GD800HFA120C6SD,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Kollektorstrom @ T C=100o C

800

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

1600

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T vj =175o C

4687

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

IF

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

900

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

1800

A

IFSM

Überspannungs-Vorwärtsstrom t p =10ms @ T vj =125o C @ T vj =175o C

2392

2448

A

I2t

I2t- wert ,t p =10ms @ T vj =125o C@ T vj =175o C

28608

29964

A2s

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

T vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

IC=800A,V GE =15V, T vj =25o C

1.40

1.85

V

IC=800A,V GE =15V, T vj =125o C

1.60

IC=800A,V GE =15V, T vj =175o C

1.60

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=24.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.5

6.3

7.0

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

0.5

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

28.4

nF

Cres

Rückübertragungs- Kapazität

0.15

nF

F G

Gate-Ladung

V GE =-15…+15V

2.05

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=800A, R G=0.5Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,

T vj =25o C

168

nS

t r

Aufstiegszeit

78

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

428

nS

t f

Herbstzeit

123

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

43.4

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

77.0

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=800A,

R G=0.5Ω, L S =40nH,

V GE =-8V/+15V,

T vj =125o C

172

nS

t r

Aufstiegszeit

84

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

502

nS

t f

Herbstzeit

206

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

86.3

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

99.1

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=800A,

R G=0.5Ω, L S =40nH,

V GE =-8V/+15V,

T vj =175o C

174

nS

t r

Aufstiegszeit

90

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

531

nS

t f

Herbstzeit

257

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

99.8

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

105

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤8μs, V GE =15V,

T vj =150o C,

V CC =800V, V CEM ≤1200V

2600

A

t P≤6μs, V GE =15V,

T vj =175o C,

V CC =800V, V CEM ≤1200V

2500

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts Spannung

IF =900A,V GE =0V,T vj =25o C

1.60

2.00

V

IF =900A,V GE =0V,T vj =125o C

1.60

IF =900A,V GE =0V,T vj =175o C

1.50

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =800A,

-di/dt=7778A/μs,V GE =-8V, LS =40nH ,T vj =25o C

47.7

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

400

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

13.6

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =800A,

-di/dt=7017A/μs,V GE =-8V, LS =40nH ,T vj =125o C

82.7

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

401

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

26.5

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =800A,

-di/dt=6380A/μs,V GE =-8V, LS =40nH ,T vj =175o C

110

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

413

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

34.8

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung aus R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2– 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2– 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2– 1/(298.15K))]

3433

K