1000A,2000V bis 2500V,411F3
Produktbroschüre:HERUNTERLADEN
Kurze Einführung
Thyristor/Diodenmodul e, MTx1000 MFx1000 MT1000 ，1000Ein ,Wasserkühlung ，von TECHSEM produziert.
VRRM,VDRM |
Typ & Umriss |
|
2000 V |
MT1B1B1B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2 |
MFx1000-20-411F3 |
2200V |
MT1B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2 |
MFx1000-22-411F3 |
mit einer Leistung von |
MT1B1B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2 |
MFx1000-25-411F3 |
mit einer Leistung von |
MT1 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - |
|
Funktionen
Typische Anwendungen
|
Symbol |
Eigenschaften |
Prüfbedingungen |
Tj( ℃ ) |
Wert |
Einheit |
||
Min |
TYP |
Max |
|||||
IT(AV) |
Mittlerer Einschaltstrom |
180。halbe Sinuswelle 50Hz Einseitig gekühlt, THS=55 ℃ |
125 |
|
|
1000 |
Ein |
IT(RMS) |
RMS Durchlassstrom |
|
|
1570 |
Ein |
||
Ich bin hier |
Wiederholender Spitzenstrom |
bei VDRM bei VRRM |
125 |
|
|
50 |
mA |
ITSM |
Überschuss-Einschaltstrom |
VR=60%VRRM, t=10ms Halbsinus |
125 |
|
|
18.0 |
kA |
1 t |
I2t für Fusionskoordination |
125 |
|
|
1620 |
103Ein 2s |
|
VTO |
Schwellenspannung |
|
125 |
|
|
0.85 |
V |
rT |
Einschaltsteigungswiderstand |
|
|
0.24 |
mΩ |
||
VTM |
Spitzeneinschaltspannung |
ITM=3000A |
25 |
|
|
2.20 |
V |
dv/dt |
Kritische Steigrate der Ausschaltspannung |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms |
Gate-Source 1.5A tr ≤ 0,5 μs Repetitive |
125 |
|
|
200 |
A/μs |
IGT |
Gate-Auslöseström |
VA= 12V, IA= 1A |
25 |
30 |
|
200 |
mA |
- Ich weiß. |
Gate-Auslösespannung |
0.8 |
|
3.0 |
V |
||
IH |
Haltestrom |
10 |
|
200 |
mA |
||
IL |
Haltestrom |
|
|
1000 |
mA |
||
VGD |
Nicht-auslösende Gate-Spannung |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.20 |
V |
Rth(j-c) |
Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse |
Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
|
0.048 |
。C/W |
Rth(c-h) |
Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper |
Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
|
0.024 |
。C/W |
VISO |
Isolationsspannung |
50Hz, R.M.S, t= 1min, Iiso:1mA(MAX) |
|
3000 |
|
|
V |
|
FM |
Drehmoment der Endverbindung ((M12) |
|
|
12 |
|
16 |
N·m |
Das Drehmoment für die Montage ((M8) |
|
|
10 |
|
12 |
N·m |
|
Fernsehen |
Junction-Temperatur |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Tstg |
Lagertemperatur |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Gewicht |
|
|
|
3230 |
|
g |
Gliederung |
411F3 |
||||||
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