Kurze Einführung
Schnelle Abschalt-Thyristor Mo dule ,MK(H)x300 MK300 ,30 0A .Luft kühlung, produziert von TECHSEM .
VRRM,VDRM |
Typ & Umriss |
600V |
MKx300-06-415F3 |
MHx300-06-415F3 |
800V |
MKx300-08-415F3 |
MHx300-08-415F3 |
1000V |
MKx300-10-415F3 |
MHx300-10-415F3 |
1200V |
MKx300-12-415F3 |
MHx300-12-415F3 |
1400V |
MKx300-14-415F3 |
MHx300-14-415F3 |
1600V |
MKx300-16-415F3 |
MHx300-16-415F3 |
1800V |
MKx300-18-415F3 |
MHx300-18-415F3 |
1800V |
MK300-18-415F3G |
|
MKx steht für jeden Typ von MKC, MKA, MKK
MHx steht für jeden Typ von MHC, MHA, MHK
Merkmale ：
- Isolierte Montagebasis 2500V~
-
Druckkontakttechnologie mit Erhöhter Leistungszyklusfähigkeit
- Platz- und Gewichtseinsparung
Typische Anwendungen
- Wechselrichter
- Induktionsheizung
- Chopper
|
Symbol
|
Eigenschaften
|
Prüfbedingungen
|
Tj( ℃ ) |
Wert |
Einheit
|
Min |
TYP |
Max |
IT(AV) |
Mittlerer Einschaltstrom |
180。halbe Sinuswelle 50Hz einseitig gekühlt, |
TC=85 ℃
|
125
|
|
|
300 |
A |
IT(RMS) |
RMS Durchlassstrom |
|
|
471 |
A |
Ich bin hier |
Wiederholender Spitzenstrom |
bei VDRM bei VRRM |
125 |
|
|
80 |
mA |
ITSM |
Überschuss-Einschaltstrom |
10ms Halbsinuswelle VR=60%VRRM |
125
|
|
|
7.30 |
kA |
1 t |
I2t für Fusionskoordination |
|
|
266 |
103A 2s |
VTO |
Schwellenspannung |
|
125
|
|
|
1.36 |
V |
rT |
Einschaltsteigungswiderstand |
|
|
0.38 |
mΩ |
VTM |
Spitzeneinschaltspannung |
ITM=900A |
25 |
|
|
2.20 |
V |
dv/dt |
Kritische Steigrate der Ausschaltspannung |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
800 |
V/μs |
di/dt |
Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms |
Gate-Source 1.5A
tr ≤0.5μs Wiederholend
|
125 |
|
|
200 |
A/μs |
tq |
Schaltungskommutierte Abschaltzeit |
ITM=300A, tp=4000µs, VR= 100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs |
125 |
20 |
|
40 |
μs |
IGT |
Gate-Auslöseström |
VA= 12V, IA= 1A
|
25
|
30 |
|
200 |
mA |
- Ich weiß. |
Gate-Auslösespannung |
1.0 |
|
3.0 |
V |
IH |
Haltestrom |
20 |
|
200 |
mA |
IL |
Haltestrom |
|
|
1000 |
mA |
VGD |
Nicht-auslösende Gate-Spannung |
VDM= 67%VDRM |
125 |
|
|
0.2 |
V |
Rth(j-c) |
Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse |
Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
|
0.080 |
。C/W |
Rth(c-h) |
Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper |
Einseitig gekühlt pro Chip |
|
|
|
0.040 |
。C/W |
VISO |
Isolationsspannung |
50Hz, R.M.S, t= 1min, Iiso:1mA(MAX) |
|
2500 |
|
|
V |
|
FM
|
Anschlussdrehmoment (M10) |
|
|
10.0 |
|
12.0 |
N·m |
Montagedrehmoment (M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N·m |
Fernsehen |
Junction-Temperatur |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Tstg |
Lagertemperatur |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Gewicht |
|
|
|
1260 |
|
g |
Gliederung |
415F3 |
EN
