GD800HFA120C6SD,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =100 O C

800

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t P =1ms

1600

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T Vj =175 O C

4687

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt Alter

1200

V

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

900

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t P =1ms

1800

Ein

I FSM

Überspannungs-Vorwärtsstrom t P =10ms @ T Vj =12 5O C @ T Vj =175 O C

2392

2448

Ein

I 2t

I 2t- Wert ,t P =10 ms @ t Vj =125 O C @ T Vj =175 O C

28608

29964

Ein 2s

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

t vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

O C

t vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

O C

t stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

O C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =800A,V GE =15V, t Vj =25 O C

1.40

1.85

V

I C =800A,V GE =15V, t Vj =125 O C

1.60

I C =800A,V GE =15V, t Vj =175 O C

1.60

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =24.0 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C

5.5

6.3

7.0

V

I CES

Sammler Schnitt -aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C

400

NA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

0.5

Ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

28.4

NF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.15

NF

Q g

Gate-Ladung

V GE =-15…+15V

2.05

μC

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =800A, R g =0.5Ω, L s =40nH, V GE =-8V/+15V,

t Vj =25 O C

168

NS

t R

Aufstiegszeit

78

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

428

NS

t F

Herbstzeit

123

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

43.4

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

77.0

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =800A,

R g =0.5Ω, L s =40nH,

V GE =-8V/+15V,

t Vj =125 O C

172

NS

t R

Aufstiegszeit

84

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

502

NS

t F

Herbstzeit

206

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

86.3

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

99.1

mJ

t D (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =800A,

R g =0.5Ω, L s =40nH,

V GE =-8V/+15V,

t Vj =175 O C

174

NS

t R

Aufstiegszeit

90

NS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

531

NS

t F

Herbstzeit

257

NS

e auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

99.8

mJ

e aus

Ausschaltsteuerung Verlust

105

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤8μs, V GE =15V,

t Vj =150 O C,

V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

2600

Ein

t P ≤6μs, V GE =15V,

t Vj =175 O C,

V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

2500

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F =900A,V GE =0V,T Vj =2 5O C

1.60

2.00

V

I F =900A,V GE =0V,T Vj =125 O C

1.60

I F =900A,V GE =0V,T Vj =175 O C

1.50

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =800A,

-di/dt=7778A/μs,V GE =-8V, L s =40 nH ,t Vj =25 O C

47.7

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

400

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

13.6

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =800A,

-di/dt=7017A/μs,V GE =-8V, L s =40 nH ,t Vj =125 O C

82.7

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

401

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

26.5

mJ

Q R

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =800A,

-di/dt=6380A/μs,V GE =-8V, L s =40 nH ,t Vj =175 O C

110

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

413

Ein

e Erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

34.8

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung von R 100

t C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K