GD150PFX170C6SG, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Kollektorstrom @ T C=25o C@ T C=95o C

232

150

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

300

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T j =175o C

828

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1700

V

IF

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

150

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

300

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1800

V

IO

Durchschnittlicher Ausgangsstrom 5 0Hz/60Hz, Sinuswelle

150

A

IFSM

Überspannungs-Vorwärtsstrom t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

1600

1400

A

I2t

I2t-Wert,t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

13000

9800

A2s

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur (Wechselrichter) Maximale Wicklungstemperatur (Rechteckwellenrichter)

175

150

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

IC=150A,V GE =15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC=150A,V GE =15V, T j =125o C

2.25

IC=150A,V GE =15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=6.00mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

4.3

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

18.1

nF

Cres

Rückübertragungs- Kapazität

0.44

nF

F G

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

1.41

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C=150A, R G=4.7Ω,V GE =±15V, LS =46nH ,T j =25o C

292

nS

t r

Aufstiegszeit

55

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

458

nS

t f

Herbstzeit

392

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

33.6

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

26.3

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C=150A, R G=4.7Ω,V GE =±15V, LS =46nH ,T j =125o C

342

nS

t r

Aufstiegszeit

67

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

520

nS

t f

Herbstzeit

568

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

50.5

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

35.7

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =900V,I C=150A, R G=4.7Ω,V GE =±15V, LS =46nH ,T j =150o C

352

nS

t r

Aufstiegszeit

68

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

535

nS

t f

Herbstzeit

589

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

53.3

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

36.3

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤10μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

600

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

IF =150A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF =150A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

IF =150A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F =150A,

-di/dt=2340A/μs,V GE =-15V LS =46nH ,T j =25o C

21.3

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

183

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

20.4

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F =150A,

-di/dt=2000A/μs,V GE =-15V LS =46nH ,T j =125o C

36.2

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

196

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

33.9

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =900V,I F =150A,

-di/dt=1830A/μs,V GE =-15V LS =46nH ,T j =150o C

41.2

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

199

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

36.3

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

IC=150A, T j =150o C

0.90

V

IR

Rückstrom

T j =150o C,V R =1800V

3.0

mA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung aus R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2– 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2– 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2– 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R thJC

Junction – nach – Fall (proIGBT – wechselrichter ) Verbindungshalter-zu-Gehäuse (pro DIODE-Wandler er) Gehäuse-Gehäuse (pro Diode-Rektif zier)

0.181 0.300 0.289

K/W

R thCH

Fall – nach – Heizkessel (proIGBT – wechselrichter )Gehäuse-Wärmeleiter (pro Diode-i nverter) Gehäuse-zu-Wärmeableiter (pro Diode-re ktifier) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.092 0.152 0.146 0.009

K/W

M

Montagedrehmoment, Schraube: M5

3.0

6.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

300

g