GD800HFA120C2S_B20,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

Übergangsspannung des Tor-Emittors

±20 ±30

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 o C @ T C = 95 o C

1280

800

A

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

1600

A

P D

Maximalleistung Ablösung @ T vj =175 o C

3191

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

I K

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom ent

800

A

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

1600

A

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +175

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =800A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.30

1.75

V

I C =800A,V GE =15V, T vj =125 o C

1.45

I C =800A,V GE =15V, T vj =150 o C

1.50

I C =800A,V GE =15V, T vj =175 o C

1.55

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =32.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.5

6.1

7.0

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

0.38

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

156

nF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

1.10

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =-8...+15V

10.3

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =800A, R G =1.2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj =25 o C

338

nS

t r

Aufstiegszeit

174

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

1020

nS

t k

Herbstzeit

100

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

65.2

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

88.8

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =800A, R G =1.2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj =125 o C

398

nS

t r

Aufstiegszeit

203

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

1140

nS

t k

Herbstzeit

183

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

96.6

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

109

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =800A, R G =1.2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj =150 o C

413

nS

t r

Aufstiegszeit

213

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

1140

nS

t k

Herbstzeit

195

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

105

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

113

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =800A, R G =1.2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj =175 o C

419

nS

t r

Aufstiegszeit

223

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

1142

nS

t k

Herbstzeit

205

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

110

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

115

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤8μs, V GE =15V,

T vj =150 o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

3300

A

I SC

SC-Daten

t P ≤6μs, V GE =15V,

T vj =175 o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

3000

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V K

Diodenvorwärts Spannung

I K =800A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.85

2.30

V

I K =800A,V GE =0V,T vj =125 o C

1.85

I K =800A,V GE =0V,T vj =150 o C

1.85

I K =800A,V GE =0V,T vj =175 o C

1.85

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K =800A,

-di/dt=5510A/μs,V GE =-8V, T vj =25 o C

28.6

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

311

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

13.9

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K =800A,

-di/dt=4990A/μs,V GE =-8V, T vj =125 o C

56.8

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

378

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

23.7

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K =800A,

-di/dt=4860A/μs,V GE =-8V, T vj =150 o C

66.3

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

395

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

26.7

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K =800A,

-di/dt=4790A/μs,V GE =-8V, T vj =175 o C

72.1

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

403

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

28.6

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.42

mΩ

R thJC

Junction -bis zu -Fall (proIGBT ) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.047 0.083

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.031 0.055 0.010

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Gewicht von Modul

320

g