GD300HFX170C2SA, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 o C @ T C =100 o C

493

300

A

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

600

A

P D

Maximalleistung Ablösung @ T vj =175 o C

1829

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1700

V

I K

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

300

A

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

600

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =300A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.85

2.30

V

I C =300A,V GE =15V, T vj =125 o C

2.25

I C =300A,V GE =15V, T vj =150 o C

2.35

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =12,0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

2.5

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

36.1

nF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.88

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

2.83

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =300A, R G =2,4Ω, Ls=42nH, V GE =±15V,

T vj =25 o C

355

nS

t r

Aufstiegszeit

71

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

473

nS

t k

Herbstzeit

337

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

89.3

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

46.3

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =300A, R G =2,4Ω, Ls=42nH, V GE =±15V,

T vj =125 o C

383

nS

t r

Aufstiegszeit

83

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

549

nS

t k

Herbstzeit

530

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

126

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

68.5

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C =300A, R G =2,4Ω, Ls=42nH, V GE =±15V,

T vj =150 o C

389

nS

t r

Aufstiegszeit

88

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

575

nS

t k

Herbstzeit

585

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

139

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

73.4

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

T vj =150 o C,V CC =1000V,

V CEM ≤1700V

1200

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V K

Diodenvorwärts Spannung

I K =300A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.80

2.25

V

I K =300A,V GE =0V,T vj =125 o C

1.95

I K =300A,V GE =0V,T vj =150 o C

1.90

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I K =300A,

-di/dt=3247A/μs,V GE =-15V L.S. =42 nH ,T vj =25 o C

68

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

202

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

34.5

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I K =300A,

-di/dt=2579A/μs,V GE =-15V L.S. =42 nH ,T vj =125 o C

114

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

211

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

61.2

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I K =300A,

-di/dt=2395A/μs,V GE =-15V L.S. =42 nH ,T vj =150 o C

136

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

217

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

73.9

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction -bis zu -Fall (proIGBT ) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.082 0.127

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.033 0.051 0.010

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Gewicht von Modul

300

g