IGBT-Modul GD950HTA75P6H Starpower

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

750

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I CN

Implementierter Sammler Cu rrent

950

A

I C

Kollektorstrom @ T K =100 o C

450

A

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

1900

A

P D

Maximale Leistungsauslagerung ation @ T K = 75 o C T j =175 o C

877

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

750

V

I FN

Implementierter Sammler Cu rrent

950

A

I K

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

450

A

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

1900

A

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebsspaltentemperatur kontinuierlich

Für 10 Sekunden innerhalb eines Zeitraums von 30s, Auftreten maximal 3000-mal im Lebenszyklus

-40 bis +150 +150 bis +175

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C = 450 A, V GE =15V, T j =25 o C

1.10

1.35

V

I C = 450 A, V GE =15V, T j =150 o C

1.15

I C = 450 A, V GE =15V, T j =175 o C

1.15

I C =950A,V GE =15V, T j =25 o C

1.40

I C =950A,V GE =15V, T j =175 o C

1.65

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =12,9 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.5

6.5

7.0

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

1.0

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =50V, f=100kHz, V GE =0V

72.3

nF

C - Die

Ausgangskapazität

1.51

nF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.32

nF

Q G

Gate-Ladung

V CE =400V,I C = 450 A, V GE =-15…+15V

4.77

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C = 450 A, R G = 2,4Ω,

V GE =-8V/+15V, L S =24nH,

T j =25 o C

315

nS

t r

Aufstiegszeit

61

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

729

nS

t k

Herbstzeit

70

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

12.4

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

18.3

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C = 450 A, R G = 2,4Ω,

V GE =-8V/+15V, L S =24nH,

T j =150 o C

338

nS

t r

Aufstiegszeit

74

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

826

nS

t k

Herbstzeit

151

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

20.7

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

25.3

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C = 450 A, R G = 2,4Ω,

V GE =-8V/+15V, L S =24nH,

T j =175 o C

343

nS

t r

Aufstiegszeit

77

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

846

nS

t k

Herbstzeit

171

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

25.0

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

27.3

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤6μs, V GE =15V,

T j =25 o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

4500

A

t P ≤3μs, V GE =15V,

T j =175 o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3300

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V K

Diodenvorwärts Spannung

I K = 450 A, V GE =0V,T j =25 o C

1.40

1.65

V

I K = 450 A, V GE =0V,T j =1 50o C

1.35

I K = 450 A, V GE =0V,T j =1 75o C

1.30

I K =950A,V GE =0V,T j =25 o C

1.75

I K =950A,V GE =0V,T j =1 75o C

1.75

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I K = 450 A,

-di/dt=7760A/μs,V GE = 8V L S =24 nH ,T j =25 o C

10.1

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

287

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

4.83

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I K = 450 A,

-di/dt=6300A/μs,V GE = 8V L S =24 nH ,T j =150 o C

25.6

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

341

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

9.32

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I K = 450 A,

-di/dt=5990A/μs,V GE = 8V L S =24 nH ,T j =175 o C

30.4

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

354

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

10.6

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung von R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

8

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.75

mΩ

△ p

△ V/ △ t=10,0 dm 3/min ,T K = 75 o C

64

mbar

p

Maximaler Kühldruck schönheit

T ausfallplatte < 40 o C

T ausfallplatte 40o C

(relativer Druck)

2.5 2.0

stange

R die

Junction -bis zu -Kühlung Wasser (proIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D (in der Regel △ V/ △ t=10,0 dm 3/min ,T K = 75 o C

0.098 0.140

0.114 0.160

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Gewicht von Modul

750

g