■Eigenschaften
-
Ultrageringe Verluste dünnes IGBT-Die
- Hoch robustes SPT+-Design
- Große SOA
- Passivierung: Nitride plus Polyimid
■ Maximum Nennwerte
Parameter |
Symbol |
Bedingungen |
Wert |
Einheit |
min |
max |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter |
VCES |
VGE = 0 V |
|
4500 |
V |
DC Kollektorstrom |
IC |
|
|
631) |
A |
Spitzenstrom des Kollektors |
ICM |
- Die Firma Tvjmax |
|
100 |
A |
Spannung des Tor-Emitters |
VGES |
|
-20 |
+20 |
V |
IGBT Kurzschluss SOA |
tpsc |
Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten für die in Anhang I der Richtlinie 2009/72/EG genannten Verfahren. |
|
10 |
μs |
Junction-Temperatur |
Fernsehen |
|
-40 |
125 |
°C |
■ IGBT Charakteristische Werte
Parameter |
Symbol |
Bedingungen |
Wert |
Einheit |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Kollektor-Emitter Durchbruchspannung |
V(BR)CES |
Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. |
4500 |
|
|
V |
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung |
VCE (Sat) |
Die Leistung der Prüfungen ist zu messen. |
Tvj = 25 °C |
|
2.70 |
3.05 |
V |
Tvj = 125 °C |
|
3.35 |
3.85 |
V |
Kollektor-Emitter Abschaltstrom |
ICES |
Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt. |
Tvj = 25 °C |
|
|
100 |
µA |
Tvj = 125 °C |
|
1500 |
|
µA |
Gate-Emitter Leckstrom |
IGES |
VCE = 0 V, VGE = ±20 V, Tvj = 125 °C |
-500 |
|
500 |
nA |
Gate-Emitter Schwellenwertspannung |
VGE(th) |
IC = 10 mA, VCE = VGE, Tvj = 25 °C |
6.7 |
7.2 |
7.7 |
V |
Gate-Ladung |
QG |
IC = 63 A, VCE = 2800 V, VGE = -15 V ~ 15 V |
|
520 |
|
nC |
Eingangskapazität |
Cies |
VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz, Tvj = 25 °C
|
|
6.46 |
|
nF |
Ausgangskapazität |
Coes |
|
0.46 |
|
nF |
Rückwärtsübertragungs-Kapazität |
Cres |
|
0.17 |
|
nF |
Interner Gate-Widerstand |
RGint |
|
|
5 |
|
ω |
IGBT-Dies Katalog
- Eine vielfältige Produktpalette erfüllt die Kundenanforderungen an IGBT-Dies mit unterschiedlichen Spannungsebenen.
- Kunden können zwischen 8-Zoll- und 12-Zoll-Wafern wählen, was ihnen hilft, die Kosten effektiv zu senken.
IGBT Dies-Katalog
Artikel Nr.
|
S p ec |
TECHNOLOGIE |
Band |
Spannung |
C strom |
10 |
4500V |
50A |
Ep T -FS |
|
mit einem Stromverbrauch von |
62,5 A |
Ep T -FS |
|
mit einer Leistung von |
75A |
Trench-FS |
|
100A |
Trench-FS |
|
150A |
Trench-FS |
|
200A |
Trench-FS |
|
1200V |
100A |
Trench-FS |
|
140a |
Trench-FS |
|
150A |
Trench-FS |
|
200A |
Trench-FS |
|
250A |
Trench-FS |
|
300A |
Trench-FS |
|
950V |
100A |
Trench-FS |
|
200A |
Trench-FS |
|
750V |
200A |
Trench-FS |
|
315A |
Trench-FS |
|
650V |
75A |
Trench-FS |
|
Fabrik
Die moderne automatisierte Fabrik stellt sicher, dass alle Leistungsindikatoren unserer produkte höchst konsistent sind und die Unterschiede in den Parametern jedes Produkts so gering wie möglich gehalten werden. Dies gewährleistet nicht nur die Zuverlässigkeit und Einheitlichkeit unserer Produkte, sondern ist auch eine wichtige Voraussetzung für den sicheren und zuverlässigen Betrieb der Anlagen unserer Kunden.
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