MZ100, Schnelle Wiederherstellungsdiode Modul, TECHSEM

VRRM

Typ & Umriss

600V

MZ100-06-210F2NA

MZ100-06-210F2NK

800V

MZ100-08-210F2NA

MZ100-08-210F2NK

1000V

MZ100-10-210F2NA

MZ100-10-210F2NK

1200V

MZ100-12-210F2NA

MZ100-12-210F2NK

1400V

MZ100-14-210F2NA

MZ100-14-210F2NK

1600V

MZ100-16-210F2NA

MZ100-16-210F2NK

1800V

MZ100-18-210F2NA

MZ100-18-210F2NK

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj( ℃ )

Wert

Einheit

Min

TYP

Max

IF(AV)

Mittlerer Vorwärtsstrom

180° halbe Sinuswelle 50Hz

Einseitig gekühlt,TC= 100 ℃

140

100

Ein

IF (RMS)

RMS-Vorwärtsstrom

157

Ein

IRRM

Wiederholender Spitzenstrom

bei VRRM

140

30

mA

IFSM

Überspannungsstrom

10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM

140

3.5

kA

1 t

I2t für Fusionskoordination

61

Ein ²s* 10 ³

VFO

Schwellenspannung

140

1.05

V

rF

Vorwärtssteigungswiderstand

1.80

mΩ

VFM

Spitzenvorwärtsspannung

IFM=300A

25

1.90

V

trr

Rückwärts-Rückgewinnungszeit

IFM=200A, tp=4000μs, -di/dt=20A/μs, VR= 100V

140

4

μs

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Einseitig gekühlt pro Chip

0.200

℃ /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

Einseitig gekühlt pro Chip

0.080

℃ /W

FM

Anschlussdrehmoment (M6)

6.0

N·m

Montagedrehmoment (M6)

6.0

N·m

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

140

℃

Tstg

Lagertemperatur

-40

125

℃

Wt

Gewicht

185

g

Gliederung

210F2