IGBT-Modul, GD1000HFA75N5HT Starpower

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

750

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

Ich CN

Implementierter Sammler Cu rrent

1000

A

Ich C

Sammler Aktuell T vj =175o C

680

A

Ich Cm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

1360

A

PD

Maximale Leistungsauslagerung ation @ T F =75o C T vj =175o C

1086

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

750

V

Ich FN

Implementierter Sammler Cu rrent

1000

A

Ich F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

680

A

Ich FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

1360

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

T vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T vjop

Betriebsspaltentemperatur kontinuierlich

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 minute

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

Ich C=680A,V GE =15V, T vj =25o C

1.25

1.50

V

Ich C=680A,V GE =15V, T vj =150o C

1.35

Ich C=680A,V GE =15V, T vj =175o C

1.40

Ich C=1000A,V GE =15V, T vj =25o C

1.45

Ich C=1000A,V GE =15V, T vj =175o C

1.70

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ich C=9.60mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.5

6.5

7.0

V

Ich C=9.60mA ,V CE =V GE , T vj =175o C

3.5

Ich CES

Sammler Geschnitten -Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

Ich GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

1.0

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =50V, f=100kHz, V GE =0V

72.3

nF

C- Die

Ausgangskapazität

1.51

nF

Cres

Rückübertragungs- Kapazität

0.32

nF

F G

Gate-Ladung

V CE =400V, Ich C=680A, V GE =-10…+15V

4.10

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C=680A, R G=0.22Ω, LS =16nH ,V GE =-10V/+15V,

T vj =25o C

196

nS

t r

Aufstiegszeit

50

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

407

nS

t f

Herbstzeit

125

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

11.1

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

29.1

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C=680A, R G=0.22Ω, LS =16nH ,V GE =-10V/+15V,

T vj =150o C

222

nS

t r

Aufstiegszeit

63

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

471

nS

t f

Herbstzeit

178

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

19.7

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

37.4

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C=680A, R G=0.22Ω, LS =16nH ,V GE =-10V/+15V,

T vj =175o C

224

nS

t r

Aufstiegszeit

68

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

490

nS

t f

Herbstzeit

194

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

21.7

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

39.5

mJ

Ich SC

SC-Daten

t P≤6μs,V GE =15V,

4000

A

T vj =25o C,V CC =450V, V CEM ≤750V

t P≤3μs,V GE =15V,

T vj =175o C,V CC =450V, V CEM ≤750V

3300

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

Ich F =680A,V GE =0V,T vj =25o C

1.60

2.05

V

Ich F =680A,V GE =0V,T vj =150o C

1.60

Ich F =680A,V GE =0V,T vj =175o C

1.55

Ich F =1000A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

Ich F =1000A,V GE =0V,T vj =175o C

1.75

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I F =680A,

-di/dt=15030A/μs,V GE =-10V, LS =16nH ,T vj =25o C

19.9

μC

Ich RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

458

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

6.10

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I F =680A,

-di/dt=12360A/μs,V GE =-10V, LS =16nH ,T vj =150o C

29.7

μC

Ich RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

504

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

9.70

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I F =680A,

-di/dt=11740A/μs,V GE =-10V, LS =16nH ,T vj =175o C

34.5

μC

Ich RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

526

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

11.0

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R

Nenn- Widerstand

T C=0 o C

T C=150 o C

1000

1573

ω ω

T Cr

Temperaturkoeffizient nt

0.38

%/K

T Sch

Selbst Heizung

T C=0 o C

Ich m =0,1...0,3mA

0.4

K/mW

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

5

nH

p

Maximaler Kühldruck schönheit

2.5

stab

R die

Junction -bis -Kühlung Wasser (proIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D (in der Regel △V/ △t=8.0 dm 3/minute ,T F =65o C

0.080 0.115

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M5

5.4 5.4

6.6 6.6

N.M

G

Gewicht aus Modul

220

g