IGBT-Modul 1700V

Symbol

Beschreibung

GD400HFT170C2SN

Einheiten

vCES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1700

v

vGES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

v

Ichc

Sammler-Strom @tc=25°C

@ Tc=80°C

700

400

a)

Ichcm

Pulsierter Kollektorstrom  tp= 1m

800

a)

Ichf

Diode kontinuierlich vorwärtsrent

@ Tc=80°C

400

a)

Ichfm

Maximaler Vorwärtsstrom der Diode  tp=1ms

800

a)

pd

Maximale Leistungsabgabe  @ Tj= 175°C

2632

w

tjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

°C

tstg

LagertemperaturBereich

-40 bis +125

°C

vIso

Isolierungspannung RMS,f=50Hz,t=1Min

4000

v

Montage Drehmoment

Schraube für die Antriebsspitze:M6

Montageschraube:M6

2,5 bis 5.0

3,0 bis 5.0

n.m.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

v(Br)CES

Kollektor-Emitter

Abbruchspannung

tj=25°C

1700

v

IchCES

Sammler Schnitt- Ich weiß.aus

Strom

vc=vCES- Ich weiß.vGE=0V,tj=25°C

5.0

- Ich weiß.

IchGES

Gate-Emitter-Leckstrom Strom

vGE=vGES- Ich weiß.vc=0V, tj=25°C

400

- Nein.

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vGE(Die)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ichc= 16,0 mA, Vc=VGE- Ich weiß.tj=25°C

5.2

5.8

6.4

v

vCE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

Ichc=400A,VGE=15V, tj=25°C

2.00

2.45

v

Ichc=400A,VGE=15V, tj=125°C

2.40

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=900V,Ic= 400A,- Ich weiß.RG=3.6Ω,VGE=±15V, tj=25°C

281

NS

tR

Aufstiegszeit

79

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

795

NS

tf

Herbstzeit

120

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

104

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

86

m

td(auf)

Verzögerungszeit der Einleitung

vCc=900V,Ic= 400A,- Ich weiß.RG=3.6Ω,VGE=±15V, tj=125°C

299

NS

tR

Aufstiegszeit

102

NS

td(aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

998

NS

tf

Herbstzeit

202

NS

eauf

Einschalten Wechseln

Verlust

136

m

eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

124

m

c- Nein.

Eingangskapazität

vc=25V,f=1Mhz,

vGE=0V

35.3

NF

c- Die

Ausgangskapazität

1.46

NF

cAufnahme

Rückübertragungs-

Kapazität

1.17

NF

IchSc

SC-Daten

tp≤ 10 μs, VGE=15 v,

tj=125°C,vCc= 1000 v,vCEM≤1700V

1600

a)

RGint

Interner Gate-Widerstand

1.9

Oh

Ich...c

Streuinduktivität

20

- Nein.

RCC’+EE’

Modul Blei

Widerstand,

Anschluss zu Chip

0.35

mΩ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

vf

Diodenvorwärts

Spannung

Ichf=400A

tj=25°C

1.80

2.20

v

tj=125°C

1.90

QR

Wiederhergestellt

Gebühr

Ichf= 400A,

vR=900V,

RG=3.6Ω,

vGE=-15V

tj=25°C

100

μC

tj=125°C

170

IchRm

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

tj=25°C

440

a)

tj=125°C

480

eErklärungen

RückwärtswiederherstellungEnergie

tj=25°C

54.0

m

tj=125°C

95.0

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

- Maximal.

Einheiten

RθJC

Junction-to-Case (pro IGBT)

0.057

K/W

RθJC

Verbindung zum Gehäuse (pro D)(in der Regel

0.110

K/W

Rθcss

Gehäuse-zu-Senke (Leitfähige Paste applied)

0.035

K/W

Gewicht

Gewicht- Das ist nicht wahr.Modul

300

G