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Wasserkühlung

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MTx400 MFx400 MT400,Tyristor/Diodenmodule,Wasserkühlung

400A,600V bis 1800V,405F3

Brand:
TECHSEM
Spu:
Die in Artikel 1 Buchstabe b genannten Bedingungen gelten für die in Artikel 1 Buchstabe b genannten Bedingungen.
Appurtenance:

Produktbroschüre:HERUNTERLADEN

  • Einführung
  • Gliederung
  • Äquivalentschaltbild
Einführung

Kurze Einführung

Thyristor/ Diodenmodul , MTx 400 MFx 400 MT 400400Ein ,Wasserkühlung von TECHSEM produziert.

VRRM,VDRM

Typ & Umriss

600V

MT4 Verbraucher

MFx400-06-405F3

800V

MT4 Verbraucher

MFx400-08-405F3

1000V

MT4Einheitliche Anlage

MFx400-10-405F3

1200V

MT4Einheitliche Anlage

MFx400-12-405F3

1400V

MT4Einheitliche Anlage

MFx400-14-405F3

1600V

MTx400-16-405F3

MFx400-16-405F3

1800V

MTx400-18-405F3

MFx400-18-405F3

1800V

MT420-3204

MTx steht für art der MTC ,MTA ,MTK

MFx steht für art der MFC ,MFA ,MFK

Funktionen

  • Isolierte Montagesockel 3000V~
  • Druckkontakttechnologie mit
  • Erhöhter Leistungszyklusfähigkeit
  • Platz- und Gewichtseinsparung

Typische Anwendungen

  • AC/DC-Motorantriebe
  • Verschiedene Gleichrichter
  • Gleichstromversorgung für PWM-Inverter

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj( )

Wert

Einheit

Min

TYP

Max

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180halbe Sinuswelle 50Hz

Einseitig gekühlt, THS=55

125

400

Ein

IT(RMS)

RMS Durchlassstrom

628

Ein

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM bei VRRM

125

35

mA

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

VR=60%VRRM, t=10ms Halbsinus

125

12.5

kA

1 t

I2t für Fusionskoordination

125

781

103A2s

VTO

Schwellenspannung

125

0.80

V

rT

Einschaltsteigungswiderstand

0.80

VTM

Spitzeneinschaltspannung

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

25

1.90

V

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

Gate-Source 1.5A

tr ≤0.5μs Wiederholend

125

200

A/μs

IGT

Gate-Auslöseström

VA=12V, IA=1A

25

30

200

mA

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

3.0

V

IH

Haltestrom

10

200

mA

IL

Haltestrom

1000

mA

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Einseitig gekühlt pro Chip

0.11

/W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

Einseitig gekühlt pro Chip

0.04

/W

VISO

Isolationsspannung

50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(max)

3000

V

FM

Drehmoment der Endverbindung ((M12)

12

14

N·m

Montagedrehmoment (M6)

4.5

6

N·m

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

Tstg

Lagertemperatur

-40

125

Wt

Gewicht

1060

g

Gliederung

405F3

Gliederung

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