GD800HFA120C2S_B20,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

Übergangsspannung des Tor-Emittors

±20 ±30

V

IC

Kollektorstrom @ T C=25o C@ T C=95o C

1280

800

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

1600

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T vj =175o C

3191

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

IF

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom ent

800

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

1600

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

T vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +175

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

IC=800A,V GE =15V, T vj =25o C

1.30

1.75

V

IC=800A,V GE =15V, T vj =125o C

1.45

IC=800A,V GE =15V, T vj =150o C

1.50

IC=800A,V GE =15V, T vj =175o C

1.55

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=32.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.5

6.1

7.0

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

0.38

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

156

nF

Cres

Rückübertragungs- Kapazität

1.10

nF

QG

Gate-Ladung

V GE =-8...+15V

10.3

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=800A, R G=1.2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj =25o C

338

nS

t r

Aufstiegszeit

174

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

1020

nS

t f

Herbstzeit

100

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

65.2

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

88.8

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=800A, R G=1.2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj =125o C

398

nS

t r

Aufstiegszeit

203

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

1140

nS

t f

Herbstzeit

183

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

96.6

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

109

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=800A, R G=1.2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj =150o C

413

nS

t r

Aufstiegszeit

213

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

1140

nS

t f

Herbstzeit

195

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

105

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

113

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=800A, R G=1.2Ω,

V GE =-8V/+15V, T vj =175o C

419

nS

t r

Aufstiegszeit

223

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

1142

nS

t f

Herbstzeit

205

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

110

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

115

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤8μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

3300

A

ISC

SC-Daten

t P≤6μs, V GE =15V,

T vj =175o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

3000

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

IF =800A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =800A,V GE =0V,T vj =125o C

1.85

IF =800A,V GE =0V,T vj =150o C

1.85

IF =800A,V GE =0V,T vj =175o C

1.85

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =800A,

-di/dt=5510A/μs,V GE =-8V, T vj =25o C

28.6

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

311

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

13.9

mJ

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =800A,

-di/dt=4990A/μs,V GE =-8V, T vj =125o C

56.8

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

378

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

23.7

mJ

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =800A,

-di/dt=4860A/μs,V GE =-8V, T vj =150o C

66.3

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

395

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

26.7

mJ

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =800A,

-di/dt=4790A/μs,V GE =-8V, T vj =175o C

72.1

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

403

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

28.6

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.42

mΩ

R thJC

Junction – bis – Fall (proIGBT ) Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.047 0.083

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.031 0.055 0.010

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

320

g