinheit auf weniger als 1/8 dessen in herkömmlichen Strukturen senken und so eine synergetische Optimierung von Leitungsverlust und Sperrverhalten erreichen.

Die Super-Junction-MOSFET-Serie unseres Unternehmens wird unter Verwendung von Tiefgraben- und Mehrfach-Epitaxie-Technologien hergestellt und zeichnet sich durch eine extrem niedrige Einschaltwiderstand und eine geringe Steuerladung aus, wodurch Leitungs- und Schaltverluste signifikant reduziert werden. Sie eignet sich insbesondere für leistungsstarke und hocheffiziente elektronische Leistungswandlersysteme.

Warum unsere MOSFET-Serie wählen?

  • Niedriger Leitungsverlust

  • Niedriger Schaltverlust

  • Hohe Leistungsdichte

  • Vollständiges Produktportfolio

Anwendungen

  • Fahrzeug-Ladegerät (OBC)
  • Server-Stromversorgung
  • kommunikationsstromversorgung
  • Fahrzeugmontierter DC/DC-Wandler
  • ladestalle
  • charger
  • adapter
  • TV-Stromversorgung
  • neue Energie
  • LED
  • PC

Schaltbild eines Super-Junction-MOSFETs (mehrfache Epitaxie)

超结MOSFET多次外延示意图.png

Vergleich zwischen Planar-MOSFET und Super-Junction-MOSFET

超结MOSFET示意图.png

Über uns

Wir konzentrieren uns auf das anwendung von IGBT-Produkten. Basierend auf der Anwendung von IGBT haben wir unser Produktspektrum auf kundenspezifische, hochwertige Leistungsmodule ausgeweitet; gleichzeitig hat sich unser Geschäftsbereich auf Produkte für die Automatisierungssteuerung erweitert, einschließlich ADC/DAC, LDO, Instrumentenverstärker, elektromagnetische Relais, PhotoMOS und MOSFET. Auf diese Weise können wir mit führenden chinesischen Herstellern in unseren Fachgebieten zusammenarbeiten, um unseren Kunden zuverlässige und kosteneffiziente Produkte anzubieten.
Gegründet auf den Prinzipien von Innovation und Exzellenz, stehen wir an der Spitze von Halbleiter-Alternativlösungen und Technologie.
Unsere Vision ist es, unseren Kunden alternative Lösungen anzubieten, die Kostenleistung ihrer Anwendungslösungen zu verbessern und die Sicherheit ihrer Lieferkette durch Produkte „Made in China“ sicherzustellen.

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