Kurze Einführung
Thyristor/Diode-Modul, MTx 400 MFx 400 MT 400，400A ,Wasserkühlung ，von TECHSEM produziert.
VRRM,VDRM |
Typ & Umriss |
600V |
MT4 Verbraucher |
MFx400-06-405F3 |
800V |
MT4 Verbraucher |
MFx400-08-405F3 |
1000V |
MT4Einheitliche Anlage |
MFx400-10-405F3 |
1200V |
MT4Einheitliche Anlage |
MFx400-12-405F3 |
1400V |
MT4Einheitliche Anlage |
MFx400-14-405F3 |
1600V |
MTx400-16-405F3 |
MFx400-16-405F3 |
1800V |
MTx400-18-405F3 |
MFx400-18-405F3 |
1800V |
MT420-3204 |
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MTx steht für art der MTC ,MTA ,MTK
MFx steht für art der MFC ,MFA ,MFK
Merkmale
- Isolierte Montagesockel 3000V~
- Druckkontakttechnologie mit
- Erhöhter Leistungszyklusfähigkeit
- Platz- und Gewichtseinsparung
Typische Anwendungen
- AC/DC-Motorantriebe
- Verschiedene Gleichrichter
- Gleichstromversorgung für PWM-Inverter
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Symbol
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Eigenschaften
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Prüfbedingungen
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Tj( ℃ ) |
Wert |
Einheit
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Min |
TYP |
Max |
IT(AV) |
Mittlerer Einschaltstrom |
180。halbe Sinuswelle 50Hz
Einseitig gekühlt, THS=55 ℃
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125
|
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400 |
A |
IT(RMS) |
RMS Durchlassstrom |
|
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628 |
A |
Ich bin hier |
Wiederholender Spitzenstrom |
bei VDRM bei VRRM |
125 |
|
|
35 |
mA |
ITSM |
Überschuss-Einschaltstrom |
VR=60%VRRM, t=10ms Halbsinus |
125 |
|
|
12.5 |
kA |
1 t |
I2t für Fusionskoordination |
125 |
|
|
781 |
103A2s |
VTO |
Schwellenspannung |
|
125
|
|
|
0.80 |
V |
rT |
Einschaltsteigungswiderstand |
|
|
0.80 |
mΩ |
VTM |
Spitzeneinschaltspannung |
Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. |
25 |
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1.90 |
V |
dv/dt |
Kritische Steigrate der Ausschaltspannung |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms |
Gate-Source 1.5A
tr ≤0.5μs Wiederholend
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125 |
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200 |
A/μs |
IGT |
Gate-Auslöseström |
VA=12V, IA=1A
|
25
|
30 |
|
200 |
mA |
- Ich weiß. |
Gate-Auslösespannung |
0.8 |
|
3.0 |
V |
IH |
Haltestrom |
10 |
|
200 |
mA |
IL |
Haltestrom |
|
|
1000 |
mA |
VGD |
Nicht-auslösende Gate-Spannung |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.20 |
V |
Rth(j-c) |
Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse |
Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
|
0.11 |
℃ /W |
Rth(c-h) |
Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper |
Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
|
0.04 |
℃ /W |
VISO |
Isolationsspannung |
50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(max) |
|
3000 |
|
|
V |
|
FM
|
Drehmoment der Endverbindung ((M12) |
|
|
12 |
|
14 |
N·m |
Montagedrehmoment (M6) |
|
|
4.5 |
|
6 |
N·m |
Fernsehen |
Junction-Temperatur |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Tstg |
Lagertemperatur |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Gewicht |
|
|
|
1060 |
|
g |
Gliederung |
405F3 |
EN
