GD300HFX170C2SA, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Kollektorstrom @ T C=25o C @ T C=100o C

493

300

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

600

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T vj =175o C

1829

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1700

V

IF

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

300

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

600

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

IC=300A,V GE =15V, T vj =25o C

1.85

2.30

V

IC=300A,V GE =15V, T vj =125o C

2.25

IC=300A,V GE =15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=12.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

2.5

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

36.1

nF

Cres

Rückübertragungs- Kapazität

0.88

nF

QG

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

2.83

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C=300A, R G=2,4Ω, Ls=42nH, V GE =±15V,

T vj =25o C

355

nS

t r

Aufstiegszeit

71

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

473

nS

t f

Herbstzeit

337

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

89.3

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

46.3

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C=300A, R G=2,4Ω, Ls=42nH, V GE =±15V,

T vj =125o C

383

nS

t r

Aufstiegszeit

83

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

549

nS

t f

Herbstzeit

530

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

126

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

68.5

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C=300A, R G=2,4Ω, Ls=42nH, V GE =±15V,

T vj =150o C

389

nS

t r

Aufstiegszeit

88

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

575

nS

t f

Herbstzeit

585

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

139

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

73.4

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤10μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =1000V,

V CEM ≤1700V

1200

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts Spannung

IF =300A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =300A,V GE =0V,T vj =125o C

1.95

IF =300A,V GE =0V,T vj =150o C

1.90

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=3247A/μs,V GE =-15V L.S. =42nH ,T vj =25o C

68

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

202

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

34.5

mJ

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=2579A/μs,V GE =-15V L.S. =42nH ,T vj =125o C

114

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

211

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

61.2

mJ

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=2395A/μs,V GE =-15V L.S. =42nH ,T vj =150o C

136

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

217

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

73.9

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction – bis – Fall (proIGBT ) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.082 0.127

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.033 0.051 0.010

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

300

g