GD1200SGX170A3S, 1700 V, 1200 A, IGBT-Modul,

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Kollektorstrom @ T C=25o C @ T C=100o C

2206

1200

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

2400

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T j =175o C

8.77

KW

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1700

V

IF

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

1200

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

2400

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t= 1 Minute

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

IC=1200A,V GE =15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC=1200A,V GE =15V, T j =125o C

2.25

IC=1200A,V GE =15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=48.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

1.0

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

145

nF

Cres

Rückübertragungs- Kapazität

3.51

nF

QG

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

11.3

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C=1200A, R G=1,0Ω,

V GE =-9/+15V,

LS =65nH ,T j =25o C

440

nS

t r

Aufstiegszeit

112

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

1200

nS

t f

Herbstzeit

317

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

271

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

295

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C=1200A, R G=1,0Ω,

V GE =-9/+15V,

LS =65nH ,T j =125o C

542

nS

t r

Aufstiegszeit

153

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

1657

nS

t f

Herbstzeit

385

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

513

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

347

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C=1200A, R G=1,0Ω,

V GE =-9/+15V,

LS =65nH ,T j =150o C

547

nS

t r

Aufstiegszeit

165

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

1695

nS

t f

Herbstzeit

407

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

573

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

389

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤10μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

4800

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

IF =1200A,V GE =0V, t j =25℃

1.80

2.25

V

IF =1200A,V GE =0V, t j =125℃

1.90

IF =1200A,V GE =0V, t j =150℃

1.95

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V CC =900V,I F =1200A,

-di/dt=10500A/μs,V GE =-9V, LS =65nH,T j =25℃

190

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

844

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

192

mJ

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V CC =900V,I F =1200A,

-di/dt=7050A/μs,V GE =-9V, LS =65nH,T j =125℃

327

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

1094

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

263

mJ

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V CC =900V,I F =1200A,

-di/dt=6330A/μs,V GE =-9V, LS =65nH,T j =150℃

368

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

1111

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

275

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

12

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.19

mΩ

R thJC

Junction – bis – Fall (proIGBT ) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

17.1 26.2

K/kW

R thCH

Fall – bis – Heizkessel (proIGBT )Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

9.9 15.2 6.0

K/kW

M

Leistungsanschluss Schraube:M4 Leistungsanschluss Schraube:M8 Montageschraube:M6

1.8 8.0 4.25

2.1 10.0 5.75

N.M

G

Gewicht aus Modul

1050

g