MZx400, Schnelle Wiederherstellungsdiode Modul, TECHSEM

VRRM

Typ & Umriss

600V

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

1800V

MZx400-06-410F3

MZx400-08-410F3

MZx400-10-410F3

MZx400-12-410F3

MZx400-14-410F3

MZx400-16-410F3

MZx400-18-410F3

MZ400-18-410F3G

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj( ℃ )

Wert

Einheit

Min

TYP

Max

IF(AV)

Mittlerer Vorwärtsstrom

180。halbe Sinuswelle 50Hz

Einseitig gekühlt, TC=85 。C

140

400

Ein

IF (RMS)

RMS-Vorwärtsstrom

628

Ein

IRRM

Wiederholender Spitzenstrom

bei VRRM

140

90

mA

IFSM

Überspannungsstrom

10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM

140

9.5

kA

I ²t

I2t für Fusionskoordination

451

10³Ein ²s

VFO

Schwellenspannung

140

1.10

V

rF

Vorwärtssteigungswiderstand

0.27

mΩ

VFM

Spitzenvorwärtsspannung

IFM= 1200A

25

2.00

V

trr

Rückwärts-Rückgewinnungszeit

IFM=300A, tp=4000μs, -di/dt=20A/μs, VR=50V

140

4

μs

25

3

μs

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Einseitig gekühlt pro Chip

0.090

℃ /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

Einseitig gekühlt pro Chip

0.020

℃ /W

VISO

Isolationsspannung

50Hz, R.M.S, t= 1min, Iiso:1mA(MAX)

3000

V

FM

Drehmoment der Endverbindung ((M12)

12.0

14.0

N·m

Das Drehmoment für die Montage ((M8)

10.0

12.0

N·m

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

140

℃

Tstg

Lagertemperatur

-40

125

℃

Wt

Gewicht

3310

g

Gliederung

410F3